学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

TFT-LCD点缺陷的分析与研究

作　者: 马宝平
导　师: 陈再良
学　校: 苏州大学
专　业: 机械电子工程
关键词: TFT-LCD 点缺陷制程良率镭射修补焦距参数切割能量值
分类号: TN873.93
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 218次
引　用: 1次
阅　读: 论文下载

内容摘要

TFT-LCD作为一个新兴的高科技行业,具有全面取代目前CRT显示器的趋势。目前存在的问题是生产流程复杂,生产过程中不良过高造成的成本增加问题。主要的不良是一些显示缺陷问题,其中点缺陷最为严重。通过研究各个制程环节,分析出其中可能产生的缺陷。并着重介绍了点缺陷的产生及其点缺陷的检验方式与修复手法,同时对修复手法有提出独到的改善措施,利用切割ITO膜来达到修复的目的,使得修复的成功率从45%提高到80%。点缺陷的形成主要在Array段和Cell前段, Array段在镀膜的时候会有一些残留物,这些残留物如果导电或者面积太大,就造成了它附近点的短路或者断路,这个点就成了亮点或是暗点。叙述了TFT-LCD的制程过程,以及制程中的设备参数等描述,重点介绍了Array段镀膜与Cell段灌液晶两个制程,并分析了这两个制程会导致点缺陷的原因,从而通过增加检验站,或者调整合适的参数来提高良率,达到降低点缺陷的目的。实际生产中还是存在5%~8%的点缺陷,对这些不可避免的不良做了进一步的研究,研究表明它们是可以通过镭射被修复或者被淡化的。因此生产中每年大约1000万美金左右的点缺陷不良可以重新修复成为良品。接下来对于点缺陷的检验机台及其修复机台作了进一步的研究表明不同切割焦距与切割能量对于修复不同的缺陷都有不同的效果。采用两个试验方案,可以解决生产中镭射修复常遇到的两个问题-----最佳焦距应该选择5u或者6u,最佳的切割Gate能量值应该选择7%,最佳的切割Source能量值应该选择6%,最佳的切割Welding能量值应该选择5%。运用试验结果产出的最佳参数去进行修复作业,大大提升了修复的良率,使得镭射修复的不良基本为零。生产过程中影响良率和效率的因素较多,研究良率的改善方法只是其中的一个很小的一部分,但是可以以点代面,对于企业降低成本,提高生产良率具有较好的借鉴意义,并对于点缺陷的修复方法提出了建设性的方案----切割ITO,这将对进一步研究点缺陷具有良好的参考价值。

全文目录

中文摘要  3-4
Abstract  4-8
第一章绪论  8-21
  1.1 TFT LCD 简介  8-10
    1.1.1 液晶驱动原理  8-9
    1.1.2 LCD 显示原理  9-10
  1.2 LASER 的概况  10-12
  1.3 本文的研究现状与发展趋势  12-16
  1.4 本文的研究内容与方法  16-20
  1.5 本章小结  20-21
第二章 LCD 工艺流程及其点缺陷概况  21-51
  2.1 ARRAY 段的生产过程及点缺陷产生原因  21-25
    2.1.1 Gate line 的制作  22-23
    2.1.2 X-Over 的制作过程  23
    2.1.3 AS 层的制作流程  23-24
    2.1.4 TH 的设计与制作  24-25
    2.1.5 ITO 的涂布与点缺陷  25
  2.2 CELL 段生产流程与点缺陷产生原因  25-38
    2.2.1 FEOL 段生产流程及点缺陷产生原因  26-32
    2.2.2 BEOL 段生产流程  32-38
  2.3 TFT-LCD 模组生产流程  38-51
    2.3.1 生产车间布局  38-39
    2.3.2 TFT-LCD 模组生产流程  39-51
第三章常见点缺陷的预防及其修复方法  51-73
  3.1 点缺陷的预防方法及其检验装置  51-57
    3.1.1 点缺陷的检验装置  51-52
    3.1.2 点缺陷的检验方法  52-57
  3.2 常见点缺陷的修复方法  57-63
    3.2.1 雷射修补的基本手法  59
    3.2.2 暗点化的修复方法  59-60
    3.2.3 ITO 隔离的修复方法  60-61
    3.2.4 雷射炸射的修复方法  61-63
  3.3 试验机台最佳的LASER 焦距  63-66
  3.4 试验机台切割时的最佳能量值  66-72
  3.5 本章小结  72-73
第四章总结与展望  73-75
参考文献  75-77
硕士期间发表论文  77-78
致谢  78

相似论文

基于ARM的TFT-LCD面板检测设备软件的研究,TN873.93
液晶屏成盒后电测与亮点检出机理研究,TN873.93
台湾TFT-LCD龙头厂商的R&D投入的影响因素研究,F426.6;F224
TFT-LCD工厂建设组织模式的研究,F426.6
第一性原理计算探索高压下缺陷对LiF和AL_2O_3两种晶体的电子结构和光学性质的影响,O734
基于ARM驱动TFT-LCD模块研究与应用,TN873.93
五代液晶面板Array生产制造系统中的车辆调度问题研究,U116
PDVQ图像压缩芯片的测试与应用,TP391.41
基于XSCALE处理器和嵌入式linux系统的驱动软件研究与实现,TP368.1
B_2型MoTa合金的嵌入原子法研究,O483
锆基大块非晶合金及其晶化合金的耐腐蚀性能研究,TG139.8
GaN表面缺陷及其扩散的理论研究,O469
液晶面板功能缺陷维修方法的分析与改善,TN873.93
TFT-LCD模拟源驱动芯片测试技术研究,TN873.93
TFT-LCD基板玻璃配方及工艺性能研究,TQ171.1
多倍数光学自动聚焦系统的研究与实现,TP391.41
TFT-LCD控制器的研究与设计,TN873.93
基于X射线检测系统的BGA器件缺陷检测技术研究,TN41
有序合金中点缺陷的改进分析型嵌入原子法模拟,O483
基于SOPC的LCD图层叠加显示系统的设计,TN873.93
两岸TFT-LCD制造商竞合策略分析,F426.6