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半导体器件计算机模拟新方法研究

作　者: 刘珺
导　师: 龚仁喜
学　校: 广西大学
专　业: 控制理论与控制工程
关键词: Adomian’s composition theory SOI MOSFET 二极管模拟
分类号: TP391.9
类　型: 硕士论文
年　份: 2005年
下　载: 265次
引　用: 1次
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内容摘要

随着集成电路的飞速发展,对半导体器件的计算机模拟变得越来越重要。传统的计算机模拟主要是采用数值算法。本文提出了一种半导体器件模拟的新方法,这种新方法将Adomian的变量分解思想用于强耦合、强非线性的半导体器件基本方程组的求解中。本文对这种方法的基本思想和实现方法进行了详细地描述,并将其运用于稳态二极管器件的模拟和研究SOI MOSFET的静态特性中,求解了器件中电势、载流子等参数的分布情况,导出了二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,MOSFET的阈值电压、输出特性、转移特性等重要特性表达式。将获得的结果与数值计算结果进行了比较,两者基本相符,表明方法是可行的。而与数值方法相比,该方法具有概念清晰、使用方便、收敛速度快捷等优点。

全文目录

第1章引言  9-16
  1.1 半导体器件模拟的现状及存在的问题  9-14
  1.2 半导体器件模拟的意义  14-15
  1.3 本文的主要工作  15-16
第2章理论基础  16-23
  2.1 半导体器件基本方程  16-17
  2.2 边界条件  17-18
  2.3 Adomian理论  18-20
  2.4 Adomian多项式的求解  20-23
第3章分解理论在二极管模拟中的应用  23-34
  3.1 PN结二极管载流子分布的计算机模拟  23-31
    3.1.1 用分解理论对二极管进行模拟  23-27
    3.1.2 产生率与复合率  27-28
    3.1.3 边界条件  28-30
    3.1.4 载流子浓度分布  30-31
  3.2 二极管的伏安特性  31-34
第4章分解理论在SOI MOSFET静态特性研究中的应用  34-55
  4.1 SOI MOSFET概论  34-38
  4.2 SOI MOSFET静态特性分析  38-55
    4.2.1 模型的建立  38
    4.2.2 模型分析  38-43
    4.2.3 阈值电压  43-44
    4.2.4 输出特性  44-53
    4.2.5 转移特性  53-55
第5章结论  55-56
参考文献  56-59
致谢与声明  59-60
在学期间发表的学术论文与研究成果  60

半导体器件计算机模拟新方法研究

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