学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
p型CuAlO_2多晶靶材及薄膜制备研究
作 者: 兰军
导 师: 刘翔
学 校: 昆明理工大学
专 业: 材料学
关键词: p型透明导电氧化物 铜铁矿 CuAlO2 固相烧结 脉冲激光沉积
分类号: TB383.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 52次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
内容摘要
p型铜铁矿型CuAlO2(CAO)材料可用于制备全透明半导体器件,具有较为广阔的应用前景。然而,制备电导率和透过率性能良好的CuAlO2薄膜一直是一个难题。本论文通过固相烧结合成制备CuAlO2陶瓷靶材,然后采用脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上制备了CuAlO2薄膜,同时,为了提高CuAlO2的电学和光学性能,首次对Co掺杂CuAlO2进行了初步研究。实验以分析纯微米级Al2O3和Cu2O粉体为原料,采用固相烧结法制备铜铁矿型透明导电氧化物CuAlO2陶瓷靶材,通过XRD、R-T、Raman和SEM等测试方法对其进行结构和性能表征,研究烧结反应温度及时间对靶材结构、密度、电导率的影响。获得最佳烧结制备CuAlO2陶瓷靶材的实验条件为——烧结温度1150℃、烧结时间10h,实验获得了物相较纯、密度达4.83g/cm3的p型CuAlO2陶瓷靶材,靶材室温电导率为1.3×10-2S.cm-1,由电导率温度曲线计算出CuAlO2靶材热激活能为0.265eV。以制备的CuAlO2靶材为材料,使用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上制备了CuAlO2薄膜,并进行了后退火研究。用XRD、R-T、XPS、UV-vis等对薄膜进行表征和分析。研究了在大气条件下后退火温度和时间对薄膜结构和性能的影响。XRD测试表明退火温度为1050℃、时间为10min得到沿(00l)方向择优生长的薄膜结晶质量最好。XPS分析表明:Cu元素主要以+1价存在,Al元素仅以+3价存在,与CuAlO2中元素的价态相吻合。测试了薄膜的紫外可见光透过率,薄膜在可见光区的透过率约为70%。由电导率温度曲线计算出CuAlO2薄膜热激活能为0.304eV。为了改善CuAlO2材料的导电能力,首次尝试使用Co替代Al位掺杂,按照优化的实验条件成功制备了CuAl1-xCoxO2靶材和薄膜。随着掺杂比例的增加,靶材中CuO的杂相的含量随着增加。XRD谱图中并没有发现Co氧化物的峰,可能是Co含量较少或部分实现了Al位替代。其中还有少量Co2AlO4杂相产生。用脉冲激光沉积法制备了掺杂后的一系列薄膜,经后退火工艺得到了结晶质量较好的CuAl1-xCoxO2薄膜。但是薄膜的电阻仍然很大,可能的原因是薄膜表面岛结构的形成。薄膜中过量Co元素进入了薄膜的晶界处,形成了吸收和散射中心,阻碍了载流子的迁移。
|
全文目录
摘要 3-4 Abstract 4-8 第一章 绪论 8-19 1.1 透明导电氧化物的研究背景 8-11 1.2 CuAlO_2薄膜的研究进展 11-15 1.2.1 CuAlO_2薄膜的晶体结构 11-12 1.2.2 CuAlO_2薄膜制备工艺及国内外研究进展 12-15 1.3 CuAlO_2薄膜的应用前景与研究展望 15-17 1.4 掺杂改善CuAlO_2的电导率 17 1.5 本论文的研究目的和内容 17-19 第二章 薄膜样品的制备及表征方法 19-29 2.1 制备方法 19-21 2.1.1 脉冲激光沉积的基本原理 19-20 2.1.2 脉冲激光沉积的特点和优势 20-21 2.2 样品的结构和性能测试 21-28 2.2.1 X射线衍射 21-22 2.2.2 粒度测试 22 2.2.3 拉曼光谱测试 22-23 2.2.4 R-T测试 23-24 2.2.5 密度测试 24-25 2.2.6 热探针法 25-26 2.2.7 SEM测试 26 2.2.8 X射线光电子能谱 26-27 2.2.9 薄膜的光学性能测试 27-28 2.3 