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不同LET辐射致DNA集簇性损伤及防护的研究

作　者: 徐辉辉
导　师: 周平坤
学　校: 中国人民解放军军事医学科学院
专　业: 生物化学与分子生物学
关键词: 开环构象集簇性损伤 DSB VND3207 辐射防护脉冲电泳
分类号: Q345
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 54次
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阅　读: 论文下载

内容摘要

目的:利用辐照质粒DNA构象变化的分子模型来研究不同LET辐射致DNA损伤,并通过损伤识别酶学探针进一步检测辐射致DNA的集簇性损伤。其次,分别以γ、质子束和高能7Li重离子照射质粒DNA,通过分析加药后DNA辐射损伤的变化来检测药物VND3207对不同LET辐射损伤的防护作用。进一步探索建立分析辐射致细胞水平上的DNA集簇性损伤的检测技术。方法:以DNA糖苷酶Fpg和AP核酸内切酶EndoIII识别并切割辐射所致DNA碱基和糖基伤损,将其转换为DNA断裂损伤,通过电泳分析DNA分子构象变化,研究比较γ射线、质子和7Li重离子诱发DNA损伤以及集簇性损伤。在辐射前半小时加药,通过比较分析DNA损伤情况的变化,评价药物VND3207对不同LET辐射DNA损伤的防护作用。通过脉冲电泳检测细胞DNA辐射损伤,然后再利用Southern blot来检测一定长度的DNA片段辐射损伤和修复情况,建立细胞水平的DNA集簇性损伤和修复的检测模型。结果:(1)建立了以质粒DNA分子构象变化为基础的DNA集簇性损伤检测模型;(2)50 Gy以上高剂量γ辐射对质粒DNA的损伤主要表现为单链断裂和很少比例的双链断裂(DSB),并能产生一定水平的集簇性损伤。相比之下,质子和7Li重离子直接所致DNA的断裂损伤以及所产生的集簇性碱基损伤比γ射线要严重,而且质子10 Gy照射就可诱发明显的集簇损伤。(3)实验结果显示,药物VND3207能够有效减轻不同LET辐射对质粒DNA的损伤,加药组与不加药组相比,质粒DNA开环构象显著减少(p < 0.01),保护效果随着药物浓度的增加更加明显。当200Gyγ照射,药物浓度达到200μmol/L时,其辐射损伤比不加药减少将近40%。在对不同LET辐射的保护效果上看,药物VND3207对γ、质子、重离子辐射均具有有效地保护作用,特别是对γ和重离子的保护作用更为明显。(4)初步探索了通过脉冲电泳显示辐射后基因组DNA产生许多DSB损伤、SSB和集簇性损伤的技术。

全文目录

中文摘要  5-6
英文摘要  6-8
引言  8-14
第一部分不同LET辐射对质粒DNA的损伤效应  14-29
  材料与方法  15-20
  实验结果与讨论  20-28
  结论  28-29
第二部分香兰素衍生物VND3207对质粒DNA受不同LET辐射损伤的防护作用  29-36
  材料与方法  30-31
  结果  31-34
  讨论  34-36
第三部分细胞水平上γ辐射致基因组DNA集簇性损伤的检测技术的初步探索  36-49
  实验材料  36-37
  实验方法  37-43
  结果  43-47
  讨论  47-49
总结  49-51
参考文献  51-59
缩略词表  59-60
已发文章  60-71
个人简历  71-72
致谢  72

不同LET辐射致DNA集簇性损伤及防护的研究

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