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CaCu_3Ti_4O_(12)介电陶瓷的制备与性能研究
作 者: 李熹
导 师: 李翠伟
学 校: 北京交通大学
专 业: 材料学
关键词: CCTO 纯度 气氛 放电等离子烧结 介电常数
分类号: TQ174.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
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内容摘要
本论文采用固相反应法制备CaCu3Ti4O12 (CCTO)陶瓷材料,合成了CCTO并制备了陶瓷。研究了纯度、气氛对材料结构和性能的影响。同时利用放电等离子烧结法制备CCTO陶瓷材料,并研究不同烧结温度、升温速率、保温时间及煅烧粉体气氛烧结制备的CCTO陶瓷的介电性能和显微镜结构。实验表明合成CCTO粉体的纯度越高,制备CCTO陶瓷材料越致密,介电常数越高,介电损耗越低。实验证明在流动气氛烧结制备的材料晶粒较大,介电损耗更小,具有更高的密度。空气合成粉体在空气中烧结制备的CCTO陶瓷1000Hz下的介电常数达到了6000以上,介电损耗仅为0.143。通过阻抗谱和等效电路分析,证明经放电等离子烧结的CCTO陶瓷具有半导化晶粒和晶界是导致材料的高介电常数的原因,SPS烧结温度为760℃,20MPa压力条件下,保温时间为3min,制备出的CCTO陶瓷1000Hz下介电常数达到600000。
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全文目录
致谢 5-6 中文摘要 6-7 ABSTRACT 7-8 序 8-11 1 引言 11-17 1.1 电介质材料的基本概念和高介电常数材料 11-13 1.1.1 电介质 11 1.1.2 介电常数 11-13 1.1.3 介电损耗 13 1.2 CaCu_3Ti_4O_(12)材料的性质及研究现状 13-16 1.3 本课题的研究意义及目的 16-17 2 实验内容和研究方法 17-21 2.1 实验原料及CCTO陶瓷的制备 17-18 2.1.1 实验原料 17 2.1.2 制备过程 17-18 2.2 CCTO陶瓷的物相与结构表征 18-19 2.2.1 物相分析 19 2.2.2 显微结构观察 19 2.3 CCTO陶瓷的性能测试 19-20 2.3.1 密度测试 19 2.3.2 介电常数和介电损耗的测定 19-20 2.3.3 阻抗谱分析 20 2.4 实验设备和仪器 20-21 3 纯度对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 21-29 3.1 不同纯度CCTO粉体的合成 21-23 3.2 粉体纯度对CCTO陶瓷相组成的影响 23 3.3 粉体纯度对CCTO陶瓷性能的影响 23-26 3.3.1 粉体纯度对CCTO陶瓷密度的影响 24 3.3.2 粉体纯度对CCTO陶瓷介电性能的影响 24-26 3.4 粉体纯度对CCTO陶瓷显微结构的影响 26-28 3.5 小结 28-29 4 气氛对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 29-50 4.1 空气、氧气和真空气氛下CCTO粉体的预煅烧 29-34 4.1.1 空气中合成粉体 29-30 4.1.2 氧气中合成粉体 30 4.1.3 真空中合成粉体 30-31 4.1.4 晶格常数分析计算 31-34 4.2 在空气和氧气中烧结制备CCTO陶瓷 34-38 4.2.1 不同气氛CCTO陶瓷的密度 34 4.2.2 不同气氛烧结陶瓷的物相分析 34-36 4.2.3 晶格常数计算 36-38 4.3 不同气氛制备的CCTO陶瓷材料的介电性能 38-47 4.3.1 合成粉体气氛对材料介电性能的影响 38-44 4.3.2 烧结气氛对材料介电性能的影响 44-47 4.4 不同气氛制备的CCTO陶瓷材料的显微结构 47-49 4.5 小结 49-50 5 放电等离子烧结制备CCTO的结构和性能 50-68 5.1 不同烧结条件下材料的收缩过程 50-53 5.1.1 烧结温度对材料烧结收缩的影响 50-52 5.1.2 保温时间对材料烧结收缩的影响 52 5.1.3 升温速率对材料烧结收缩的影响 52-53 5.2 不同烧结条件下CCTO陶瓷的相组成 53-56 5.3 不同烧结条件下CCTO陶瓷的结构与性能 56-67 5.3.1 烧结温度对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 56-61 5.3.2 保温时间对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 61-63 5.3.3 升温速率对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 63-64 5.3.4 预煅烧合成气氛对CCTO陶瓷材料结构和性能的影响 64-67 5.4 小结 67-68 6 结论 68-69 参考文献 69-71 附录A 71-72 索引 72-73 作者简历 73-75 学位论文数据集 75
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中图分类: > 工业技术 > 化学工业 > 硅酸盐工业 > 陶瓷工业 > 基础理论
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