学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
集成波导转弯微镜型阵列波导光栅的研制
作 者: 贾科淼
导 师: 杨建义
学 校: 浙江大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 阵列波导 直波导 微镜 弯曲波导 波分复用器件 硅材料 脊型波导 平面光波导器件 器件结构 芯片尺寸
分类号: TN25
类 型: 硕士论文
年 份: 2005年
下 载: 101次
引 用: 2次
阅 读: 论文下载
内容摘要
光波分复用器件是密集波分复用(DWDM: Dense Wavelength Division Multiplexing)系统的核心器件之一。现有的可以实现波分复用功能的器件结构有多种,如多层介质薄膜滤波器(MDTFF: Multiple Dielectric Thin Film Filter),光纤布拉格光栅(FBG: Fiber Bragg Grating),阵列波导光栅(AWG: Arrayed Waveguide Grating)等。其中,阵列波导光栅AWG以其出色的性能特点在光波分复用器件中具有重要的地位,尤其在多通道数(如40通道以上)时的器件结构选择中,AWG占有绝对优势。而硅材料不仅是微电子与微机电系统(MEMS: Micro-Electro-Mechanical-System)的基础材料,同时也凭借着出色的光电特性成为集成光学的主要材料之一。本文便是要研究基于绝缘体上的硅材料的AWG。 弯曲波导是平面光波导器件中不可缺少的结构单元。尤其是在AWG的设计中,阵列波导部分几乎不可避免的都采用弯曲波导来实现。然而由于SOI上弯曲波导的曲率半径较大,基于SOI材料的AWG芯片尺寸很难做小。论文将集成波导转弯微镜(IWTM: Integrated Waveguide Turning Mirror)引入到AWG的设计,用直波导集成转弯微镜的结构代替传统AWG中的弯曲波导,组成器件的阵列波导部分,成功减小了器件的尺寸。 论文首先归纳了SOI脊型波导的性质,包括脊型波导单模条件,有效折射率,弯曲波导损耗,波导-波导耦合,波导-光纤耦合,偏振相关特性等。同时,论文也对基于SOI材料的集成波导转弯微镜的结构及损耗、偏振特性作了总结。 文中采用传统AWG设计方法确定了SOI上IWTM-AWG的结构参数。特别地,对IWTM-AWG的阵列波导部分的结构进行了细致的设计。该设计不仅满足了相邻阵列波导长度差相等,同时也保持了器件的对称性。论文从损耗,偏振相关性和串扰三方面对这一设计展开了详细的计算和分析讨论,并结合工艺实验,设计了器件版图,其中阵列波导部分的绘制采用了Matlab编程的方法,大大减小了错误几率。 本文对工艺中的关键步骤做了实践和总结,优化了工艺参数。通过对器件进行加工,测试,最终研制出基于SOI材料的1×8 IWTM-AWG。器件的片内损耗在10dB以内,通道间串扰-23dB。3dB带宽0.25nm,通道间隔1.58nm,偏振相关中心波长漂移0.068nm。从目前的实验结果来看,器件的尺寸确实得以明显的
|
全文目录
摘要 5-7 Abstract 7-9 第一章 绪论 9-28 §1.1 引言 9-10 §1.2 DWDM技术的历史与未来 10-13 §1.3 光波分复用/解复用器的发展现状 13-18 §1.3.1 多层介质薄膜波分复用器件MDTFF 14-15 §1.3.2 光纤布拉格光栅FBG型波分复用器件 15-16 §1.3.3 阵列波导光栅AWG型波分复用器件 16-18 §1.4 平面光波导技术的主要材料 18-23 §1.4.1 二氧化硅材料(Silica) 18-19 §1.4.2 铌酸锂材料(LiNbO_3) 19-20 §1.4.