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EB-PVD沉积Si-C/YSZ复合涂层的微观结构与性能研究
作 者: 张慧星
导 师: 赫晓东
学 校: 哈尔滨工业大学
专 业: 材料学
关键词: EB-PVD Si-C/YSZ涂层 组织结构 热震 发射率
分类号: TG115.21
类 型: 硕士论文
年 份: 2008年
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内容摘要
本文采用电子束物理气相沉积技术在高温Ni基合金Haynes214基体上以YSZ为过渡层制备了SiC涂层。首先,利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分别观察了涂层的表面和截面形貌;采用掠入射非对称X-射线衍射(GIAXD)和拉曼光谱仪(Raman)对涂层的组织结构进行了分析和讨论;详细分析了通过X-射线光电子谱得到的关于涂层元素组成以及化学键合的信息;进一步对经过真空退火的涂层进行了组织结构分析。另外设计了涂层的抗热震性能试验,表征了涂层的抗热震性能;采用傅立叶红外光谱仪测试了涂层的光谱发射率,并对结果进行了分析和讨论。形貌分析表明,YSZ层表面均匀致密,平均粗糙度为39nm;涂层厚度约为3μm,涂层与高温基体之间存在元素扩散。另外Raman和XPS结果定性地说明YSZ层内部出现了氧缺位现象。原位沉积使高辐射Si-C层与过渡层表面形貌几乎相同,并且表面沉积时间不同对表面形貌影响不显著。Raman结果表明涂层中含有非晶SiC、Si和石墨化C。XPS结果说明涂层表面含有Si、O、C元素,涂层以富C形式存在;除了C-Si键外,还含有大量的C-C键和少量Si-Si键。涂层处于完全化学有序和完全随机分布状态之间。经真空退火涂层从无序向有序化转变。涂层厚度对涂层的抗热震性能影响较大,薄的涂层抗热震性能优越。辐射性能测量结果显示,不同测量温度下涂层的平均光谱发射率在0.7-0.8之间。结合以往对Si-C辐射涂层的研究,表明Si-C涂层的临界厚度在0.5μm到1μm之间,即同时满足Si-C涂层的高辐射性能,又保证涂层与合金基体之间的结合性能。实测辐射率比理想SiC晶体低,是由于Si-C键含量以及所处物理状态不同造成的。
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全文目录
摘要 3-4 Abstract 4-8 第1章 绪论 8-23 1.1 课题背景 8-9 1.2 材料的结构、特性及应用前景 9-12 1.2.1 SiC陶瓷 9-11 1.2.2 YSZ陶瓷过渡层 11-12 1.3 辐射性能研究 12-17 1.3.1 辐射防热原理及特点 13-15 1.3.2 辐射性能研究进展 15-16 1.3.3 辐射性能测试方法 16-17 1.4 涂层制备技术 17-22 1.4.1 常用制备技术 17-18 1.4.2 SiC涂层制备的热点问题 18-20 1.4.3 电子束物理气相沉积技术 20-22 1.5 本文研究的主要内容 22-23 第2章 涂层制备与表征技术 23-34 2.1 制备涂层 23-29 2.1.1 试验设备简介 23-24 2.1.2 试验材料 24-26 2.1.3 试验方案 26-28 2.1.4 涂层制备过程 28-29 2.2 涂层结构性能测试 29-34 2.2.1 扫面电子显微镜 30 2.2.2 掠入射非对称X-射线衍射 30 2.2.3 X射线光电子谱 30-31 2.2.4 原子力显微镜分析 31 2.2.5 拉曼光谱 31-32 2.2.6 热震性能测试仪器 32 2.2.7 辐射性能测试 32-34 第3章 涂层组织形貌与结构成份分析 34-55 3.1 单一YSZ层 34-37 3.2 Si-C/YSZ涂层形貌 37-40 3.3 Si-C/YSZ涂层结构成份分析 40-43 3.3.1 掠入射X射线分析(GIAXD) 40-42 3.3.2 拉曼光谱分析(Raman) 42-43 3.4 Si-C/YSZ涂层X射线光电子谱(XPS) 43-50 3.4.1 全谱分析 44-46 3.4.2 元素窄扫描XPS谱 46-50 3.5 Si-C/YSZ涂层退火后组织结构分析 50-53 3.5.1 结构分析 51-52 3.5.2 化学成分分析 52-53 3.6 本章小结 53-55 第4章 涂层性能分析 55-65 4.1 抗热震性能表征 55-59 4.1.1 热冲击法 55-56 4.1.2 试验结果 56-58 4.1.3 涂层失效分析 58-59 4.2 涂层辐射性能 59-64 4.2.1 测量Si-C涂层辐射率的标定与环境补偿方法 60-61 4.2.2 涂层辐射率测量 61-63 4.2.3 涂层发射率计算 63-64 4.3 本章小结 64-65 结论 65-66 参考文献 66-70 攻读学位期间发表的学术论文 70-72 致谢 72
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中图分类: > 工业技术 > 金属学与金属工艺 > 金属学与热处理 > 金属学(物理冶金) > 金属的分析试验(金属材料试验) > 物理试验法 > 金相分析(显微分析)
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