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EEPROM X84041芯片的逆向设计

作　者: 杨大为
导　师: 范剑英；陆虹
学　校: 哈尔滨理工大学
专　业: 仪器仪表工程
关键词: EEPROM 逆向设计平坦化工艺
分类号: TP333
类　型: 硕士论文
年　份: 2006年
下　载: 289次
引　用: 2次
阅　读: 论文下载

内容摘要

电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)主要应用于智能IC卡,微型计算机等各种需要对信息存取的场合。EEPROM分为并行和串行两种。串行EEPROM具有体积小、成本低、电路连接线少等优点。我课题研究的内容是1.2μm N阱CMOS工艺制作的8K×8串行EEPROM逆向设计。课题是在东北微电子研究所完成的。本设计从版图照片中提取逻辑图开始,提取出电路图后,分析电路的工作原理和逻辑功能。该电路分为存储矩阵和外围控制电路两大部分。本EEPROM存储矩阵为256×256阵列,对存储单元的工作原理、结构、版图、工艺方面进行了详尽的分析。外围电路包括:保护电路、HV电路、高压产生电路、控制电路、译码电路、灵敏放大电路、八位锁存器、八位移位寄存器等。为了确定电路工作原理与逻辑功能的分析正确与否,对主要功能块进行了计算机逻辑验证和仿真。版图设计规则,首先从原版图照片中提取出原设计规则,然后根据东北微电子所的工艺条件确定出新的设计规则。版图布局布线的原则是要力图节省材料、利于光刻、制版对准方便和工艺步骤简单,本文对布局布线总结了一些规律。在版图中对抑制电路的闩锁效应采取了切实可行的措施。版图采用了双层金属布线工艺,在跨接部分采用多晶硅连接,尽量减小版图面积,降低布线电阻有利于电路速度的提高。本课题运用的EDA工具有Tanner EDA和Cadence工作站。运用Tanner EDA的版图编辑软件L-Edit绘制版图,L-Edit软件具有对掩膜层数、单元数无限制的特点,并能进行分层设计。运用Cadence公司的软件在工作站上进行了仿真、DRC和LVS。

全文目录

摘要  5-6
ABSTRACT  6-10
第1章绪论  10-13
  1.1 课题的提出  10
  1.2 半导体存储器  10-11
  1.3 EDA 技术  11-12
  1.4 本章小结  12-13
第2章串行8K×8 EEPROM 的组成和工作原理  13-34
  2.1 串行8K×8 EEPROM 的总体结构  13-14
  2.2 工作模式  14-17
  2.3 存储单元  17-20
  2.4 EEPROM 外围电路各功能块分析、仿真及改进  20-31
  2.5 串行8K×8 EEPROM 的工作原理  31-33
  2.6 本章小结  33-34
第3章版图的实现  34-47
  3.1 软件介绍  34-35
  3.2 版图设计规则  35-41
  3.3 单元版图绘制  41-46
  3.4 本章小结  46-47
第4章布局布线、抗闩锁效应、DRC 与LVS  47-55
  4.1 布局布线规划  47-49
  4.2 抑制LATCH－UP 效应的措施  49-50
  4.3 DRC 与LVS 操作  50-54
  4.4 本章小结  54-55
第5章串行8K×8 EEPROM 的工艺  55-60
  5.1 LDD 工艺  56-57
  5.2 存储单元中氧化层工艺  57
  5.3 平坦化工艺  57-59
  5.4 本章小结  59-60
结论  60-61
参考文献  61-64
攻读学位期间发表的学术论文  64-65
致谢  65-66
工程硕士研究生个人简历  66

EEPROM X84041芯片的逆向设计

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