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物材料 20 §1.4.4 聚合物材料(Polymer) 20 §1.4.5 绝缘体上的硅材料(SOI) 20-23 §1.5 本文的工作 23-28 §1.5.1 本文的意义 23 §1.5.2 其余章节内容安排 23-28 第二章 SOI脊型波导及集成波导转弯微镜 28-42 §2.1 脊型波导单模条件及有效折射率的计算 28-31 §2.1.1 脊型波导单模条件 28-30 §2.1.2 脊型波导有效折射率的计算 30-31 §2.2 SOI材料上脊型波导损耗分析 31-35 §2.2.1 SOI材料上脊型波导弯曲损耗 31-32 §2.2.2 脊型波导与平板波导的过渡损耗 32-33 §2.2.3 脊型波导与光纤间的耦合损耗 33-35 §2.2.3.1 菲涅耳反射损耗 33-34 §2.2.3.2 波导与光纤的模式失配损耗 34-35 §2.3 集成波导反射微镜IWTM 35-38 §2.3.1 镜面粗糙度R_Q对反射损耗的影响 36-37 §2.3.2 镜面大小对反射损耗的影响 37 §2.3.3 镜面中心与波导中心的相对平移(d)对反射损耗的影响 37-38 §2.3.4 镜面与波导的角度偏移对反射损耗的影响 38 §2.4 SOI脊型波导及IWTM的偏振特性 38-40 §2.5 本章小结 40-42 第三章 集成转弯微镜的阵列波导光栅的设计 42-65 §3.1 传统阵列波导光栅的设计方法 42-45 §3.2 AWG各种性能参数的优化 45-50 §3.2.1 降低AWG插入损耗的方法 45-47 §3.2.2 AWG串扰因素及降低串扰的方法 47 §3.2.3 消除AWG偏振效应的常用方法 47-49 §3.2.4 AWG滤波谱线的平坦化 49-50 §3.3 SOI上IWTM-AWG的设计与分析 50-62 §3.3.1 IWTM-AWG的结构及设计 51-56 §3.3.1.1 IWTM-AWG基本结构参数的确定 52-53 §3.3.1.2 IWTM-AWG阵列波导部分结构参数的确定 53-56 §3.3.2 阵列波导部分对IWTM-AWG性能的影响 56-62 §3.3.2.1 集成IWTM的阵列波导对器件损耗的影响 56-58 §3.3.2.2 集成IWTM的阵列波导对器件偏振相关性的影响 58-60 §3.3.2.3 集成IWTM的阵列波导对器件串扰的影响 60-62 §3.4 本章小结 62-65 第四章 IWTM-AWG的制作,测试及结果分析 65-77 §4.1 基础工艺研究 65-73 §4.1.1 光刻 65-68 §4.1.1.1 版图绘制 66-67 §4.1.1.2 光刻工艺 67-68 §4.1.2 电感耦合等离子体刻蚀ICP 68-71 §4.1.3 端面研磨抛光 71-73 §4.2 芯片的测试及结果讨论 73-75 §4.3 本章小结 75-77 第五章 总结 77-80 致谢 80
|
相似论文
- MEMS圆片级芯片尺寸封装研究,TN405
- 功率载荷下叠层芯片尺寸封装热应力分析,TN405
- 新型红色荧光材料DCJTB和绿光荧光材料Alq_3的合成方法及工艺优化,TB34
- 相变存储器的热分析以及结构设计,TP333
- 0.13μm EEPROM器件测试分析,TP333
- BCD电路器件结构的计算机辅助设计,TN386
- 有机电致发光器件的制备工艺研究及器件结构优化,TN383.1
- 锑化物热光伏电池材料的MOCVD生长特性研究及其器件模拟,TN304.05
- 脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究,TN248.4
- 倒脊型有源波导研究,TN252
- 半导体环形激光器的研究,TN248
- 不同孔径的介孔氧化硅对核酸的负载和释放,TB383.4
- 大孔SiO_2材料的制备及其功能化,O613.72
- 洛阳硅材料光伏产业发展战略研究,F426.6
- 无机非金属陶瓷换热器材料的制备与应用,TQ051.5
- 基于手性四氢吡咯—三唑骨架的功能材料的合成、表征及催化性能研究,O626.13
- 含钛有序介孔纳米复合材料的合成与应用,TB383.1
- 大孔陶瓷电极的制备及其电化学性能研究,TB383.1
- 巯基修饰的核壳式磁性二氧化硅材料的制备及对重金属的去除,X703
- 柔性有机硅树脂的合成及改性,TQ324.21
中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 波导光学与集成光学
© 2012 www.xueweilunwen.com
|