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基于Stretch S5000的密集采样成像算法的实现
作 者: 潘钧儒
导 师: 史峥
学 校: 浙江大学
专 业: 电路与系统
关键词: 分辨率增强技术 密集采样成像算法 软件可配置处理器 Stretch S5000
分类号: TN402
类 型: 硕士论文
年 份: 2006年
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内容摘要
当集成电路的特征尺寸接近曝光系统的理论分辨率极限时,在硅圆片表面制造出来的图形相对于电路版图会有明显的畸变,这种现象通常称为光刻邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)。为减少光学邻近效应对集成电路技术发展的影响,工业界提出了光刻分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology,RET)。 分辨率增强技术的应用使得光刻用掩模图形日趋复杂,而掩模制造成本和制备时间也随之增加。由于光刻工艺包含了一系列复杂的物理和化学过程,分辨率增强技术本身很难保证其输出结果的正确性,因此在制造之前,利用计算机对已经过处理的版图作可制造性验证变得十分必要。 在这些可制造性检查技术中,有些问题只能通过密集采样成像算法才能被检查出来,然而由于计算量太大,基于密集采样成像算法的可制造性检查在实际应用中还有待改进。 本文在认真研究现有的密集采样成像算法的基础上,分析了影响密集采样成像算法计算量的主要环节,并对这些环节利用软件可配置处理器Stretch S5000进行了重点的算法优化处理。基于Stretch S5000的密集采样成像算法的实现,大大提高了算法的计算速度,使密集采样成像算法进一步走向实用。同时本文对Stretch S5000型软件可配置处理器进行了一个较为全面的介绍,基于它的密集采样成像算法的实现,也是对Stretch S5000如何在密集计算应用领域发挥高效作用的一次有意义的讨论。
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全文目录
摘要 2-3 ABSTRACT 3-4 目录 4-7 第一章 绪论 7-13 1.1 集成电路发展概况 7 1.2 集成电路设计方法 7-8 1.3 集成电路的生产工艺 8 1.4 超深亚微米下集成电路设计和制造的问题 8-10 1.4.1 超深亚微米电路设计对设计流程的影响 8-9 1.4.2 超深亚微米下集成电路制造工艺的问题 9-10 1.5 分辨率增强技术 10-11 1.5.1 光学邻近校正技术 10-11 1.5.2 移相掩模校正技术 11 1.6 论文组织 11-13 第二章 集成电路光刻工艺及光刻系统 13-21 2.1 光刻工艺 13-16 2.1.1 氧化层 13 2.1.2 涂胶 13-14 2.1.3 光刻机曝光 14-15 2.1.4 显影和烘干 15 2.1.5 蚀刻 15 2.1.6 旋转、清洗和干燥 15-16 2.1.7 各种工艺加工步骤 16 2.1.8 去除光刻胶 16 2.2 光刻系统描述 16-21 2.2.1 光刻基本原理 17 2.2.2 光刻基本理论 17-21 第三章 密集采样成像算法 21-26 3.1 可制造性检查 21-22 3.2 光刻建模 22-24 3.3 密集采样成像算法 24-26 3.3.1 建立频域形式的TCC 24 3.3.2 掩模图形的傅立叶变换 24-25 3.3.3 IFFT转换获得光强的空间分布 25-26 第四章 Stretch S5000软件可配置处理器 26-36 4.1 SoC发展概况 26-28 4.1.1 SoC的概念 26 4.1.2 传统 SoC设计面临的巨大压力 26-27 4.1.3 发展趋势 27-28 4.1.3.1 SoC设计的平台化 27 4.1.3.2 系统级硬件描述语言的发展 27-28 4.1.3.3 可配置成为 SoC开发趋势 28 4.2 Stretch S5000型软件可配置处理器 28-36 4.2.1 可配置平台 28-29 4.2.2 Stretch S5000型软件可配置处理器 29-36 4.2.2.1 S5000的结构和特点 29-30 4.2.2.2 S5000集成开发环境及软件开发流程介绍 30-32 4.2.2.3 用S5000软件加速开发的例子 32-36 第五章 基于 Stretch的加速算法实现 36-58 5.1 建立频域形式的TCC 36-38 5.2 掩模图形的Fourier变换 38-41 5.3 构建掩模区域伪光强频谱值 41-43 5.4 二维 FFT/IFFT的 Stretch实现 43-55 5.4.1 二维FFT计算方法 43-46 5.4.2 基于Stretch的一维FFT的实现 46-55 5.4.2.1 主要的数据结构以及函数定义 48 5.4.2.2 程序流程 48-49 5.4.2.3 码位倒置 49-50 5.4.2.4 构建查找表 50-51 5.4.2.5 蝶形结运算 51-54 5.4.2.6 FFT实现的几个问题以及解决方案 54-55 5.4.3 总结 55 5.5 获取空间域伪光强值 55-58 第六章 总结与展望 58-60 参考文献 60-62 致谢 62
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 设计
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