学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

ZnO压敏电阻器大电流性能的研究

作　者: 章会良
导　师: 曹全喜
学　校: 西安电子科技大学
专　业: 材料物理与化学
关键词: ZnO压敏电阻器 复合纳米添加剂 Sol-Gel法 通流能力
分类号: TM54
类　型: 硕士论文
年　份: 2007年
下　载: 248次
引　用: 2次
阅　读: 论文下载
 

内容摘要


ZnO压敏电阻器由于具有优良的非线性特性、大的浪涌吸收能力以及较高的工作稳定性而在电子、电力领域得到了迅速发展和广泛应用。对大通流容量和高性能的发展要求,是近期压敏电阻的研究热点和未来主要发展方向。为了进一步提高ZnO压敏电阻器电性能,本文采用Sol-Gel工艺,改善了添加剂在ZnO压敏元件中分布的均匀性,降低了气孔率。文章对ZnO压敏电阻器用复合纳米添加剂的Sol-Gel制备方法、机理进行了较为深入的研究,并对压敏电阻器的导电机理、蜕化失效机理和大通流能力影响因素做了较为详细的讨论和总结。实验利用Sol-Gel法制备的复合纳米添加剂,与SiO2及主原料ZnO在适当的工艺条件下制备了直径为8.5mm、厚度为1.0 mm的压敏元件,并对其电性能进行了测试、分析。结果表明,Sol-Gel方法制成的元件具有粉体掺杂均匀,晶粒粒径小,分布均匀,其电性能也较传统工艺和化学共沉淀工艺有很大提高:8/20μs通流能力达到了2100A,2ms方波能量耐受能力超过38J,压敏电压为287V,漏电流约为1.1A,非线性系数为49。为了便于元件性能直观的比较,分别采用固相合成法、化学共沉淀法和溶胶—凝胶方法进行实验制备了压敏元件,对电性能进行分析对比,结果显示:Sol-Gel法和化学共沉淀法制备的试样压敏电压大于传统试样,漏电流和非线性系数相差不大,2ms方波能量耐受能力显著提高,是传统方法的两倍多;溶胶—凝胶法制备的试样8/20μs通流能力也得到了提高。并对结果进行了详细讨论和理论解释。

全文目录


相似论文

  1. 硅基Cu薄膜与氧化物铁电电容器集成的研究,TN405
  2. 低压ZnO压敏电阻器的性能与工艺研究,TM54
  3. 染料敏化La~（3+）掺杂的TiO_2纳晶薄膜制备及其光电性能,TM914.4
  4. 低压ZnO压敏电阻器的性能优化,TM54
  5. Tb~（3+）掺杂SiO_2核—壳结构材料的制备及发光性能研究,TB383.1
  6. PZT薄膜热退火工艺的研究及微传感器的制备,TP212
  7. 溶胶—凝胶法制备纳米ATO粉体和薄膜及其结构与性能的研究,TB383.2
  8. Zn-B-Si-O纳米复合物助烧剂及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征,TQ174.7
  9. 600MW汽轮机性能诊断,TK268
  10. 高比容铝基复合介质膜制备技术研究,TM53
  11. 溶胶—凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的研究,TB383.2
  12. Sol-Gel法制备LiCoO_2与LiCo_（0.8）Ni_（0.2）O_2薄膜材料的研究,TN304
  13. 稀土纳米结构SiO_2发光材料的制备及性能研究,TB34
  14. 新型内含极性官能团硅胶毛细管整体柱的制备及其电色谱性能研究,O657.7
  15. ZnO压敏电阻器性能的改进,TM54
  16. 高电压梯度ZnO压敏电阻器,TM54
  17. ZnO压敏电阻器制备新技术研究,TN384
  18. 溶胶—凝胶法制备Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜及其性能研究,TB43
  19. 溶胶-凝胶法制备SrAl_2O_4: Eu～(2+), Dy～(3+)纳米发光材料,TB34
  20. Sol-Gel前驱单体法制备PZT铁电薄膜技术与性能研究,TB383
  21. 铜系催化剂催化湿式氧化处理含酚废水的研究,X703

中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 电器 > 电阻器、电位器
© 2012 www.xueweilunwen.com