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激光制备CaTiSiO_5基高频介质陶瓷的研究
作 者: 田得雨
导 师: 晁明举
学 校: 郑州大学
专 业: 光学
关键词: 激光烧结 高频介质陶瓷 CaTi03-CaTiSiO5 (CaTiSi05)0.18(TiO2)0.82 介电性能
分类号: TM28
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
高频介质陶瓷材料在现代功能陶瓷材料中占有非常重要的地位,具有广泛的用途。高频介质陶瓷材料在高频(1MHz)下的介质损耗低、介电常数温度系数范围宽,广泛用作陶瓷电容器的电介质。根据介电常数温度系数可分为两大类:一类是热补偿电容器介质陶瓷材料。热补偿电容器介质陶瓷具有较大的负介电常数温度系数,如CaTiO3、TiO2等。热补偿电容器主要用在振荡回路里,以补偿回路电感元件的正温度系数,使回路谐振频率保持不变或变化很小。另一类是热稳定电容器介质陶瓷材料,其介电常数温度系数的绝对值很小,如TiO2-CaTiSiO5、CaTiO3-CaTiSiO5、CaTiO3-Ca(M g1/3Nb2/3)O3、SrZrO3-SrTiO3、CaTiO3-CaZrO3等。使用此类电介质材料制作的高稳定电容器广泛应用于移动通讯、卫星通讯、精密仪器和军用雷达等领域。其中CaTiO3-CaTiSiO5介质陶瓷是一种优良的高频介电陶瓷,它由单斜型CaTiSiO5(εr≈40,tanδ≈5×10-4,αε≈+1200×10-6/℃)和正交型CaTiO3(εr≈150,tanδ≈2.5×10-4,αε=-1800×10-6/℃)两相组成,具有较为优良的介电性能:εr≈82,tanδ≈4×10-4,αε≈±25×10-6/℃,因而日益受到关注。Ti02和CaTiSiO5以适当的摩尔比(0.82:0.18)进行复合也能够获得具有介电性能的复合材料,即较高介电常数、较低的介质损耗和接近于零的介电常数温度系数。随着现代通讯技术的迅猛发展,陶瓷电容器也向小型化、大容量方面发展,而介电常数大、介质损耗小的介质陶瓷是制造高性能陶瓷电容器的前提条件。那么,提高CaTiO3-CaTiSiO5、(CaTiSiO5)0.18(TiO2)0.82陶瓷的介电性能是拓宽CaTiO3-CaTiSiO5、(CaTiSiO5)0.18(TiO2)0.82介质陶瓷应用范围的迫切课题。近年来,激光烧结技术在制备新材料和提高材料性能方面,显示出独特的优势。本工作采用激光烧结技术制备CaTiO3-CaTiSiO5、(CaTiSiO5)0.18(TiO2)0.82介质陶瓷,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、精密阻抗分析仪、拉曼散射等对材料的晶格结构、化学组成、微观结构、介电性能等进行测试与分析。根据样品的物理性能和微观结构确定了激光烧结CaTiO3-CaTiSiO5、(CaTiSiO5)0.18(TiO2)0.82介质陶瓷的最佳工艺分别为:激光功率1.2 kW,离焦量90mm,烧结时间140s;激光功率1.0 kW,离焦量140 mm,烧结时间240s。CaTiO3-CaTiSiO5陶瓷样品的介电性能与高温炉烧结相比,介电常数由炉烧的82提高到376,介质损耗和温度系数基本不变。微观结构也发生显著变化,样品比较致密没有大量的气孔和微裂纹,晶粒较大,生长完整并且呈树枝状定向生长,晶粒之间相互连成一体形成树枝状结构群。激光烧结的(CaTiSiO5)0.18(TiO2)0.82介质陶瓷致密度、纯度很高,形成了逆激光光束方向呈板条状规则生长的微观结构,有利于其介电性能的提高。在功能陶瓷的制备技术中,与其它定向生长技术相比激光烧结技术具有操作简单、晶粒定向生长强、效率高、致密度和纯度高等优点。
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全文目录
摘要 4-6 Abstract 6-8 目录 8-11 第1章 绪论 11-24 1.1 电介质的简述 11-12 1.2 高频介质陶瓷 12-16 1.2.1 高频电介质陶瓷的性能要求和分类 13-14 1.2.2 钛酸钙瓷和钛硅酸钙瓷 14-16 1.3 介电性能的理论基础 16-20 1.3.1 极化与介电常数 16-19 1.3.2 介质损耗与极化 19-20 1.3.3 介电常数温度系数 20 1.4 激光烧结功能陶瓷 20-22 1.4.1 激光烧结技术 20-22 1.4.2 激光烧结功能陶瓷的特点 22 1.5 本文的研究内容 22-24 第2章 激光烧结陶瓷技术 24-34 2.1 激光烧结陶瓷的基本理论 24-27 2.1.1 激光的吸收 24-25 2.1.2 导热理论 25-27 2.2 激光烧结陶瓷的实验装置 27-28 2.3 激光烧结方法 28-30 2.3.1 升温阶段 29 2.3.2 烧结阶段 29-30 2.3.3 冷却阶段 30 2.3.4 气氛的控制 30 2.4 测试方法 30-32 2.5 本章小结 32-34 第3章 激光制备CaTiO_3—CaTiSiO_5介质陶瓷研究 34-48 3.1 激光烧结CaTiO_3-CaTiSiO_5陶瓷 34-35 3.1.1 工艺流程 34-35 3.2 高温炉烧结CaTiO_3-CaTiSiO_5陶瓷 35-37 3.2.1 工艺流程 35-37 3.3 测试分析 37-46 3.3.1 相对密度 37 3.3.2 介电性能 37-40 3.3.3 XRD分析 40-42 3.3.4 显微组织 42-45 3.3.5 Raman谱 45-46 3.4 本章小结 46-48 第4章 激光烧结(CaTiSiO_5)_(0.18)(TiO_2)_(0.82)高频介质陶瓷研究 48-55 4.1 引言 48-49 4.2 激光烧结快速(CaTiSiO_5)_(0.18)(TiO_2)_(0.82)陶瓷 49-51 4.2.1 工艺流程 49-50 4.2.2 烧结工艺 50-51 4.3 实验结果与分析 51-54 4.3.1 相对密度 51 4.3.2 XRD图谱 51-52 4.3.3 显微组织 52-54 4.4 本章小结 54-55 第5章 全文总结 55-57 参考文献 57-62 攻读硕士学位期间发表的论文及成果 62 个人简历 62-63 致谢 63
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中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 电工材料 > 电工陶瓷材料
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