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TrenchCoolMOS终端结结构设计和实现

作　者: 周乐
导　师: 黄其煜；龚大卫
学　校: 上海交通大学
专　业: 集成电路工程
关键词: 功率器件 Trench CoolMOS 击穿电压 复合缓冲层 终端结
分类号: TN386.1
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
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内容摘要


随着现代功率集成电路的发展,对功率器件的性能提出了更高要求。希望此类功率器件具有较高的击穿电压能力、低的导通电阻、高的工作频率、低自热效应以及较好的器件隔离性。本文介绍的Trench CoolMOS器件就是一种能够有效降低产品导通电阻,并且具有较大电流处理能力的功率器件。而且Trench CoolMOS大大简化了普通CoolMOS的制造流程,降低了制造成本。本文的主要研究内容: 1研究Trench CoolMOS在工艺上实现方法。通过Trench工艺来生成PN复合缓冲层,代替原来CoolMOS工艺通过多次生长外延来实现PN复合缓冲层。可以明显简化制造工艺,降低制造成本。2研究不同Trench CoolMOS的终端结结构(Termination),对器件的击穿电压的影响。Trench CoolMOS的终端结结构对击穿电压是有影响的。因此,本文从工艺上改变终端结结构,如从图形设计的角度上:改变沟槽(Trench)宽度和沟槽的间距,可以获得不同的击穿电压;从工艺制造的角度上,改变沟槽的深度,或者改变沟槽的填充介质等方法,也会得到不同的击穿电压。通过研究,得到这些参数与击穿电压的关系,最终得到560V以上击穿电压的器件。

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件
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