学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究

作　者: 王平
导　师: 杨银堂
学　校: 西安电子科技大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 碳化硅电子霍耳迁移率蒙特卡罗金属-半导体场效应晶体管金属-半导体-氧化物场效应晶体管解析模型欧姆接触氧化感应耦合等离子体俄歇电子能谱
分类号: TN386
类　型: 博士论文
年　份: 2005年
下　载: 415次
引　用: 3次
阅　读: 论文下载

内容摘要

新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术的SiC CMOS电路更是受到了广泛的关注。虽然目前碳化硅材料、场效应器件技术已取得很大的进展,但在理论模型及器件工艺方面仍有较多问题亟待解决。理论上,从器件物理的角度出发,建立和完善SiC场效应器件模型,以利于器件结构和电路设计,是目前SiC理论研究需要解决的问题。工艺上,受到实际水平的限制,即使在制造设备较为发达的国外,研究文献表明器件的制造工艺仍处于研发阶段,具体的工艺环节也在摸索之中。国内关于SiC基础工艺的研究刚刚起步,鉴于工艺条件和实践经验上的限制,需要对SiC场效应器件关键工艺技术进行实验研究以获得大量的工艺数据。本文重点对SiC MESFET、MOSFET及CMOS倒相器特性进行了模型研究,并从实验的角度对影响SiC场效应器件特性的三个关键工艺—欧姆接触、氧化和刻蚀进行了系统研究,主要工作如下: (1)基于对6H-SiC自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响;用系综蒙特卡罗法(Ensemble Monte Carlo,EMC)对高场条件下6H-SiC中的电子输运进行了数值模拟。得出了稳态条件下电子平均漂移速度、平均能量、能量驰豫时间、c轴方向碰撞电离率同高电场的关系以及电子横向漂移速度在不同阶跃电场强度下的瞬态变化规律。 (2)从器件内部载流子输运机理出发,考虑到载流子的冻析效应、漏源串连电阻的影响,在场致迁移率、速度饱和效应的基础上,得到了能够较好模拟4H-SiC MESFET器件直流I-V特性和小信号参数的解析模型。建模中对饱和工作模式进行分析时采用了两区模型的思想,因此对短栅SiC MESFET的特点给了更清晰的描述。该模型具有物理概念清晰的优点,算法也较为简单,能够较精确地分析器件特性,充分体现了SiC材料和器件结构的物理特性,因此非常适于SiC MESFET器件预研和电路设计的应用领域。 (3)在经典薄层电荷模型的基础上,计入杂质不完全离化及界面态电荷的影响,建立了较为准确且适于6H-SiC MOSFET所有工作区的统一的漏电流、跨导以及漏电导解析模型。表面势的计算是建立模型的关键,主要通过解析求解一维泊

全文目录

摘要  5-7
Abstract  7-12
第一章绪论  12-21
  1.1 研究的目的与意义  12-16
    1.1.1 SiC的基本特性和应用优势  12-14
    1.1.2 SiC材料、场效应器件和CMOS电路的国内外研究动态  14-16
  1.2 SiC场效应器件关键工艺技术分析  16-18
    1.2.1 欧姆接触  16-17
    1.2.2 氧化工艺  17-18
    1.2.3 刻蚀工艺  18
  1.3 当前研究中需要解决的问题  18-19
  1.4 本论文的主要工作  19-21
第二章 SiC电子输运特性分析  21-45
  2.1 SiC电子霍耳迁移率解析模型  21-33
    2.1.1 晶体结构及能带模型欧姆接触  21-22
    2.1.2 散射率模型  22-24
    2.1.3 霍耳迁移率和散射因子模型的建立  24-27
    2.1.4 模拟结果及分析  27-33
  2.2 SiC高场电子输运特性模拟  33-43
    2.2.1 物理模型  33
    2.2.2 SiC的系综蒙特卡罗模拟方法物理模型  33-39
    2.2.3 模拟结果及分析  39-43
  2.3 本章小结  43-45
第三章 SiC金属-半导体场效应晶体管解析模型  45-60
  3.1 电流-电压特性模型  45-52
    3.1.1 线性区漏电流模型分析  45-47
    3.1.2 饱和区漏电流模型分析  47-52
  3.2 小信号参数模型  52-56
    3.2.1 漏电导模型  52-54
    3.2.2 跨导模型  54-56
  3.3 模拟结果及分析  56-59
  3.4 本章小结  59-60
第四章基于表面势的SiC MOSFET解析模型  60-72
  4.1 薄层电荷模型的基本思想  60-61
  4.2 表面电场和表面势模型  61-64
  4.3 漏电流和小信号参数模型  64-68
    4.3.1 漏电流模型的推导  64-66
    4.3.2 小信号参数模型  66-68
  4.4 模拟结果及分析  68-72
第五章 SiC CMOS倒相器温度特性研究  72-80
  5.1 电路结构设计  72-73
  5.2 基本模拟方法和模型的选取  73-76
    5.2.1 基本模拟方法  73-74
    5.2.2 模型和算法的选取  74-76
  5.3 模拟结果及分析  76-78
  5.4 本章小结  78-80
第六章 SiC场效应器件关键工艺技术研究  80-106
  6.1 欧姆接触工艺  80-89
    6.1.1 欧姆接触基本理论分析  80-82
    6.1.2 离子注入制备欧姆接触电阻  82-87
    6.1.3 高掺杂外延材料上欧姆接触的制备及测试  87-89
  6.2 氧化工艺  89-96
    6.2.1 SiC热氧化机理分析  90
    6.2.2 SiC热氧化生长技术的研究  90-96
  6.3 刻蚀工艺  96-105
    6.3.1 实验装置及工作原理  96-98
    6.3.2 刻蚀气体的选择  98-99
    6.3.3 材料及工艺流程设计  99-100
    6.3.4 测试与讨论  100-105
  6.4 本章小结  105-106
第七章结束语  106-109
致谢  109-110
参考文献  110-119
作者在攻读博士学位期间的研究成果  119-120

碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究

内容摘要

全文目录

相似论文