学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
透明导电掺铝氧化锌薄膜的制备修饰及其自清洁性能研究
作 者: 石小凤
导 师: 陈振宁
学 校: 哈尔滨工业大学
专 业: 物理化学
关键词: AZO膜 刻蚀 光学性能 电学性能 自洁性能
分类号: TB383
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
下 载: 6次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
内容摘要
掺铝氧化锌(Al-doped ZnO,简称AZO)薄膜是一种具有高透射率和低电阻率的n型半导体透明导电薄膜,广泛应用于各种光学仪器中。随着材料多功能化的发展,对于AZO薄膜来讲,在保持其透明、导电性能的基础上,研究其自清洁性能是很有必要的。本文用溶胶凝胶和磁控溅射两种方法制备了透明导电AZO膜,并对其进行化学刻蚀和表面修饰,得到了兼具透明、导电与自洁性能于一体的AZO膜。通过分析制备工艺,优化实验条件,用XRD、SEM以及AFM等方法对AZO膜表面的结构和形貌进行测试,使用紫外可见分光光度计、四探针测试仪、接触角测试仪等测试光电性能以及自洁性能,并研究了表面形貌与光电性能及自洁性能之间的关系。采用溶胶凝胶法制备AZO薄膜时,提拉次数为12层时,性能最优,此时平均透过率达到87%,面电阻为3.56×10~3Ω/sq,AZO膜厚度约为665nm,表面颗粒大小均一、晶界清晰,方均根粗糙度仅为1.63nm。通过对AZO膜进行化学刻蚀和表面修饰以获得自洁功能,在刻蚀浓度0.5%,刻蚀时间20s条件下AZO薄膜综合性能较好,接触角为147.43°,面电阻为6.76×10~3Ω/sq,平均可见光透过率约为80%,此时方均根粗糙度为68.26nm。采用射频磁控溅射法制备透明导电AZO膜时,功率为200W时,性能最优,此时平均透过率达到80%左右,面电阻为0.55×10~3Ω/sq,得到的AZO膜厚度约为580nm,表面颗粒大小均一、晶界清晰,方均根粗糙度仅为2.13nm。与前同样的方法进行刻蚀和修饰,刻蚀时间30s时,AZO薄膜综合性能最好,AZO薄膜的接触角为138.90°,面电阻为1.97×10~3Ω/sq,平均可见光透过率大约为72%,方均根粗糙度为82.08nm。
|
全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 第1章 绪论 8-18 1.1 课题背景及研究目的和意义 8-9 1.2 掺铝氧化锌薄膜的研究现状 9-13 1.2.1 AZO 薄膜的结构 9 1.2.2 AZO 薄膜的性质 9-10 1.2.3 AZO 薄膜的应用 10-11 1.2.4 AZO 薄膜的制备方法 11-13 1.3 自洁仿生薄膜的研究现状 13-17 1.3.1 自洁仿生薄膜概述 13-15 1.3.2 自洁仿生膜的制备方法 15-17 1.4 本文主要研究内容 17-18 第2章 实验材料及研究方法 18-24 2.1 试验试剂及仪器 18-19 2.1.1 实验试剂 18 2.1.2 主要设备 18-19 2.2 实验流程 19 2.3 实验方法 19-21 2.3.1 玻璃的前处理工艺 19 2.3.2 透明导电 AZO 膜的制备 19-21 2.3.3 自洁 AZO 膜工艺研究 21 2.4 AZO 薄膜的测试表征方法 21-24 2.4.1 相组成分析 21-22 2.4.2 表面形貌分析 22 2.4.3 原子力显微镜分析 22 2.4.4 紫外-可见吸收光谱分析 22-23 2.4.5 面电阻测试 23 2.4.6 接触角测试仪 23-24 第3章 溶胶凝胶法制备 AZO 膜及其性能研究 24-41 3.1 引言 24 3.2 制备方法 24-27 3.2.1 溶胶凝胶法制备透明导电 AZO 膜 25-27 3.2.2 自洁 AZO 膜的制备 27 3.3 溶胶凝胶工艺研究 27-31 3.3.1 拉膜次数对结构和形貌的影响 27-29 3.3.2 拉膜次数对光电性能的影响 29-30 3.3.3 膜厚度测试及表面分析 30-31 3.4 化学刻蚀工艺研究 31-40 3.4.1 刻蚀浓度的影响 32-35 3.4.2 刻蚀时间的影响 35-40 3.5 本章小结 40-41 第4章 磁控溅射法制备 AZO 膜及其性能研究 41-54 4.1 引言 41 4.2 制备方法 41-43 4.2.1 磁控溅射法制备透明导电 AZO 膜 41-43 4.2.2 自洁 AZO 膜的制备 43 4.3 磁控溅射工艺研究 43-48 4.3.1 溅射功率对结构与形貌的影响 43-45 4.3.2 溅射功率对光电性能的影响 45-46 4.3.3 膜厚度测试及表面分析 46-48 4.4 化学刻蚀工艺研究 48-53 4.4.1 刻蚀时间的影响 48-53 4.5 本章小结 53-54 结论 54-55 参考文献 55-59 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 59-61 致谢 61
|
相似论文
- 基于离子刻蚀的石英晶振频率微调技术研究,TN752.2
- Ca9ZnLi(PO4)7陶瓷的电学性能、Eu3+离子的发光与微结构研究,TQ174.1
- O2流量及低频功率对SiCOH低k薄膜刻蚀性能的影响,TB383.2
- SiCOH低k薄膜沟槽的C2F6/O2/Ar双频等离子体刻蚀研究,TN405
- 无模板自组装法制备掺杂聚苯胺微/纳米结构与性能研究,TB383.1
- 光学器件表面防污除尘结构的设计与制备,TB383.1
- 砷化镓纳米线太阳能电池研究,TM914.4
- 轻合金表面超疏水涂层的制备与性能研究,TG174.44
- 化学刻蚀及溶胶—凝胶法制备具有纳米—微米混合结构的超疏水表面,TB383.1
- ZnO颜料的纳米改性及质子辐照损伤机理研究,TQ620.1
- SILAR法TiO_2沉积机理及其高表面积薄膜的制备与结构表征,TB383.2
- 圆平面磁控溅射靶的磁场优化及刻蚀模拟,TG174.4
- 绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备与表征,TB383
- PLD法制备BST铁电薄膜及其性质的研究,TM221
- MnCO_3掺杂对准同相界处0.94BNT-0.06BT无铅压电陶瓷结构和性能的影响,TM282
- 等离子体干法刻蚀低介电常数绝缘材料的主要问题与解决办法,TM215
- Mn掺杂Ga_2O_3薄膜的制备、结构和光学性能研究,O484.1
- 单分子水平上的量子点荧光性质和生物芯片研究,O471.1
- TiO_2几何结构、电子结构和光学性能的第一性原理研究,TN304.21
- 带光阻晶圆在湿法工艺中的干燥技术研究,TN405
- 电介质刻蚀设备生产效能提升研究,TN405
中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
© 2012 www.xueweilunwen.com
|