本章小结 28-29 第三章 CuAlO_2靶材制备及陶瓷性能研究 29-46 3.1 CuAlO_2粉末的制备和性能研究 29-37 3.1.1 CuAlO_2粉末的制备工艺 29-30 3.1.2 CuAlO_2粉末的XRD测试 30-33 3.1.3 CuAlO_2粉末粒度测试 33-37 3.2 CuAlO_2靶材的制备及其性能研究 37-43 3.2.1 CuAlO_2靶材的制备工艺 37-38 3.2.2 CuAlO_2靶材的XRD测试分析 38 3.2.3 CuAlO_2靶材的密度测试分析 38-39 3.2.4 CuAlO_2靶材的R-T测试分析 39-41 3.2.5 CuAlO_2靶材的拉曼光谱分析 41-42 3.2.6 热探针法测靶材的导电类型 42-43 3.2.7 CuAlO_2靶材的SEM测试分析 43 3.3 掺Co的CuAl_(1-x)Co_xO_2靶材制备和性能研究 43-45 3.4 本章小结 45-46 第四章 CuAlO_2薄膜制备及其表征 46-59 4.1 CuAlO_2薄膜的制备 46-50 4.1.1 紫外脉冲激光沉积(PLD)装置 46-47 4.1.2 衬底选择与衬底清洗 47-48 4.1.3 镀膜工艺流程 48 4.1.4 PLD法制备CuAlO_2薄膜 48-50 4.2 热处理对薄膜结构的影响 50-53 4.3 薄膜的性能测试 53-57 4.3.1 薄膜的XPS测试 53-55 4.3.2 薄膜的R-T测试 55-56 4.3.3 薄膜的光学性能测试 56-57 4.4 掺Co的CuAl_(1-x)Co_xO_2薄膜制备和结构研究 57-58 4.5 本章小结 58-59 第五章 结论与展望 59-61 5.1 结论 59-60 5.2 展望 60-61 致谢 61-62 参考文献 62-66 附录:攻读硕士期间发表论文目录 66
|
相似论文
- 掺铁SnO2陶瓷与薄膜的制备研究,TQ174.6
- 云南某铜铁矿的选矿试验研究,TD95
- 铜铁矿工人肺癌巢式病例对照研究,R734.2
- Zn_(0.98)Co_(0.02)O/PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3异质结的制备及其磁性能研究,TN304
- SnO_2基陶瓷半导体热电材料的研究及制备,TB34
- 铁掺杂氧化铟薄膜的制备及磁性和输运性质研究,TN304.055
- 氧化锌薄膜及其掺杂特性,TN304.21
- 脉冲激光沉积制备不同择优取向的AlN薄膜的研究,TN249
- p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的制备与物性研究,O484.1
- 等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究,TN304
- Cr、Fe掺杂ZnO以及Fe、Cu共掺ZnO稀磁半导体的研究,TN304.21
- p型透明导电氧化物CuAlO2的掺杂研究,O484.4
- 硅基二氧化铈薄膜的脉冲激光制备及性能研究,O484.1
- p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备与性能研究,TN304.05
- 碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究,TQ174.65
- p型透明氧化物CuCrO_2薄膜的制备与性能研究,O484.1
- 激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体,TN304.21
- 锰位掺杂对La_(0.64)(Sr/Ca)_(0.33)MnO_3材料结构及电输运机制的影响,O482.5
- 用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长IrO_2薄膜的研究,TB383.2
- 机械合金化对Fe-Cu复合粉末固相烧结及性能的影响,TF124.5
中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
© 2012 www.xueweilunwen.com
|