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宽禁带Ⅲ族氮化物半导体器件输运与界面特性研究

作 者: 闫大为
导 师: 陆海
学 校: 南京大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 宽禁带 Ⅲ族氮化物 器件研究 界面特性 GaN 栅极漏电流 半导体器件 极化电场 势垒层 空穴 Electron 发光二极管 反向漏电流 氮化物半导体 异质结构 界面的 发光效率 禁带宽度 半导体材料 博士学位论文
分类号: TN303
类 型: 博士论文
年 份: 2011年
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内容摘要


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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 结构、器件
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