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高效率同步整流型DC-DC开关电源的研究与设计
作 者: 许幸
导 师: 何杞鑫
学 校: 浙江大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: OC-DC 同步整流 转换效率 斜波补偿 功率MOSFET
分类号: TN86
类 型: 硕士论文
年 份: 2006年
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内容摘要
随着信息产业的蓬勃发展、传统工业的换代改造以及节约能源要求的不断提高,开关电源产业得到了迅速发展。目前的计算机设备和各种高效便携式电子产品发展趋于小型化,要求与之配套的电源供电系统体积更小、重量更轻、效率更高。在这样的前提下,设计开发高效率、小体积的DC-DC开关电源芯片,无论是从经济角度,还是从科学研究上来讲是很有价值的。 本课题是对高效率DC-DC开关电源进行研究和设计,在本文中,作者对DC-DC开关电源的工作原理、设计思想和系统性能作了详细的分析,并以国外类似成熟产品为参照,设计了一款DC-DC开关电源芯片,采用电流型PWM控制模式,运用了斜波补偿和同步整流等核心技术,集成了功率MOSFET,并利用Cadence软件对各个模块和系统性能进行了仿真。 本课题参加了上华集成电路设计中心(ICC)的MPW计划,在无锡上华半导体公司采用0.6um N阱CMOST艺进行了流片,并对芯片进行了测试。测试结果表明,DC-DC变换器的输出电压纹波仅为45mV,输出电压精度达到1.5%,在电源电压5V,负载电流为330mA时转换效率达到84.2%。该芯片具有有低压大电流、高效低功耗、外围应用电路简单的特点,适用于电池供电的便携式电子产品中,如数码相机、手机、摄像头、mp3等。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-7 第一章 绪论 7-16 1.1 课题的背景和研究的意义 7-10 1.1.1 全球电源产业的快速发展 7-8 1.1.2 中国电源产业的发展现状 8-9 1.1.3 电源的发展趋势和要求 9-10 1.2 DC-DC开关电源的介绍 10-14 1.2.1 开关电源技术的研究现状 10-11 1.2.2 DC-DC开关电源的特点及分类 11-12 1.2.3 DC-DC开关电源的发展方向 12-14 1.3 主要工作和论文体系结构 14-16 第二章 DC-DC开关电源的原理和分析 16-38 2.1 基本拓扑结构 16-20 2.1.1 降压型(buck)拓扑结构 17-18 2.1.2 升压型(boost)拓扑结构 18-19 2.1.3 升降压型(buck-boost)拓扑结构 19-20 2.2 PWM控制模式 20-24 2.2.1 电压型PWM控制模式 21-22 2.2.2 电流型PWM控制模式 22-24 2.3 PFM控制模式 24-26 2.4 电流型 PWM控制模式的斜波补偿 26-30 2.4.1 次谐波振荡产生的原因 27-28 2.4.2 斜波补偿的方法与作用 28-30 2.5 同步整流技术 30-33 2.5.1 同步整流技术的概念 30-31 2.5.2 功率 MOSFET的分析 31-32 2.5.3 同步整流技术的发展趋势 32-33 2.6 DC-DC开关电源的系统稳定性和补偿 33-36 2.6.1 系统稳定性的判定依据 33-34 2.6.2 补偿网络的分析 34-36 2.7 设计中需要考虑的性能指标 36-38 第三章 芯片 MAX1623和 NCP1530的介绍 38-45 3.1 MAX1623介绍 38-41 3.1.1 内部结构和特性 38-39 3.1.2 工作模式分析 39-40 3.1.3 典型应用电路 40-41 3.1.4 工艺条件 41 3.2 NCP1530介绍 41-45 3.2.1 内部结构和特性 42-43 3.2.2 工作模式分析 43 3.2.3 典型应用电路 43 3.2.4 工艺条件 43-45 第四章 DC-DC开关电源芯片的电路设计和仿真 45-71 4.1 DC-DC开关电源的系统结构设计 45-46 4.2 芯片主要模块的电路设计和仿真 46-67 4.2.1 1.25V基准电压源 46-50 4.2.2 误差放大器 50-52 4.2.3 PWM比较器 52-56 4.2.4 振荡器(时钟) 56-59 4.2.5 电流采样电路 59-61 4.2.6 电压-电流转换电路 61-63 4.2.7 死区时间控制电路 63-65 4.2.8 逻辑控制模块 65 4.2.9 功率 MOSFET的优化设计 65-67 4.3 DC-DC开关电源的系统性能仿真 67-71 4.3.1 应用电路 67 4.3.2 输出电压的纹波特性 67-68 4.3.3 系统的电源调整率 68-69 4.3.4 系统的负载调整能力 69 4.3.5 转换效率换算 69-71 第五章 版图设计与芯片测试 71-88 5.1 芯片版图的设计 71-80 5.1.1 上华工艺简介 71-72 5.1.2 版图绘制中的注意事项 72-77 5.1.3 功率 MOSFET版图的设计 77-80 5.2 芯片的封装 80-81 5.3 芯片的测试方法和结果 81-88 5.3.1 测试仪器和元器件 81-82 5.3.2 基准源模块的测试结果 82-84 5.3.3 内部时钟模块的测试结果 84-85 5.3.4 比较器的测试结果 85 5.3.5 系统整体功能的测试结果 85-86 5.3.6 芯片性能参数总结 86-88 第六章 总结与展望 88-90 参考文献 90-92 论文发表情况 92-93 致谢 93
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 无线电设备、电信设备 > 电源
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