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Ni_xMg_(1-x)O薄膜的制备技术研究

作　者: 孙瑶
导　师: 王新
学　校: 长春理工大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 氧化镍薄膜磁控溅射日盲紫外探测禁带宽度 MgxNi1-xO薄膜
分类号: TN304.055
类　型: 硕士论文
年　份: 2014年
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内容摘要

在正常温度下氧化镍薄膜的带隙处于3.6-4.0ev范围内,与氧化锌薄膜的禁带宽度相比,氧化镍薄膜的更大一点,但终究还是不能实现日盲紫外探测,为了使氧化镍薄膜的禁带宽度增大,我们就要对氧化镍薄膜进行合理的掺杂,使得氧化镍薄膜的光谱响应位于日盲光谱范围内。因此,本论文通过采用磁控溅射的方法制备氧化镍薄膜,然后选择Mg元素,对氧化镍薄膜进行掺杂,使其薄膜的光谱响应位于日盲光谱范围内。本论文我们主要研究的步骤如下：(1)利用磁控溅射的方法制备未掺杂的氧化镍薄膜,并对未掺杂的氧化镍薄膜进行了结构特性、透射光谱、带隙等方面的研究。(2)通过对掺杂元素的理论分析,我们选择了镁元素对氧化镍薄膜进行掺杂,使其带隙向“太阳盲”波段靠近,并对不同镁含量下的氧化镍镁薄膜进行了结构特性、晶粒尺寸、透射光谱以及带隙的特性进行研究。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-6
目录  6-7
第一章引言  7-14
  1.1 课题研究意义  7-9
  1.2 NiO的性质  9-10
  1.3 NiO薄膜的研究现状  10-12
  1.4 本论文的研究工作  12-14
第二章薄膜的制备方法  14-21
  2.1 溅射法  14-15
  2.2 化学气相沉积  15-16
  2.3 溶胶-凝胶法  16-17
  2.4 脉冲激光沉积  17-18
  2.5 原子层沉积  18-19
  2.6 分子束外延技术  19-20
  2.7 喷雾热分解法  20-21
第三章实验设备、原理及步骤  21-26
  3.1 实验设备  21-22
  3.2 实验原理  22-24
  3.3 实验步骤  24-26
第四章磁控溅射制备为掺杂的NiO薄膜  26-32
  4.1 氧化镍陶瓷靶的制备  26-27
  4.2 衬底的清洗  27
  4.3 磁控溅射制备未掺杂氧化镍薄膜性质  27-32
第五章不同Mg掺杂含量的Ni_xMg_(1-x)O薄膜制备及性质研究  32-41
  5.1 Mg掺杂元素的理论研究  32-35
  5.2 不同Mg含量下Ni_xMg_(1-x)O薄膜结构性质  35-37
  5.3 不同Mg含量下Ni_xMg_(1-x)O薄膜晶粒尺寸  37-38
  5.4 不同Mg含量下Ni_xMg_(1-x)O薄膜透射光谱  38-39
  5.5 不同Mg含量下Ni_xMg_(1-x)O薄膜带隙  39-41
结论  41-42
致谢  42-43
参考文献  43-45
硕士期间的主要研究工作以及取得的研究成果  45

Ni_xMg_(1-x)O薄膜的制备技术研究

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