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45nm NOR Flash的生产验证

作　者: 陆文蓉
导　师: 於伟峰；于毅
学　校: 复旦大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 45纳米 NOR闪存失效分析产品验证
分类号: TP333
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
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内容摘要

闪存(Flash Memory)作为存储数据和应用程序的部件,目前广泛应用于手机、存储卡、工业设备以及数码产品等。1984年,东芝公司的发明人Fujio Masuoka首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。闪存的特点是非易失性,其记录速度也非常快,并且可以达到100万次的擦写,保存数据10年。闪存可以分为NOR和NAND两种。NOR多用于应用程序的存储,手机、汽车电子、网络设备等常会应用到它。而NAND常常被应用于诸如SD、USB Sticks等存储卡上。随着工艺的发展,NOR Flash已经从原先65nm进入了45nnm的时代,作为业内首款45nm的NOR Flash,要完成生产验证必定面临许多新的挑战。从最初的不成熟到最后可以大规模生产,之间必不可少的是各种改进的工作。改进的方法有很多,而失效分析是其中非常有效的手段。同时在产品实现大规模生产以后,失效分析仍然是处理客户退回次品的主要手段,为满足持续改进的要求提供了技术上的支持。产品规模生产前的验证一般遵循这样的步骤：先设定质量和可靠性目标,收集数据,通过对于失效品的研究,将研究的结果反馈给FAB等上游部门,制定相应的改进措施提高产品的质量和可靠性,最终达到设定的目标,使大规模生产成为可能。论文分为四章,首先介绍了NOR Flash的基本工作原理和45nm的新工艺及其带来的变化。接着通过对45nm NOR Flash实现大规模生产前验证的过程中失效品的分析,说明了如何将失效分析的基本原理运用到新工艺上,解决了生产验证过程中遇到的三个问题：筛选良率低、质量验证DPM(每百万颗芯片中失效的个数)高和封装的可靠性验证中有失效芯片。通过失效分析的手段,最终针对各类问题分别找到了芯片失效的原因和对应的解决方法。在解决方法落实之后,通过最终数据收集证明了这些方法的有效性,使产品无论在良率、质量和可靠性上都满足了要求,达到了规模生产的条件。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-6
引言  6-8
第一章 NOR Flash概述  8-17
  第一节 NOR Flash的基本结构  8-11
  第二节 NOR Flash的工作原理  11-17
第二章 45nm NOR Flash的介绍  17-22
  第一节产品特点介绍  17-19
  第二节失效分析中的难点  19-22
第三章 45nm NOR Flash实现规模生产验证过程和失效分析的应用  22-50
  第一节生产验证目标的介绍  22-24
  第二节验证过程中的遇到的问题和解决方案  24-48
    3.2.1 筛选良率的提升  25-34
    3.2.2 质量验证DPM的降低  34-41
    3.2.3 封装的可靠性验证中失效芯片的分类  41-48
  第三节实现规模生产验证前后数据的比较  48-50
第四章总结与展望  50-53
  第一节研究结论  50-52
  第二节展望  52-53
参考文献  53-55
致谢  55-56

45nm NOR Flash的生产验证

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