学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
高性能高温压电陶瓷的研究
作 者: 赵丽艳
导 师: 刘景和;李国荣
学 校: 长春理工大学
专 业: 材料物理与化学
关键词: 高居里温度 压电陶瓷 BMT-PT陶瓷 BMN-PT陶瓷 镧掺杂 铁掺杂 锰掺杂 阻抗谱
分类号: TM282
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
下 载: 224次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
内容摘要
本文针对高使用温度、高性能的高温钙钛矿结构压电陶瓷材料非常少,但是其应用越来越广泛,研究了钙钛矿结构高温压电陶瓷材料(以改性钛酸铅压电陶瓷为主)的制备与表征。本文所涉及的材料制备过程均是采用传统的固相反应法。首先,对Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3体系进行A位的镧掺杂(部分取代Bi)和MnO2掺杂。适量La掺杂仍能得到纯钙钛矿相;随着镧掺杂量的增加,晶粒尺寸变小且更均匀,居里温度以及居里点处的介电常数峰值逐渐降低,曲线呈现宽化趋势,介电异常现象逐渐消失;当PbTiO3含量相同时,随着La掺杂量的增加,矫顽场和剩余极化强度均降低;对于不同PbTiO3含量的组分,压电性能变化呈现出不同的规律。MnO2掺杂对其相结构无影响,有利于陶瓷的烧结和晶粒的长大;提高居里温度(高于600℃),降低介电常数的峰值,大幅度降低了矫顽场、剩余极化强度及压电性能(6pC/N)。其次,对Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3体系进行B位铁掺杂,部分取代Mg和Ti的位置。铁掺杂降低四方度;介电温谱表明:随着频率的升高,介电常数减小,介质损耗增大,提高了该体系部分组分的居里温度;室温下电滞回线表明:降低了矫顽场和剩余极化强度,且始终不能达到饱和状态;120℃得到电滞回线说明随着PbTiO3含量的增加,矫顽场和剩余极化强度也降低,但是此时能达到饱和状态;经过去极化处理证明B(MT)0.95F0.05-0.39PT,B(MT)0.90F0.10-0.37PT,B(MT)0.90F0.10-0.39PT样品,在退极化温度达到420℃时,仍具有良好的压电性能(大于150pC/N);压电响应像表明样品的畴结构呈指纹形状,且随着PbTiO3含量的增加,畴尺寸逐渐减小;阻抗谱表明随着测试温度的升高,材料的阻抗逐渐减小,晶界和晶粒电阻对电阻的贡献相同。最后,成功制备出(1-x)Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-xPbTiO3体系不同组分陶瓷,XRD图谱表明,x≥0.7时为四方相,当x<0.6时为三方相,则该体系的相界在x=0.6附近;介电温谱表明当x≥0.7时,属于弥散型相变;当x=0.6,0.5时,属于频率色散,随着PbTiO3含量的减少,介电常数和介电损耗峰值不断宽化且峰值随频率增加而减小,峰位向低温区方向移动;x=0.9和x=0.5的组分属于二级相变铁电体;x=0.8,0.7,0.6的组分,属于一级相变铁电体;根据弥散性指数确定了各组分的弥散度随着PbTiO3含量的增加而减小;样品阻抗随温度的升高而降低,测试频率大于0.6kHz或6kHz时,阻抗趋于稳定。随着PbTiO3含量的增加,晶粒对电阻的作用逐渐增强,当x=0.5时,晶界对电阻的贡献已经消失;压电响应像表明样品BMN-0.8PT的90°畴结构呈条状分布,明暗相间有序排列,宽度大约为0.5um,其他样品的畴结构呈指纹状分布。
|
全文目录
摘要 4-5 ABSTRACT 5-7 目录 7-8 第一章 文献综述 8-25 1.1 引言 8-9 1.2 压电陶瓷概述 9-19 1.3 PT基压电陶瓷 19-20 1.4 高温压电材料简介 20-23 1.5 本文研究目的、内容和意义 23-25 第二章 实验过程 25-28 2.1 实验的原料 25 2.2 样品的制备 25 2.3 样品表征与性能测试 25-28 第三章 A位La取代和Mn掺杂对BMT-PT陶瓷结构和性能的影响 28-39 3.1 序言 28 3.2 A位La取代对BMT-PT陶瓷结构和性能的影响 28-34 3.3 MnO_2掺杂对BMT-0.37PT陶瓷的结构和性能的影响 34-38 3.4 本章小结 38-39 第四章 B位Fe取代对BMT-PT陶瓷结构和性能的影响 39-55 4.1 序言 39 4.2 B位Fe取代对BMT-PT陶瓷结构和性能的影响 39-54 4.4 本章小结 54-55 第五章 BMN-PT陶瓷的结构和性能的研究 55-73 5.1 序言 55-57 5.2 结构表征 57-58 5.3 介电性能 58-64 5.4 铁电性能 64-66 5.5 压电性能 66-67 5.6 交流阻抗谱 67-70 5.7 畴结构表征 70-72 5.8 本章小结 72-73 结论 73-75 致谢 75-76 参考文献 76-80 附录 80
|
相似论文
- 压电陶瓷驱动器迟滞补偿方法研究,TM282
- 压电驱动微工作台的控制与校正技术研究,TP273
- CopC、BSA与Cu(Ⅱ)、Cu(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、Ag(Ⅰ)相互作用的电化学研究,O646
- PSN-PZT压电陶瓷低温烧结研究,TM282
- 医学超声成像压电换能器探头的研究,TN384
- 抗铬毒化、高性能固体氧化物燃料电池阴极材料研究,TM911.4
- 光纤连接器端面检测干涉仪的研制,TN253
- 基于ARM的大行程精密工作台控制系统,TP273
- 微生物燃料电池处理苯胺和硝基苯废水的研究,TM911.4
- 基于电压控制的毫米波磁控管调谐方式研究,TN123
- 自制改性TiO_2可见光降解亚甲基蓝的研究,X13
- 基于微小电加工的微进给控制策略研究,TG661
- 基于嵌入式技术的精密进给工作台控制系统研究与应用,TG580.23
- La、Ce掺杂对氧化铁纳米颗粒相变及表面吸附行为的影响,TB383.1
- 高性能掺镧锆钛酸铅压电陶瓷制备工艺研究,TQ174.6
- 二氧化锰超级电容器电极材料的研究,O614.711
- Li~+掺杂KNN与Ba~(2+)掺杂BNT复合陶瓷的制备及电学性能研究,TM282
- 高性能PZN-PLZT压电陶瓷的研究,TM282
- 压电陶瓷层合梁非线性动力学特性与控制研究,TM282
- KNN基无铅压电陶瓷的制备及其性能研究,TM282
- 飞机加筋壁板结构压电主/被动控制系统的研究,V227
中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 电工材料 > 电工陶瓷材料 > 压电陶瓷材料
© 2012 www.xueweilunwen.com
|