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对TEM原理及应用的研究

作　者: 王贞
导　师: 包兴；陈育浩
学　校: 天津大学
专　业: 电子与通讯工程
关键词: 透射电子显微镜聚焦离子束 TEM FIB TEM样品制备非晶化失效分析集成电路
分类号: TN405
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 303次
引　用: 1次
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内容摘要

IC产业发展到今天的阶段,TEM已成为任何一个先进的IC代工厂中不可或缺的研究、分析工具。尤其是当制程逐步向深亚微米发展,沉积的薄膜越来越薄,影响器件性能的Defect越来越小时,对于分析工具解析度的要求也越来越高。TEM高解析度、高精确度的优点,使得其在IC制程监控、失效分析等方面的应用愈发普遍和重要。在本篇论文中,将主要针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的最主要的影响--“非晶化”进行研究。目前国内尚未看到与此课题相关的论文发表;在国外,已经有过一些研究。本篇论文将在总结这些成果的基础上,务求得到一些新的突破:1)直接观察“非晶层”。2)量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度。经过两年多的努力,通过一系列完全由我们自主设计的严谨而又方便的实验,最后得到如下结果:1) 30KV的离子束切割硅衬底的样品,会在样品侧壁形成23nm的“非晶层”;10KV的离子束切割硅衬底的样品,会在样品侧壁形成11nm的“非晶层”。2)“非晶层”的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关。3) 30KV的聚焦离子束制备的可供TEM分析的IC硅衬底样品的极限厚度为64.5nm。

对TEM原理及应用的研究

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