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电沉积制备Ag/SnO_2薄膜及其对H_2和H_2S的响应
作 者: 王晓蓉
导 师: 王淑兰
学 校: 东北大学
专 业: 物理化学
关键词: 电沉积 Ag/SnO2 气敏性 响应 H2 H2S
分类号: O611.3
类 型: 硕士论文
年 份: 2008年
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内容摘要
SnO2是一种常见的电阻式半导体传感器,因其具有稳定性好、可检测气体种类多等优点而被广泛地应用在环境、安全、能源等领域。本实验采用电沉积的方法,用M273电化学测量系统,在以铂电极为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极和ITO导电玻璃为工作电极的三电极体系内,以SnCl2和柠檬酸钠的混合溶液作为电解质溶液,制备了Sn薄膜,通过在空气中高温氧化制得SnO2。将制备的SnO2薄膜置于AgNO3溶液中使用电沉积的方法在表面电沉积Ag,便可制备得到Ag/SnO2。用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析观察了SnO2薄膜的结构和形貌。研究了电解质溶液浓度,电沉积时间,沉积电压,氧化时间,氧化温度对Ag/SnO2薄膜的影响。通过正交实验得出最适宜的电沉积条件和氧化条件:电压为-1.0V,电解质溶液的浓度为7g/L,电沉积时间为5400s,氧化温度为600℃,氧化时间为10h。在上述条件下制备的SnO2膜为晶态结构,表面均匀且多孔,适合作为气敏性材料。XRD检测表明沉积产物经氧化后全部转变为SnO2。在掺杂Ag的过程中,电沉积Ag的条件为:电解质硝酸银溶液浓度为5g/L,沉积时间为600s,沉积电压为-1.4V,干燥Ag/SnO2薄膜的温度为200℃,时间为30 min。用自制的检测装置测试Ag/SnO2薄膜对H2和H2S气体的灵敏度,结果表明掺杂Ag提高了SnO2的灵敏度,不掺杂的SnO2在室温下不能检测H2,掺杂后对2000μg/g的H2的灵敏度为12。不掺杂的SnO2对H2在300℃时灵敏度最高,测定下限在100μg/g~200μg/g之间。掺杂后对H2的灵敏度在175℃时最高,检测限可以达到50μg/g。不掺杂的SnO2对H2S在250℃时灵敏度最高,测定下限为20μg/g, Ag/SnO2在120℃时对H2S响应灵敏度最高,最小检测到1μg/g。根据浓度和灵敏度的关系曲线可以发现,Ag/SnO2对气体的响应灵敏度随气体浓度的变化成线性关系,易于实现对有害气体的定量测定。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-10 第1章 绪论 10-24 1.1 引言 10 1.2 有害气体 10-11 1.3 气体传感器介绍 11-20 1.3.1 气体传感器的分类 12-13 1.3.2 气体传感器的特性 13-14 1.3.3 气体传感器的应用 14-15 1.3.4 SnO_2气体传感器 15-16 1.3.5 SnO_2的制备方法 16-17 1.3.6 SnO_2传感器的研究现状 17-20 1.4 SnO_2以及Ag/SnO_2薄膜传感器的机理 20-21 1.5 金属电沉积原理 21-22 1.5.1 简单金属离子的还原 21-22 1.5.2 金属络离子的还原 22 1.6 本课题研究的内容和意义 22-24 第2章 实验过程 24-30 2.1 实验原料与器材 24-25 2.2 SnO_2薄膜的制备 25 2.3 掺杂Ag的方法 25-26 2.4 Ag/SnO_2薄膜的表征 26 2.5 制备H_2S和H_2 26-28 2.6 检测H_2S和H_2 28 2.7 混合气体体积计算 28-30 第3章 膜的制备与表征 30-40 3.1 制备SnO_2薄膜 30-32 3.1.1 电沉积参数的优化 30 3.1.2 氧化温度与时间 30-32 3.2 掺杂Ag 32-40 3.2.1 掺杂方法 33 3.2.2 AgNO_3浓度 33-36 3.2.3 沉积电压 36-40 第4章 SnO_2和Ag/SnO_2传感器对H_2的响应 40-50 4.1 SnO_2传感器对H_2的响应 40-44 4.1.1 响应与温度的关系 40-41 4.1.2 浓度对响应的影响 41-44 4.2 Ag/SnO_2传感器对H_2的响应 44-50 4.2.1 响应与温度的关系 44-46 4.2.2 浓度对响应的影响 46-50 第5章 SnO_2和Ag/SnO_2传感器对H_2S的响应 50-60 5.1 SnO_2传感器对H_2S的响应 50-54 5.1.1 响应与温度的关系 50-52 5.1.2 浓度对响应的影响 52-54 5.2 Ag/SnO_2传感器对H_2S的响应 54-60 5.2.1 响应与温度的关系 54-57 5.2.2 浓度对响应的影响 57-60 第6章 结论 60-62 参考文献 62-66 致谢 66
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中图分类: > 数理科学和化学 > 化学 > 无机化学 > 化学元素与无机化合物 > 性质
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