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太阳能电池CIS粉体的回流反应法制备及特性研究

作　者: 巩小亮
导　师: 周继承
学　校: 中南大学
专　业: 电子科学与技术
关键词: 薄膜太阳能电池 CIS系粉体 回流反应 光电性能
分类号: TB383.3
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 22次
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内容摘要


CIS系太阳电池是最有潜力的薄膜太阳能电池之一,但复杂、难控的CIS系吸收层薄膜的制备技术是其实现大规模产业化的瓶颈。CIS系粉体材料的研发可为吸收层薄膜的制备提供多种简洁的思路,有望大幅度改进薄膜制备工艺、降低生产成本。本论文针对CIS系粉体材料的制备研究中存在的问题,对低成本、高质量CIS系粉体的可量产化制备技术进行了探索研究,以金属氯化物和Se/S为原料,在适宜的有机溶剂中通过回流反应法制备了CIS系粉体。开展的主要工作及研究结果简述如下：（1）以乙二胺为溶剂,通过回流反应结合快速热处理的方法制备了CuInSe2粉体；研究了各工艺参数对产物的影响,并分析了反应机理。结果表明,回流反应产物为Cu和In的二元硒化物,通过热处理可生成单相黄铜矿型CuInSe2,产物元素配比接近理想比例；提高热处理温度和增加热处理时间（30 min内）有利于CuInSe2相的完全形成和结晶质量的改善,但热处理时间的延长对产物微观形貌有不良影响；600℃/30 min是较佳的热处理条件。（2）以三乙烯四胺为溶剂,通过回流反应直接制备了CIS粉体,研究了反应温度和时间等参数对产物各种性质的影响,探讨了合成机理。结果表明：以三乙烯四胺为溶剂可有效制备单相CuInSe2粉体,并且反应时间大大缩短,产物的元素配比良好,形貌规则。反应温度的提高有利于反应的加快和良好的结晶,200℃/1～2 h是较佳的反应条件。而同样工艺条件用于CuInS2粉体制备时,则出现少量二元杂相,采用三乙烯四胺+乙二醇混合溶剂可得到单相CuInS2,相比CuInSe2粉体,其成相更为容易,粒子更为细小均匀。（3）采用三乙烯四胺+乙二醇混合溶剂通过回流反应制备了CuIn(SxSe1-x)2粉体,研究了S的掺入效果和S含量对产物各种性质的影响,并考察了不同S含量下CuIn(SxSe1-x)2的光学和电学性能。结果表明：制得的CuIn(SxSe1-x)2粉体为单相黄铜矿型结构,各元素比例与既定配比十分接近；产物微观形貌良好,粒子接近球形且尺寸较小分布均匀；S的掺入对CIS材料的带隙宽度有明显的提升作用；随S含量的增长,CuIn(SxSe1-x)2的载流子浓度逐渐减小,迁移率和电阻率逐渐增大,在S/（S+Se）为0～0.6的范围内,CuIn(SxSe1-x)2为p型半导体,各电学特性符合作为太阳电池吸收层的要求。

全文目录


摘要  3-5
ABSTRACT  5-9
第一章 绪论  9-29
  1.1 太阳能电池的发展  9-12
    1.1.1 传统能源危机与太阳能电池的发展  9-10
    1.1.2 太阳能电池的原理与种类  10-11
    1.1.3 薄膜太阳能电池的机遇与发展现状  11-12
  1.2 CIS系薄膜电池研究现状  12-21
    1.2.1 CIS系薄膜电池的特点与效率进展  12-14
    1.2.2 CIS材料的结构与性质  14-16
    1.2.3 CIS系吸收层薄膜的制备方法  16-19
    1.2.4 存在问题与发展思路  19-21
  1.3 CIS粉体材料的研究现状  21-27
    1.3.1 CIS系粉体材料的研究意义与应用  21-22
    1.3.2 CIS系粉体的制备方法  22-27
    1.3.3 总结与思考  27
  1.4 本论文的研究目的与内容  27-29
第二章 CIS粉体的制备与性能表征方法  29-37
  2.1 所用试剂及设备  29-30
  2.2 实验方案和内容  30-31
  2.3 测试表征方法  31-37
    2.3.1 X射线衍射分析(XRD)  31
    2.3.2 拉曼光谱(Raman)  31-32
    2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)  32-33
    2.3.4 X射线能谱仪(EDS)  33
    2.3.5 热重—差热分析(TG-DTA)  33-34
    2.3.6 紫外—可见光吸收光谱测试  34
    2.3.7 霍尔效应测试  34-37
第三章 CuInSe_2粉体的制备与合成机理探讨  37-55
  3.1 溶剂对回流反应产物的影响  37-38
  3.2 CuInSe_2粉体的两步法制备  38-46
    3.2.1 前驱物物相与TG-DTA分析  38-40
    3.2.2 样品的物相与结构分析  40-42
    3.2.3 热处理参数对产物的影响  42-44
    3.2.4 样品的微观形貌与化学组成  44-46
  3.3 CuInSe_2粉体的一步法制备  46-53
    3.3.1 物相分析与影响因素探讨  46-49
    3.3.2 合成机理探讨  49-50
    3.3.3 微观形貌与化学组成  50-53
  3.4 本章小结  53-55
第四章 CIS粉体的掺杂与光电特性  55-65
  4.1 CuInS_2粉体的结构与特性  55-58
    4.1.1 物相与结构  55-57
    4.1.2 微观形貌  57-58
    4.1.3 化学组成  58
  4.2 Culn(S_xSe_(1-x))_2粉体的结构与特性  58-62
    4.2.1 物相与结构  58-59
    4.2.2 化学组成  59-61
    4.2.3 微观形貌  61-62
  4.3 CIS粉体的光电特性  62-64
    4.3.1 光学性能分析  62-63
    4.3.2 电学性能分析  63-64
  4.4 本章小结  64-65
第五章 结论  65-66
参考文献  66-77
致谢  77-78
攻读学位期间主要的研究成果  78

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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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