学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
ZnO薄膜的制备与发光性能的研究
作 者: 刘晓艳
导 师: 杨兵初
学 校: 中南大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: ZnO薄膜 光致发光 紫外发光峰 蓝色发光峰
分类号: O472
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
下 载: 298次
引 用: 2次
阅 读: 论文下载
内容摘要
ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理想的光电材料。本文利用直流磁控溅射法制备了表面平滑、结晶质量较好的ZnO薄膜。研究了氧分压、溅射功率、工作气压、基片温度、氮气气氛中退火处理以及掺杂对ZnO薄膜的表面形貌、结构及光学性能的影响,并讨论了ZnO薄膜的发光机制。随着基片温度的升高,氧分压、溅射功率的增大,ZnO薄膜的结晶质量先得到提高,后又受到破坏;随着工作气压的增加,薄膜的结晶质量下降。ZnO薄膜的透光性受膜厚与薄膜的结晶质量两个因素的影响,但不同工艺参数对ZnO薄膜的透光性的影响规律性似乎不是很强。退火处理能够明显改善ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量,提高薄膜的透光性。磁性离子Ni、Fe的掺杂均能改善ZnO薄膜的表面形貌与结晶质量,且使薄膜的吸收边发生红移。ZnO薄膜的发光特性是本文的研究重点。ZnO薄膜的光致发光(Photoluminescence,PL)光谱包括400nm左右的紫外发光峰和466nm左右的蓝色发光峰。紫外发光峰是电子从导带到价带的跃迁产生的。制备工艺参数的改变、退火处理以及掺杂都会对紫外发光峰的峰位和峰强产生影响。蓝色发光峰的峰强也受上述因素的影响,但是峰位几乎不受影响。并对蓝色发光峰的发光机理进行了探讨。首先利用准化学反应方程式讨论了随着氧分压的增大,ZnO薄膜中六种点缺陷氧空位(Vo),锌空位(VZn),氧位锌(OZn),锌位氧(Zno),间隙氧(Oi),间隙锌(Zni)的浓度变化,初步推测蓝色发光峰可能是由Vo、Zni或Zno引起的。然后对掺杂ZnO薄膜的蓝色发光峰进行讨论,进一步推测蓝色发光峰可能是由Zni引起的。
|
全文目录
摘要 3-4 ABSTRACT 4-9 第一章 绪论 9-22 1.1 ZnO薄膜的结构和性质 9-11 1.1.1 结构 9 1.1.2 电学性质 9-10 1.1.3 光学性质 10-11 1.2 ZnO薄膜的应用 11-12 1.3 ZnO薄膜的制备方法 12-14 1.4 ZnO薄膜的发光机制 14-15 1.5 ZnO薄膜发光特性研究现状 15-20 1.6 磁性离子掺杂ZnO薄膜的研究 20-21 1.7 本论文的研究内容及结构 21-22 第二章 ZnO薄膜的制备与性能表征 22-28 2.1 实验设备及原理 22-24 2.1.1 实验设备 22-23 2.1.2 实验原理 23-24 2.2 ZnO薄膜的制备 24-25 2.3 ZnO薄膜的表征 25-27 2.3.1 表面形貌 25 2.3.2 结构表征 25-26 2.3.3 透射光谱 26 2.3.4 光致发光谱 26-27 2.4 本章小结 27-28 第三章 制备工艺对ZnO薄膜结构与光学性能的影响 28-50 3.1 引言 28 3.2 氧分压对ZnO薄膜的结构与光学特性的影响 28-33 3.2.1 表面形貌 28-29 3.2.2 XRD分析 29-31 3.2.3 透射光谱 31 3.2.4 光致发光谱 31-33 3.3 溅射功率对ZnO薄膜的结构与光学特性的影响 33-37 3.3.1 表面形貌 34-35 3.3.2 XRD分析 35-36 3.4.3 透射光谱 36-37 3.4.4 光致发光谱 37 3.4 工作气压对ZnO薄膜的结构与光学特性的影响 37-41 3.4.1 表面形貌 38-39 3.4.2 XRD分析 39-40 3.4.3 透射光谱 40 3.4.4 光致发光谱 40-41 3.5 基片温度对ZnO薄膜的结构与光学特性的影响 41-45 3.5.1 表面形貌 41-42 3.5.2 XRD分析 42-43 3.5.3 透射光谱 43-44 3.5.4 光致发光谱 44-45 3.6 氮气中退火对ZnO薄膜的结构与光学特性的影响 45-48 3.6.1 表面形貌 45-46 3.6.2 XRD分析 46 3.6.3 透射光谱 46-48 3.6.4 光致发光谱 48 3.7 本章小结 48-50 第四章 掺杂对ZnO薄膜的结构与光学性能的影响 50-59 4.1 Ni掺杂ZnO薄膜的结构与光学特性的研究 50-53 4.1.1 表面形貌 50-51 4.1.2 XRD分析 51 4.1.3 透射光谱 51-52 4.1.4 光致发光谱 52-53 4.1.5 小结 53 4.2 Fe掺杂ZnO薄膜的结构与光学特性的研究 53-57 4.2.1 表面形貌 54 4.2.2 XRD分析 54-55 4.2.3 透射光谱 55-56 4.2.4 光致发光谱 56-57 4.2.5 小结 57 4.3 本章小结 57-59 第五章 总结与展望 59-61 5.1 论文的主要工作 59-60 5.2 下一步工作展望 60-61 参考文献 61-68 致谢 68-69 攻读硕士学位期间所发表的论文 69
|
相似论文
- 溶胶—凝胶AAO模板法制备ITO准一维纳米结构,TB383.1
- 含手性三联苯液晶聚乙炔的合成及其性能研究,O631.3
- 溶胶—凝胶法制备p型ZnO薄膜,O484.1
- 超声喷雾热解法ZnO薄膜的制备及其性能研究,TB43
- 无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备,TN304.1
- 适合声表面波谐振器的ZnO薄膜研究,TN304.055
- 锌基半导体量子点光学性能研究及其在LED中的应用,O471.1
- 稀土离子Eu和Tb激活无水芒硝的发光性质研究,O482.31
- ZnO薄膜电致发光的探索,O484.41
- 碳热还原制备碳化硅纳米线及其性能研究,TB383.1
- 表面沉积铜薄膜多孔硅的制备及其发光特性研究,TB383.4
- 纳米ZnO和钇铝石榴石的水热法制备及特性表征,TB383.1
- 玻璃基ZnO基薄膜的喷雾热分解法制备和表征,TB383.2
- 半导体纳米材料制备与性能研究,TB383.1
- SnO_2及其Eu~(3+)掺杂物的制备及发光性质研究,TB383.1
- 介孔ZnO材料的制备及气敏性能的研究,TB383.2
- 铝(硅)酸盐发光材料的熔盐合成技术及其发光性能研究,TQ422
- PET的电致发光与光致发光联合测量及其模拟仿真,O631.23
- 稀土掺杂ZAO系陶瓷红外发射率及光致发光性能,TQ174.75
- 新型无机稀土光致发光材料的合成与光学性质研究,O611.4
- 磁控溅射法制备优质氮化镓衬底生长用缓冲层氧化锌薄膜,TN304.2
中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体性质
© 2012 www.xueweilunwen.com
|