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二元共掺BST薄膜介电性能及掺杂机理研究
作 者: 傅向军
导 师: 廖家轩
学 校: 电子科技大学
专 业: 材料科学与工程
关键词: 钛酸锶钡薄膜 二元共掺 交替掺杂
分类号: O484.42
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
下 载: 52次
引 用: 1次
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内容摘要
本论文主要研究二元共掺对Sol-gel法制备的钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜介电性能的影响。围绕提高BST薄膜介电性能而展开,结合目前优化BST介电性能的研究趋势,对一元掺杂与二元共掺进行研究,并对BST进行了交替掺杂的研究尝试。利用XRD、AFM、XPS等现代材料分析方法对薄膜微结构、表面形貌和成分进行表征,并就相关成分、工艺、结构及性能之间的联系进行探讨。首先,研究掺杂前后BST相结构的变化,结合试验结果,从容差因子等角度判断了掺杂元素对BST相结构的影响。通过AFM和XPS分析了BST薄膜表面形貌和表面成分。分析表明:掺杂后BST晶粒尺寸的变化与掺杂的元素有关,一元掺杂后钙钛矿结构BST的含量发生了变化。选取铈、锰对BST进行了A位掺杂、B位掺杂与AB位共掺杂对比研究。结果表明:掺杂后BST薄膜的介电性能得到了优化,其中,铈锰二元共掺的介电性能更具有优势,介电损耗最低可以降到0.014,20V的偏压下的优值因子为16.9;铈锰共掺克服了铈单掺杂耐压性差的问题。其次,为进一步降低BST薄膜的介电损耗,本论文进行了交替掺杂的研究尝试。研究了掺杂浓度和薄膜层数对交替掺杂BST薄膜介电性能的影响。交替掺杂在保持一定的优值因子基础上显著降低了介电损耗,同时,该薄膜还具有良好的耐压特性、平稳的损耗-偏压特性。此外,测试频率从100KHz提高到1MHz后,BST薄膜介电性能显示出良好的频率稳定性能。
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全文目录
摘要 4-5 ABSTRACT 5-10 第一章 绪论 10-19 1.1 BST 晶体结构与微观机理 10-13 1.1.1 BST 的晶体结构 10-11 1.1.2 BST 的介电性能 11-12 1.1.3 BST 微观机理 12-13 1.2 BST 研究热点 13-15 1.3 BST 梯度改性研究 15-16 1.3.1 (Ba/Sr)梯度 15-16 1.3.2 掺杂梯度 16 1.4 BST 掺杂改性研究 16-18 1.4.1 一元掺杂的研究 16-17 1.4.2 二元共掺的研究 17-18 1.5 论文主要内容 18-19 1.5.1 掺杂元素的选取 18 1.5.2 主要内容 18-19 第二章 实验 19-25 2.1 实验原料 19-20 2.2 制备工艺 20-22 2.2.1 Sol-gel 法的基本原理 20 2.2.2 Sol-gel 法制备 BST 薄膜 20-21 2.2.3 Sol-gel 法制备 BST 薄膜机理探讨 21-22 2.3 测试 22-23 2.3.1 XRD 测试 22 2.3.2 XPS 测试 22 2.3.3 AFM 测试 22-23 2.3.4 C-V 测试 23 2.4 实验方案 23-25 第三章 掺杂 BST 相结构分析 25-34 3.1 一元掺杂 25-31 3.1.1 铈掺杂 25-27 3.1.2 钇掺杂 27-28 3.1.3 锰掺杂 28-30 3.1.4 退火温度对比分析 30-31 3.2 二元共掺 31-33 3.3 本章小结 33-34 第四章 铈锰共掺 BST 性能研究 34-40 4.1 介电性能测试结果 34-36 4.2 介电性能分析 36-39 4.2.1 AFM 分析 36 4.2.2 XPS 分析 36-38 4.2.3 可调性分析 38 4.2.4 介电损耗分析 38-39 4.3 本章小结 39-40 第五章 交替掺杂 BST 性能研究 40-55 5.1 掺杂浓度研究 40-48 5.1.1 锰钇交替 40-42 5.1.2 钇锰交替 42-46 5.1.3 频率对比 46-48 5.2 薄膜层数研究 48-54 5.2.1 可调性 49-50 5.2.2 介电损耗 50-52 5.2.3 频率对比 52-54 5.3 本章小结 54-55 第六章 主要结论 55-56 致谢 56-57 参考文献 57-62 攻读硕士学位期间的研究成果 62-63
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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的性质 > 电性质
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