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一维碳化物纳米材料的植物模板法合成及其原位机电学性能研究
作 者: 李奕坪
导 师: 张文魁;陶新永
学 校: 浙江工业大学
专 业: 材料学
关键词: 碳化物纳米材料 光致发光 杨氏模量 电阻率 超级电容器
分类号: TB383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
碳化物纳米材料具有优越的物理化学性质,例如高化学稳定性、高硬度、强抗氧化腐蚀性、低电阻率等,在高温涂层、切割工具、超导、发光、复合材料增韧等方面都有良好的应用前景,是目前新材料领域的研究热点。目前碳化物纳米材料合成方法主要包括碳热还原法、等离子体烧结煅烧、溶剂热、溶胶凝胶、微波煅烧、自蔓延燃烧法等。但目前这些合成方法普遍存在工艺繁琐、成本较高等缺点。本论文以价格低廉、环境友好的天然植物纤维(竹纤维、针叶木、阔叶木、棉纤维等)同时作为碳源及模板,采用一步原位碳热还原法制备出了碳化硅、碳化钛、碳化钽等系列一维碳化物纳米材料,并对其生长机理、生长方向、微结构等进行了分析和研究。此外,对于碳化物纳米材料单体力学性能、单体电学性能、光致发光性能等进行了相应的测试和表征。本论文的主要内容可归结如下:1、利用天然植物纤维(针叶木、阔叶木、竹纤维、棉纤维等)同时作为碳源及模板,加入相应前驱体,于高温管式炉中在惰性气体保护下,采用一步原位碳热还原法制备出碳化硅、碳化钛和碳化钽等一维纳米材料。采用X-射线衍射仪(XRD),结合扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)等表征手段分析研究其形貌、晶体结构、生长方向、组分,分析影响其生长的工艺条件。2、对于合成出来的碳化硅纳米线,由于其特殊的光学性能,讨论其光致发光性能,利用波长为254 nm的光源去激发,在366 nm处有很强的激发峰,这与3c-SiC薄膜的蓝-绿冷发光相比,该SiC纳米线样品有明显的蓝移现象;对于合成出来的碳化钛纳米线材料,利用原子力显微镜原位三点弯曲法表征其单体力学性能,测得TiC纳米线材料的杨氏模量为394~468 Gpa,平均值为432±22 Gpa。同时,基于其优异的导电性,探索其在电化学超级电容器电极材料中的应用;对于合成出来的TaC纳米线材料,利用三点弯曲法测试单根TaC纳米线的力学性能,测试所得TaC纳米线的杨氏模量为298~451 Gpa,平均值为364.7±45.6 Gpa,和以等离子法烧结的TaC粉末材料(335~469 GPa)接近,高于文献报道的TaC块体陶瓷材料(283 Gpa),采用原位TEM移动探针法测得单根TaC纳米线的电阻率为63.6μ?·cm。基于TaC纳米线优异导电性,探索其在电化学超级电容器电极材料中的应用。
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全文目录
摘要 5-7 ABSTRACT 7-12 第一章 绪论 12-31 1.1 引言 12 1.2 纳米材料的特性 12-14 1.2.1 量子尺寸效应 13 1.2.2 小尺寸效应 13 1.2.3 表面效应 13 1.2.4 库伦阻塞效应 13-14 1.2.5 宏观量子隧道效应 14 1.3 一维纳米材料的特性、生长和应用 14-18 1.3.1 一维纳米材料的特性和应用 14-16 1.3.1.1 热稳定性 14-15 1.3.1.2 电子传输特性 15 1.3.1.3 光学特性 15 1.3.1.4 力学性能 15-16 1.3.1.5 电学性能 16 1.3.2 一维纳米材料的生长 16-18 1.3.2.1 气-液-固(VLS)生长机理 16-17 1.3.2.2 气-固(VS)生长机理 17-18 1.4 SiC的研究进展概述 18-23 1.4.1 SiC的结构及分类 18-19 1.4.2 SiC材料的基本性能 19-20 1.4.3 一维SiC纳米材料的合成方法 20-22 1.4.4 SiC纳米材料的光致发光性能研究 22-23 1.5 TiC的研究进展概述 23-25 1.5.1 TiC材料简介 23 1.5.2 TiC材料的用途 23-24 1.5.3 TiC纳米材料的主要合成方法 24-25 1.6 TaC的研究进展 25-26 1.6.1 TaC材料简介 25-26 1.6.2 TaC纳米材料的合成制备 26 1.6.3 TaC纳米材料的应用 26 1.7 超级电容器(EDLC)简介 26-28 1.7.1 超级电容器的特点和工作原理 26-27 1.7.2 超级电容器的电极材料 27-28 1.7.3 超级电容器的应用 28 1.8 论文选题目的以及研究内容 28-31 第二章 实验方法和实验仪器 31-38 2.1 实验药品 31 2.2 测试仪器 31-32 2.3 材料制备 32-33 2.3.1 碳化物纳米线合成方法 32-33 2.3.2 超级电容器的制备方法 33 2.4 材料测试表征 33-38 2.4.1 XRD测试 33-34 2.4.2 表面形貌分析 34 2.4.3 微结构分析 34 2.4.4 发光性能测试 34-35 2.4.5 电化学性能测试 35-38 2.4.5.1 恒流充放电法测试 35 2.4.5.2 循环伏安法测试 35-36 2.4.5.3 交流阻抗法测试 36 2.4.5.4 AFM原位三点弯曲法测试 36-37 2.4.5.5 TEM原位电学性能测试 37-38 第三章 SiC纳米线的合成、表征及应用 38-43 3.1 引言 38 3.2 SiC纳米线的合成 38-40 3.3 SiC纳米线的表征 40-42 3.4 SiC纳米线的光致发光性能研究 42 3.5 本章结论 42-43 第四章 TiC纳米线的合成、表征及其应用 43-52 4.1 引言 43 4.2 TiC纳米线的合成 43-44 4.2.1 材料准备 43-44 4.2.2 合成过程 44 4.2.3 TiC/C纳米复合材料电极的制备 44 4.3 TiC NWs纳米材料的表征 44-51 4.4 本章结论 51-52 第五章 TaC纳米线的合成、表征及其应用 52-62 5.1 引言 52-53 5.2 TaC纳米材料的合成 53-54 5.2.1 材料准备 53 5.2.2 TaC纳米材料的合成 53 5.2.3 超级电容器用TaC NWs/C纳米复合电极的制备 53-54 5.3 TaC纳米材料的表征 54-60 5.4 本章结论 60-62 第六章 结论 62-63 参考文献 63-71 附录Ⅰ 硕士期间完成的论文 71-72 附录Ⅱ 致谢 72
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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