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基于Haze缺陷降低的光掩膜清洗技术的新型工艺

作　者: 吴旭升
导　师: 於伟峰；古宏宽
学　校: 复旦大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 光掩膜结晶生长清洗技术臭氧水
分类号: TN305.7
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 2次
引　用: 0次
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内容摘要

本文详述了用臭氧水和深紫外曝光取代硫酸这一全新的光掩膜清洗技术导入到实际生产的过程。并且基于批量生产进行了工艺的优化、设备局部设计的改造和制订日常维护程序。实验证明,通过本文所提出的解决方案,能够有效地改善光掩膜结晶状况,Haze周期从传统清洗技术的3个月提高到1年以上。并且清洗破坏性得到有效控制,对相位移光掩膜的损耗每次清洗低于1度。良率也达到批量生产的要求,清洗良率可达到97.2%,光掩膜良率99.9%。全部生产指标达到生产要求。第一章主要介绍了半导体技术和光掩膜技术的发展趋势以及传统光掩膜制造和清洗技术；第二章分析了光掩膜结晶生长以及清洗良率降低的原因；第三章、第四章主要介绍了光掩膜新清洗技术如何解决结晶生长问题,并且对新清洗技术的参数及流程进行优化以改善结晶生长问题；第五章介绍了通过改进设备操作与维护方法以提高掩模板清洗良率；第六章总结了这个新清洗技术的应用效果,并且对其未来的应用作出展望。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-5
引言  5-6
第一章半导体技术以及光掩膜制作技术背景介绍  6-13
  第一节半导体技术现状及发展趋势  6
  第二节光掩膜技术的现状及发展趋势  6-7
  第三节光掩膜制造技术简介  7-10
  第四节传统光掩膜清洗技术  10-12
  第五节本章小结  12-13
第二章光掩膜结晶生长及清洗良率降低原因分析  13-20
  第一节光掩膜结晶生长及对晶圆生产的影响  13-17
  第二节清洗良率降低的原因分析  17-19
  第三节本章小结  19-20
第三章新光掩膜清洗技术导入以解决结晶生长问题  20-32
  第一节新清洗技术的工作原理  20-22
  第二节新型清洗技术导入制程导入的方法与结果分析  22-30
  第三节完整清洗程序的清洗效果测定  30
  第四节本章小结  30-32
第四章新光掩膜清洗参数及流程优化以改善结晶生长问题  32-37
  第一节新的清洗技术引入后所面临的问题  32
  第二节改善的方法与结果分析  32-35
  第三节批量生产良率验证  35-36
  第四节本章小结  36-37
第五章改进设备操作与维护方法以提高掩模版清洗良率  37-43
  第一节清洗良率降低的机理分析  37-38
  第二节改善的方法与结果分析  38-40
  第三节优化成效评估  40-42
  第四节本章小结  42-43
第六章结论  43-45
  第一节结论  43
  第二节未来展望  43-45
参考文献  45-47
致谢  47-48

基于Haze缺陷降低的光掩膜清洗技术的新型工艺

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