学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
铜氧化物高温超导体中Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)单晶磁通动力学研究
作 者: 王唯先
导 师: 张裕恒
学 校: 中国科学技术大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: 中国科学技术大学 高温超导体 涡旋态 博士论文 超导转变 外加磁场 电流密度 临界电流 测量电流 单晶
分类号: O511
类 型: 博士论文
年 份: 2005年
下 载: 134次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
内容摘要
本论文主要通过“磁通变压器”安排,测量了Bi2Sr2CaCu2O8+δ和La1.93Sr0.07-CuO4+δ单晶中的输运性质,通过详细的研究,得到了一些非常有意义的结果。 第一章综述了高温超导体的发现和发展概况,指出了过低的临界电流密度成为制约铜氧高温超导体强电应用的主要障碍。而提高临界电流的前提是必须先了解和掌握磁通涡旋在高温超导体的运动规律。因此,我们把目光投向了对高温超导体磁通动力学的研究,给出了磁通动力学的基本概念和方程,介绍了磁通涡旋液态、磁通蠕动、集体钉扎理论和基本公式。 第二章介绍了普遍存在高温超导体中的一个重要现象—临界电流峰效应和它的产生机制。对于YBa2Cu3O7-δ和2H-NbSe2单晶,临界电流峰效应出现的机制基本时一致的,即临界电流曲线上峰的出现是由于在涡旋固态相中,涡旋格子由弹性流动到塑性流动的变化引起的。而在Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶中,临界电流峰效应出现的机制却是由于电流密度jab沿c轴分布存在非常的梯度djab/dz,涡旋在剪切力的作用下在不同Cu-0面之间出现相滑移,从而产生了临界电流峰效应,这和和前面两者有很大的差异。由此,我们可以看出在Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶中的磁通涡旋运动规律和其他的第二类高温超导体有着很明显的不同。 第三章主要通过测量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶的输运性质,研究其超导转变机制。我们采用了新奇的“磁通变压器”和传统的“磁通变压器”的实验安排,测量在不同磁场下的Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶输运性质。我们第一次观察到,在新奇的磁通变压器安排下,在磁场H‖c当中,一个“平台”在超导转变过程出现。我们提出了电阻恢复机制模型。在磁场H‖c时,电阻的产生是由饼涡旋的独立运动引起的;在H⊥c下,电阻的产生是由Josephson涡旋运动引起。并根据此模型进行了相应的理论计算,理论拟合曲线和实验数据符合的非常好。
|
全文目录
摘要 6-8 ABSTRACT 8-10 第一章 引言 10-30 §1.1 高温超导体的发现及发展简介 10-14 1.1.1 基础理论方面 12-13 1.1.2 新材料和化学方面 13 1.1.3 材料科学和应用方面 13-14 §1.2 高温超导体中的磁通动力学 14-28 1.2.1 磁通动力学方程 14-16 1.2.2 磁通涡旋量子 16-17 1.2.3 集体钉扎理论 17-21 1.2.4 临界电流密度 21 1.2.5 经典蠕动 21-23 1.2.6 弹性理论 23-24 1.2.7 磁通涡旋态 24-28 §1.3 小结 28-29 参考文献 29-30 第二章 临界电流峰效应 30-53 §2.1 2H-NbSe_2晶体中的临界电流峰效应 30-32 §2.2 晶体中YBa_2Cu_3O_(7-δ)的临界电流峰效应 32-39 §2.3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)晶体中的临界电流峰效应 39-48 §2.4 小结 48-49 参考文献 49-53 第二章 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)单晶中磁通动力学的研究 53-84 §3.1 引言 53-64 3.1.1 电阻转变过程中的展宽效应 53-59 3.1.2 饼涡旋独立运动模型 59-62 3.1.3 小结 62-64 §3.2 实验设计 64-68 §3.3 样品制备和实验安排 68-69 §3.4 实验结果 69-78 3.4.1 奇特的“磁通变压器”安排下,外加磁场H‖c时的实验结果 69-73 3.4.2 奇特的“磁通变压器”安排下,外加磁场H⊥c时的实验结果 73-75 3.4.3 传统的“磁通变压器”安排下,外加磁场H‖c时的实验结果 75-76 3.4.4 传统的“磁通变压器”安排下,外加磁场H⊥c时的实验结果 76-78 §3.5 小结 78-79 参考文献 79-84 第四章 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)和La_(1.93)Sr_(0.07)CuO_(4+δ)单晶超导转变机制的比较 84-101 §4.1 引言 84-86 §4.2 样品制备及实验安排 86-88 §4.3 实验结果 88-92 §4.4 讨论 92-97 4.4.1 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)单晶中超导转变机制 93-95 4.4.2 La_(1.93)Sr_(0.07)CuO_(4+δ)单晶中超导转变机制 95 4.4.3 H_(c2)-T曲线 95-97 §4.5 小结 97-99 参考文献 99-101 第五章 对各向异性电阻模型[PHYS.REV.B 69,522(1992)]的评论 101-106 §5.1 各向异性电阻模型 101-104 §5.2评论 104-106 博士期间完成的论文: 106
|
相似论文
- 单晶硅紫外激光微加工工艺研究,TN249
- 热处理对一种含Re镍基单晶合金组织的影响研究,TG166
- X射线衍射方法分析单晶镍基合金AM1的残余应力,TG115.22
- Ti对含Re镍基单晶高温合金组织及性能的影响,TG132.32
- 元素Re对镍基单晶合金中温蠕变性能的影响,TG146.15
- 真空冶金法提纯高铝掺杂单晶硅尾料,TF13
- 钨微/纳米线阵列的制备及其场发射性能的研究,TB383.1
- 单向压缩和纳米压痕引起的单晶硅相变研究,TB302.3
- 有机锑羧酸衍生物的合成、表征及结构研究,O627.4
- TiO_2光催化材料的制备、表征及在砷吸附中的应用,O614.411
- 晶体硅太阳电池表面织构化工艺的研究,TM914.4
- 柔性太阳能电池屈曲的力学行为研究,TM914.4
- 快速热处理对掺锗直拉单晶硅的影响,TN304.12
- 空间GaAs太阳能电池用Ge单晶的位错形态及硬度研究,O782
- 激光对硅太阳能电池和硅CCD的损伤效应研究,TM914.4
- 利用SEM-ECC技术对不同取向铜单晶体疲劳位错结构的研究,TG146.11
- Zn离子注入Al_2O_3单晶纳米颗粒合成及其光学性质改性的研究,TB383.1
- 穿通结构三极管BV_(CEO)仿真分析及一致性提高研究,TN322.8
- 电子辐照对单晶硅性能影响的研究,TN304
- 单晶硅表面摩擦诱导纳米凸结构的摩擦学性能表征,TB383.1
- 芳香羧酸类配合物的合成、结构及性能表征,O621.13
中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 低温物理学 > 超导电性
© 2012 www.xueweilunwen.com
|