学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

0.25微米CMOS工艺中多级栅极氧化层完整性的技术研究

作　者: 商智渊
导　师: 郑国祥；龚大卫
学　校: 复旦大学
专　业: 材料工程
关键词: 栅极氧化层可靠性击穿电压光照效应二氧化硅
分类号: TN386
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 24次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

超大规模集成电路(ULSI)发展至今,可靠性问题越来越突出和受到重视。可靠性测试分析的目的在于提高ULSI的质量和可靠性水平,分析所得数据将向电路的设计者和制造商提出旨在消除影响芯片性能因素的合理化建议,并且向用户指出正确合理的使用方法和维护条件。栅氧化层作为MOS晶体管的栅介质,它的品质的好坏直接影响晶体管的各项特性,包括开启电压Vt,击穿电压等,另外它对晶片的合格率和可靠性影响也很大,极小量的缺陷都可能显著降低集成电路的合格率和可靠性。传统的单一栅氧厚度所能提供的器件己无法满足芯片多样化的需求,多栅氧工艺(multiple gate oxide)在混合信号CMOS及FLASH流程中得到了广泛的应用,给栅氧工艺的可靠性带来了新的问题。本论文工作基于0.25um以下的线宽世代工艺,以深亚微米技术来实现多厚度栅氧器件在同一个芯片上的集成,研究由于多级栅氧CMOS工艺造成的栅极氧化层完整性(GOI)问题,和可靠性测试出现的问题,进而研究其诱发机理及其工艺的改进方法。论文中还对硅氧化原理及栅极氧化层完整性(GOI)的可靠性相关问题进行了阐述,并联系实践,着重对电荷影响氢氟酸腐蚀特性,通过光照来释放晶圆上聚积的电荷,从而改善栅极氧化层完整性的问题进行了各种实验验证及讨论。确定了最合适的光照条件,为改善栅极氧化层完整性的可靠性引入了新的技术和工艺。论文工作结果己应用于企业的0.25um嵌入式快闪芯片的生产实践中。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-6
第一章引言  6-22
  第一节课题背景  6-9
  第二节产品可靠性  9-15
  第三节嵌入式闪存记忆体  15-18
  第四节失效分析  18-20
  第五节本论文工作介绍  20-22
第二章栅氧化工艺的基本原理  22-31
  第一节硅氧化的原理  22-24
  第二节栅氧化工艺的加工设备和加工过程  24-27
  第三节栅氧化的特性  27-30
  第四节本章小结  30-31
第三章 GOI测试方法及相关理论的研究  31-50
  第一节栅氧化层击穿模式  31-34
  第二节栅氧化层的击穿分类与测试结构  34-38
  第三节栅氧化层的测试方法与失效判定  38-44
  第四节栅氧化层的数据分析  44-49
  第五节本章小结  49-50
第四章 CMOS工艺中多栅氧的GOI改进  50-63
  第一节多栅氧CMOS工艺的特点及存在的问题  50-55
  第二节实验计划与结果  55-58
  第三节数据分析与失效机理  58-61
  第四节改善措施  61-62
  第五节本章小结  62-63
第五章总结  63-64
参考文献  64-65
致谢  65-66

0.25微米CMOS工艺中多级栅极氧化层完整性的技术研究

内容摘要

全文目录

相似论文