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碳化硅的形貌控制及其催化应用研究
作 者: 原恩临
导 师: 李永生;刘志成
学 校: 华东理工大学
专 业: 材料工程
关键词: SiC 高比表面积 形貌控制 干重整 合成气
分类号: O643.36
类 型: 硕士论文
年 份: 2012年
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内容摘要
碳化硅(SiC)具有优异的物理、化学及电学等性能,因而在机械制造、工业催化、半导体器件等领域有着巨大的应用价值。合成SiC的方法众多,其结构及形貌也各异。本论文运用碳热还原反应,通过调控烧成制度合成了比表面积超过100m2g-1的SiC;通过调控催化剂的加入量合成了蜂窝状、纳米线、纳米棒、片状、微球等不同形貌和大小的SiC;利用SiC做催化剂载体,负载金属Ni后应用于CH4-SiO2干重整反应,表现出较高的催化效率,并且提高了催化剂的抗积碳能力。通过X射线衍射(XRD)、氮气物理吸附-脱附、能量弥散X射线谱(EDS)、X射线能谱(XPS)、场发射扫描电镜(FE-SEM)及透射电镜(TEM)等手段对所制的的产品进行了表征。通过利用正交试验方法对高比表面积SiC的合成进行系统研究,得到最佳制备条件:采用碳热还原反应,将SiO2/C复合材料在1300℃下焙烧1-3h,得到的SiC的比表面积超过130m2g-1。SiC形貌的调控是以CeO2作为催化剂的条件下进行。通过综合研究催化剂的加入量、反应温度及反应时间等条件对SiC形貌的影响,合成了具有不同形貌和结构的SiC,总结了合成条件影响SiC形貌的规律。并初步探索了利用碳热还原法合成SiC纳米线的生长机理。将Ni, CeO2负载到所制备的SiC微球上,制得Ni/CeO2/SiC催化剂,进行催化CH4-CO2制合成气反应研究,结果表明:800℃下,催化剂表现出良好的催化性能,CH4和CO2最高转化率达到90%,H2和CO选择性达到100%;在加入适量CeO2作助催化剂时,催化剂的抗积碳能力得到显著提升,随着助催化剂的加入量继续增加,催化剂的抗积碳能力继续提升,但催化效率却有明显下降。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-9 引言 9-11 第1章 文献综述 11-25 1.1 碳化硅概述 11-13 1.1.1 碳化硅的结构 11-12 1.1.2 碳化硅的性质及其应用 12-13 1.2 碳化硅的合成方法 13-18 1.2.1 高比表面积碳化硅概述 13-15 1.2.2 碳化硅纳米线概述 15-18 1.3 甲烷干重整制合成气概述 18-23 1.3.1 合成气制备简介 18-19 1.3.2 DRM反应机理 19-21 1.3.3 DRM反应催化剂的发展 21-23 1.4 论文的选题依据与主要内容 23-25 第2章 高比表面积碳化硅的制备研究 25-34 2.1 引言 25 2.2 材料合成与表征 25-26 2.2.1 实验试剂 25 2.2.2 材料合成方法 25-26 2.2.3 样品的表征 26 2.3 结果讨论 26-33 2.3.1 氧化硅多孔材料的制备 26-28 2.3.2 碳化硅的制备 28-33 2.4 结论 33-34 第3章 碳化硅形貌调控的研究 34-50 3.1 引言 34 3.2 材料合成与表征 34-35 3.2.1 实验试剂 34 3.2.2 制备方法 34-35 3.2.3 表征方法 35 3.3 结果和讨论 35-48 3.3.1 高含量催化剂得到的碳化硅 35-40 3.3.2 较低含量催化剂得到的碳化硅 40-43 3.3.3 碳化硅纳米线纳米线 43-47 3.3.4 碳化硅纳米线生长机理 47-48 3.4 小结 48-50 第4章 催化剂Ni/CeO_2/SiC的制备及对甲烷干重整反应催化性能的研究 50-59 4.1 引言 50 4.2 材料合成与表征 50-52 4.2.1 实验试剂 50-51 4.2.2 催化剂的制备 51 4.2.3 催化剂的表征 51 4.2.4 甲烷干重整反应 51-52 4.3 结果与讨论 52-58 4.3.1 催化剂的组分分析 52-53 4.3.2 催化剂的XRD表征 53 4.3.3 催化剂的XPS表征 53-54 4.3.4 催化性能研究 54-56 4.3.5 催化反应后催化剂的性能表征 56-58 4.4 总结 58-59 第5章 总结与展望 59-61 参考文献 61-69 致谢 69-70 在读期间发表或待发表的论文 70
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中图分类: > 数理科学和化学 > 化学 > 物理化学(理论化学)、化学物理学 > 化学动力学、催化作用 > 催化 > 催化剂
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