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微波放大器在强雷电辐射下的耦合效应研究

作　者: 穆玉珠
导　师: 黄卡玛
学　校: 四川大学
专　业: 无线电物理
关键词: 微波GaAsFET放大器雷电辐射电磁耦合非线性响应
分类号: TN722
类　型: 硕士论文
年　份: 2005年
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内容摘要

微波放大器是许多电子系统不可缺少的组成部分,应用于接收机前端则发挥着输入小信号放大的重要作用。然而,电子系统对瞬态电磁现象越来越敏感,其安全性、可靠性和电磁兼容性问题也日益突出。雷电(Lightning)是重要的瞬态电磁现象之一,伴随其产生的雷电电磁脉冲是严重的自然电磁干扰源,所以雷电电磁场对电子系统的有害耦合效应受到了广泛的关注。相关研究表明,在雷电电磁辐射环境下电子系统接收机可能耦合较大的雷电电磁能量,将会引起微波放大器表现出强烈的非线性特性,这对于常规工作条件下的微波放大器来说是十分不利的。本文从电子系统接收机耦合较大雷电电磁能量的具体情况出发,以一种微带电路结构的微波GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)放大器为例,对其耦合效应进行了研究。首先用时域法分析了该微波放大器的非线性耦合效应。引入Curtice-3非线性模型建立了大信号作用下微波放大器的状态方程,并在输出端至输入端之间存在正向耦合与不存在正向耦合两种情况下进行求解,考察正向耦合的电磁能量与GaAsFET漏源电流的之间关系。经研究发现,在耦合的雷电电磁能量未达到直接造成微波放大器失效的能量阈值的情况下,当不存在正向耦合时,该放大器仍处于正常工作状态。而当存在的正向耦合能量超过一定的阈值时,正向耦合与该微波放大器大信号作用下的非线性响应共同作用将会引起GaAsFET漏源电流的“突变”,这种电流突变就为相对较小的雷电电磁能量造成系统失效甚至微波放大器被烧毁提供了一种可能的解释。本文对微波放大器中的空间电磁耦合途径和耦合系数进行了分析和计算。运用FDTD(时域有限差分)方法对不同频率的电磁辐射与微波放大器之间的相

全文目录

第一章绪论  12-15
  1．1 研究背景和意义  12-14
  1．2 本文的主要研究工作  14
  1．3 本论文的内容安排  14-15
第二章微波放大器非线性响应的分析方法  15-21
  2．1 几种常用分析方法简介  15-17
  2．2 时域法分析非线性电路的实例  17-21
第三章微波 GaAsFET放大器非线性耦合效应的时域分析  21-39
  3．1 微波砷化镓场效应管(GaAsFET)简介  21-22
  3．2 微波 GaAsFET的Curtice-3非线性模型  22-24
  3．3 微波GaAsFET放大器的时域法分析  24-38
    3．3．1 微波 GaAsFET放大器的简化非线性模型和状态方程  25-28
    3．3．2 不存在正向耦合情况下微波 GaAsFET放大器的非线性响应  28-32
    3 3．3 存在正向耦合情况下微波 GaAsFET放大器的非线性响应  32-38
  3．4 本章小结  38-39
第四章时域有限差分法(FDTD)简介  39-47
  4．1 Yee氏网格  39-40
  4．2 Maxwell旋度方程的差分展开  40-42
  4．3 FDTD法的数值稳定分析  42
  4．4 FDTD法的数值色散分析  42-43
  4．5 吸收边界条件  43-44
  4．6 连接边界条件——激励源的引入  44-45
  4．7 FDTD对集中元件的处理  45-47
第五章微波 GaAsFET放大器中的空间电磁能量耦合的数值仿真计算  47-53
  5．1 数值仿真模型  47-48
  5．2 微带电路中空间电磁能量耦合数值仿真  48-50
  5．3 输出端至输入端微带电路之间电压耦合系数的计算  50-52
  5．4 本章小结  52-53
第六章结论与展望  53-55
参考文献  55-59
攻读硕士学位期间的科研成果和获奖情况  59-60
致谢  60

微波放大器在强雷电辐射下的耦合效应研究

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