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脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究

作　者: 杜石磊
导　师: 曲轶
学　校: 长春理工大学
专　业: 光学
关键词: 980单模半导体激光器脊型波导阈值电流量子阱
分类号: TN248.4
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
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内容摘要

现如今,因为半导体激光器的应用越来越广泛,所以人们对激光器的特性要求也就越来越多。由于脊型波导形状对激光器的输出特性有着很大的影响的,所以本论文就脊型波导形状对激光器的影响作出研究。本论文首先对半导体激光器的结构、原理和发展史进行了综述。接着理论分析了量子阱激光器的外延结构以及激光器的一些主要特性,设计并制作了大光腔的腔长750μm、脊宽为4μm,脊高为0.7μm和0.8μm的两种脊型量子阱激光器,最后分别对两种激光器的光电(P-I)特性和光学特性进行测试,脊高为0.8μm的激光器的阈值电流为14.5mA,在注入电流为100mA下激光器连续输出功率为80mW,垂直发散角为27.5°,水平发散角为8.4°,激光器最大斜率效率为0.8W/A。脊高为0.7μm的激光器的阈值电流为17mA,在注入电流为100mA下激光器连续输出功率为70mW。激光器最大斜率效率为0.75 W/A,垂直发散角为27.9°,水平发散角为9°。然后对两种激光器的输出特性差异进行研究分析得出,腐蚀深度是对脊型量子阱激光器的阈值电流和水平发散角有着影响的。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章引言  7-12
  1.1 半导体激光器的基本结构与工作原理  7-9
  1.2 半导体激光器发展史  9-11
  1.3 本论文主要工作内容  11-12
第二章脊型量子阱半导体激光器的结构设计和理论分析  12-31
  2.1 980nm脊型半导体激光器外延结构设计的理论基础  12-22
  2.2 980nm脊型量子阱半导体激光器中的量子阱的设计  22-25
  2.3 脊型波导量子阱半导体激光器的结构优化设计  25-31
第三章 MOCVD生长980nm脊型量子阱半导体激光器及器件制备  31-44
  3.1 MOCVD技术介绍  31-35
  3.2 对生长的外延芯片进行测试  35-38
  3.3 980nm脊型量子阱半导体激光器制备后工艺流程  38-44
第四章输出特性研究  44-49
  4.1 脊型量子阱半导体激光器光电测试与分析  44-46
  4.2 脊型量子阱半导体激光器光学特性测试与分析  46-49
总结  49-50
致谢  50-51
参考文献  51-52

脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究

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