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开关电源传导干扰仿真分析
作 者: 童跃光
导 师: 梁振光
学 校: 山东大学
专 业: 电工理论与新技术
关键词: 开关电源 电磁兼容 传导干扰 辐射测试 PSpice仿真 GPIB
分类号: TN86
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
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内容摘要
随着电子技术的发展,电磁兼容性的研究工作越来越受到人们的重视。本文主要就反激式开关电源的传导干扰进行了仿真;对辐射干扰的特点进行了分析。以反激式开关电源为研究对象,综述了开关电源产生传导电磁干扰的干扰源和干扰传播路径。分析了电阻、电容、电感等元件的高频特性,利用电阻、电容、电感、变压器、MOSFET、二极管的高频模型组建了仿真电路。分析了开关电源传导干扰的产生及耦合路径,根据干扰电流的大小和流动的方向标识出了干扰耦合的路径。使用PSpice软件模拟仿真,对比分析了电压器漏电感、散热片对地电容、MOSFET寄生电容Cgdo、Cgso、二极管电容Cjd等参数对干扰大小的影响。开关管MOSFET在断开时,会在变压器漏感上产生感应电动势E=-Lp(di/dt),叠加在变压器绕组Np的关断电压上,形成关断电压尖峰。漏感越大电压尖峰越高,震荡波形的幅度越大,衰减需要的时间越长,干扰越严重。散热片电容的大小对干扰大小影响很大,共模干扰主要是因为很大的电压跳变dv/dt使散热片电容不断充放电产生很大的干扰电流,散热片电容越大干扰越严重。MOSFET寄生电容Cgdo小的MOSFET电压变化率dv/dt大,干扰也就严重;反之,干扰就小一些。MOSFET的寄生电容Cgso、二极管的结电容Cjd对干扰的作用不大。最后参考其他文献给出了抑制干扰常用的方法,这些工作对开关电源的电磁兼容性设计具有一定的指导作用。辐射干扰测试在电磁兼容中至关重要。本文在最后着重阐述了基于GPIB接口的辐射EMI测试系统,分析了辐射EMI的特点及测试方法。提出了使用Matlab仪器控制工具箱,通过GPIB接口来控制转台、天线高度和EMI接收机,对辐射干扰进行了测试的方法。辐射干扰的大小受天线高度、EUT方位角度和频率波段三者共同影响。
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全文目录
目录 4-6 摘要 6-7 ABSTRACT 7-9 符号说明 9-10 第一章 绪论 10-19 1.1 电磁兼容的研究意义及发展 10-12 1.1.1 电磁兼容及电磁干扰的危害 10-11 1.1.2 电磁兼容技术发展概况 11-12 1.2 电磁干扰三要素 12-14 1.3 开关电源电磁兼容的发展状况 14-16 1.4 开关电源电磁兼容性的现状 16-17 1.5 开关电源的电磁干扰源 17-18 本论文主要内容 18-19 第二章 反激式开关电源EMC的仿真模型 19-30 2.1 反激式开关电源工作原理 19 2.2 电路元件的高频模型 19-26 2.2.1 电阻的高频模型 20 2.2.2 电感的高频模型 20-21 2.2.3 电容高频的模型 21-22 2.2.4 功率场效应管(MOSFET)模型 22-24 2.2.5 二极管模型 24-25 2.2.6 变压器的模型 25-26 2.3 线性阻抗稳定网络(LISN)作用及其模型 26-27 2.4 开关电源的高频电路模型及干扰耦合的路径 27-29 本章小结 29-30 第三章 基于PSpice的传导干扰仿真分析 30-49 3.1 PSpice仿真软件与其它仿真软件的比较 30-31 3.2 开关电源的PSpice仿真电路 31-32 3.3 仿真结果分析 32-46 3.2.1 电磁干扰的产生 34-36 3.2.2 不同参数对干扰的影响 36-45 3.2.2.1 变压器漏电感L3的影响 37-39 3.2.2.2 散热片对地电容C3的影响 39-41 3.2.2.3 MOSFET寄生电容C_(gao)的影响 41-42 3.2.2.4 MOSFET寄生电容C_(gso)的影响 42-43 3.2.2.5 二极管结电容C_(jd)的影响 43-45 3.2.3 传导路径的分析 45-46 3.3 干扰抑制的方法 46-47 本章小结 47-49 第四章 辐射EMI测试系统和测量方法 49-56 4.1 辐射测试系统的构成 49-50 4.2 测试系统的控制 50-51 4.3 辐射测量方法与结果分析 51-54 本章小结 54-56 第五章 总结 56-58 参考文献 58-62 致谢 62-64 硕士期间发表论文情况 64-65 学位论文评阅及答辩情况表 65
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 无线电设备、电信设备 > 电源
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