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闪存低温失效分析及不良筛选

作　者: 范娅玲
导　师: 王子欧
学　校: 苏州大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: Program (写) Erase(擦除) Vth (阈值电压) Over-Program(写过重) Over-Erase(擦过重) Pre-Program(预写) Soft-Programming(微写) Fowler-Nordheim tunneling Cycling(擦除循环)
分类号: TP333
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 52次
引　用: 1次
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内容摘要

本课题主要针对闪存芯片(NOR)可靠性和低温擦除失效机理进行分析,通过完成低温擦除失效产品的实验数据收集分析和处理,可靠性验证,寻求预防低温擦除失效和解决方法,提高产品的低温良品率同时保证出货的可靠性。文章首先介绍了存储器可靠性失效测试的相关技术,包括失效时间,机理,目的和种类,以及闪存存储可靠性失效的分析与验证。其次分析了闪存低温擦除失效的原理与失效模式。最后针对对低温失效原理与模式予以验证从而制定出相应的预防和纠正措施,并予以可靠性验证。通过这一系列工作,对于器件的工作原理有了更深层次的理解。

全文目录

中文摘要  4-5
Abstract  5-7
第一章前言  7-19
  1.1 存储器功能及可靠性测试  7-8
  1.2 失效时间和失效机理  8-9
  1.3 可靠性试验的目的和种类  9-10
  1.4 主要可靠性试验介绍  10-13
  1.5 闪存可靠性的分析与验证  13-18
    1.5.1 闪存可靠性分析  14-17
    1.5.2 闪存可靠性测试  17-18
  1.6 本章小结  18-19
第二章擦除失效的分析  19-25
  2.1 擦除流程和原理  19-20
  2.2 擦除失效分析  20-24
  2.3 本章小结  24-25
第三章低温擦除失效的实验验证及改进  25-38
  3.1 低温失效器件的数据分析  25-33
  3.2 低温擦除操作失效的改进  33-35
  3.3 芯片可靠性验证  35-37
    3.3.1 高温烘烤实验(Data Retention Bake)  35-36
    3.3.2 室温（25C）1 万次连续擦除实验(10K cycling@25C)  36-37
  3.4 本章小结  37-38
第四章结论  38-39
参考文献  39-40
附录：ERASE 的程序  40-46
硕士期间发表的论文  46-47
致谢  47-48

闪存低温失效分析及不良筛选

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