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RF MEMS压控电容理论优化和工艺研究
作 者: 韦嘉
导 师: 刘泽文
学 校: 清华大学
专 业: 电子科学与技术
关键词: 微机电系统 射频 压控电容 能量法 氧化多孔硅
分类号: TN42
类 型: 硕士论文
年 份: 2005年
下 载: 184次
引 用: 1次
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内容摘要
射频微电子机械系统(RF MEMS)技术在射频(RF)通信领域的应用正在得到广泛的重视。为了实现高性能的射频压控振荡器,需要大变容范围,高品质因数的压控电容器件。利用静电驱动的RF MEMS压控电容成为了人们研究的一个热点。本文对采用两侧下拉电极(SPEC)的MEMS压控电容,在电学和力学两方面性能进行了理论建模,分析了各种设计参数、工艺参数与材料参数对器件的影响,并在此基础上对SPEC MEMS压控电容进行了工艺设计、流水和测试,得到了高性能的MEMS压控电容器件。论文首先介绍了SPEC MEMS压控电容的设计思想和工作原理,并用有限元分析(FEA)软件对器件进行了力学性能仿真,验证了设计思想。为了能够实现对器件几何参数的优化设计,论文针对SPEC MEMS压控电容的力学结构,建立了力学性能模型。模型计算结果与有限元分析软件吻合的很好。根据此模型,我们分析了各种参数对器件力学性能的影响,并给出了优化方法。论文接着给出了SPEC MEMS压控电容的电学模型,并根据该模型分析了各种寄生因素对器件微波性能的影响,并引入了ADS的momentum RF工具对压控电容的电学特性进行了模拟和分析。获得了电学模拟和设计结果。论文对实现高性能SPEC MEMS压控电容的关键工艺进行了研究。包括用于低损耗隔离衬底的氧化多孔硅层制备方法;聚酰亚胺牺牲层材料的制备、刻蚀和释放工艺;Al薄膜悬空极板和Al/SiON复合薄膜悬空极板的制备。论文高阻硅衬底和氧化多孔硅衬底分别进行了器件制作研究,认为两种衬底均能有效的削弱衬底寄生效应导致品质因数的恶化。高阻硅衬底上制作的器件品质因数可达到30@3GHz,而氧化多孔硅上的器件品质因数高达45@4GHz。最后,论文给出了测量结果。在高阻硅衬底上利用铝材料作为可动极板,得到的器件电容初始值为0.425pF@2GHz,最大品质因数为30@3GHz, 50V控制电压下,具有0.18pF的可控变容量,变化比例为42%。采用Al/SiON复合薄膜制作的器件,具有0.458pF@2GHz的初始电容值,最大品质因数为18@4GHz,40V下具有约0.6pF的变容量,变化范围为130%,寿命超过了1百万次。
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全文目录
第1章 引言 8-16 课题的背景与目的 8-14 本研究的内容和本论文的安排 14-16 第2章 SPEC MEMS 压控电容的FEA 方法仿真与分析 16-26 SPEC MEMS 电容的结构与工作原理 16-19 SPEC MEMS 压控电容的有限元分析 19-24 本章小结 24-26 第3章 SPEC MEMS 压控电容力学结构的能量法分析与优化 26-44 SPEC MEMS 电容的力学分析能量法模型 26-32 能量法计算结果的验证 32-34 各种参数对SPEC MEMS 压控电容的影响 34-40 SPEC MEMS 电容力学结构的设计优化 40-43 本章小结 43-44 第4章 SPEC MEMS 压控电容的电学设计与仿真 44-62 MEMS 压控电容的电学等效电路及其计算 44-57 MEMS 压控电容的软件仿真 57-60 MEMS 压控电容电学性能的计算、仿真结果的对比与讨论 60-61 本章小结 61-62 第5章 SPEC MEMS 压控电容的工艺设计与流水 62-88 SPEC MEMS 压控电容关键工艺研究 62-80 SPEC MEMS 压控电容的版图、工艺流程与经验 80-85 氧化多孔硅上制作的SPEC MEMS 压控电容的掩膜要求 85-87 本章小结 87-88 第6章 SPEC MEMS 压控电容的测试结果与讨论 88-105 铝薄膜可动极板SPEC MEMS 电容的器件性能测试 88-93 复合薄膜可动极板SPEC MEMS 电容的器件性能测试 93-96 不同衬底SPEC MEMS 电容的电学性能比较 96-99 SPEC MEMS 压控电容的结构参数与力学性能分析 99-103 本章小结 103-105 第7章 结论 105-107 论文工作的主要内容 105-106 论文工作的创新点和主要成果 106 对进一步研究工作的展望 106-107 参考文献 107-110 致谢 110 声明 110-111 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 111 个人简历 111 发表的学术论文 111
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 微模组件
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