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脉冲激光沉积氮化硅薄膜的工艺研究
作 者: 张磊
导 师: 周建
学 校: 武汉理工大学
专 业: 材料物理与化学
关键词: 脉冲激光沉积 氮化硅薄膜 折射率 工艺
分类号: TB383.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 58次
引 用: 1次
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内容摘要
氮化硅薄膜是一种具有十分优良的物理化学性质的介质膜,具有优良的化学稳定性,高电阻率,良好的绝缘性和光学性能,广泛地应用于半导体器件、微电子工业、光电子工业和太阳能电池等方面。目前,氮化硅薄膜的制备方法主要有低压化学气相沉积(LPCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。脉冲激光沉积(PLD)是近些年来发展起来的先进的薄膜制备技术,与其他方法相比,脉冲激光沉积具有沉积温度低、工艺参数方便调节、污染小、沉积速率相对较高且易制备成分复杂的薄膜等优点,因此,PLD可在较低温度下沉积性能良好的氮化硅薄膜。本论文利用脉冲激光沉积技术,以高纯α-Si3N4为靶材,在不同的氮气压力、基片温度以及脉冲能量下,在p型单晶Si(100)基片上沉积氮化硅薄膜,然后在15Pa高纯N2中于600℃下对沉积的薄膜进行退火处理,用X射线衍射(XRD)对薄膜的结晶质量进行了分析,用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的表面形貌进行了表征,利用椭偏膜厚仪对薄膜的膜厚和折射率进行了测试,讨论了氮气压力、基片温度、脉冲能量、退火等条件对PLD制备氮化硅薄膜的影响。实验结果表明,利用PLD技术制备氮化硅薄膜中,氮气压力的升高可以显著改善氮化硅薄膜的表面质量,基片温度对氮化硅薄膜的成分有很大影响,脉冲能量对薄膜的性能也有一定的影响,15Pa N2中600℃退火30min并不能明显改善氮化硅薄膜的质量。本文通过对氮化硅薄膜的结构、成分及表面形貌等的分析,找到了生长氮化硅薄膜的优化工艺,得到了较高质量的氮化硅薄膜。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 第1章 绪论 8-16 1.1 氮化硅薄膜的性质及应用 8-11 1.1.1 氮化硅的晶体结构 8-9 1.1.2 氮化硅薄膜的基本特性 9 1.1.3 氮化硅薄膜材料的应用 9-11 1.2 氮化硅薄膜的制备方法 11-15 1.2.1 直接氮化法 11 1.2.2 物理气相沉积 11-13 1.2.3 化学气相沉积 13-15 1.3 本课题的研究目的及研究内容 15-16 第2章 PLD技术的原理及研究现状 16-24 2.1 PLD的发展历程及研究现状 16 2.2 PLD技术的基本原理 16-21 2.2.1 激光与靶材相互作用 17-18 2.2.2 等离子体的定向局部等温绝热膨胀 18-19 2.2.3 等离子体与基片相互作用成膜 19-21 2.3 PLD技术的优缺点 21-22 2.4 PLD技术的应用 22-24 2.4.1 高温超导薄膜 22 2.4.2 金刚石和类金刚石薄膜 22 2.4.3 半导体薄膜 22-23 2.4.4 铁电薄膜 23-24 第3章 实验方案及表征手段 24-34 3.1 实验仪器及设备 24-26 3.2 实验原料准备 26-27 3.2.1 靶材 26-27 3.2.2 基片选择及预处理 27 3.3 实验参数选择 27-29 3.3.1 氮气分压 27-28 3.3.2 基片温度 28 3.3.3 脉冲能量 28 3.3.4 退火处理 28-29 3.4 实验工艺流程 29-30 3.5 实验表征手段 30-34 3.5.1 X射线衍射分析(XRD)——结构分析 30-31 3.5.2 扫描电子显微镜(SEM)——形貌分析 31-32 3.5.3 椭偏光谱仪——膜厚及折射率分析 32-34 第4章 实验结果分析 34-51 4.1 氮化硅薄膜生长机理研究 34-35 4.1.1 气相粒子的吸附 34-35 4.1.2 核的生成与长大 35 4.1.3 岛的形成与结合 35 4.2 各工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响 35-51 4.2.1 氮气分压对氮化硅薄膜性能的影响 35-39 4.2.2 基片温度对氮化硅薄膜性能的影响 39-43 4.2.3 脉冲能量对氮化硅薄膜性能的影响 43-47 4.2.4 退火处理对氮化硅薄膜性能的影响 47-51 第5章 结论 51-52 参考文献 52-56 致谢 56
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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