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石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性

作　者: 申俊杰
导　师: 聂向富；孙会元
学　校: 河北师范大学
专　业: 凝聚态物理
关键词: 硬磁畴第一类哑铃畴畴壁垂直布洛赫线
分类号: O484.43
类　型: 硕士论文
年　份: 2002年
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内容摘要

本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性，具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_sb’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的变化关系，发现ⅠD在条泡转变标准场H_sb’和硬泡标准场H_O’处其畴长随温度的升高而增大，通过与不含VBL的软磁泡泡径随温度的变化的实验比较，我们认为：畴壁中含有大量VBL的ⅠD之所以会出现上述现象，完全是由于畴壁中的VBL引起的。并通过J.C.Slonczewski所给出的VBL的平衡间距公式分析得出ⅠD畴壁中VBL间的平衡间距(S_eq)随温度的升高而增大，这与以前人们所得到的OHB畴壁中VBL间平衡间距(S_eq)随温度的升高而减小的结论不一致，并对此进行了分析。在此基础上，我们又进一步观察了ⅠD在不丢失VBL的前提下，其随温度变化的行为。发现高温下产生的部分ⅠD会随着温度的降低逐步向OHB转化，在室温下产生的ⅠD会随着温度的升高向ⅡD转化，而且上述转化过程完全可逆。由于其转化过程中VBL没有丢失，也就是说，其畴壁结构没有发生变化，所以我们再次证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的，在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为，完全是由于VBL的数目引起的。而且证明了在同一温度下，普通硬磁泡（OHB）、第一类哑铃畴（ⅠD）和第二类哑铃畴（ⅡD）中的VBL数目依次增多。此外，硬磁畴畴壁中VBL的分布问题至今仍然没有得到很好的解决，也就是说VBL究竟是充满整个拉长的畴壁还是部分地占据呢？这个问题仍然困扰人们。为此我们在上述实验基础上，设计了压缩状态下第一类哑铃畴 ID的阈值温度 T。’和临界温度 T。随直流偏场(H＊的关系实验。具体测量了 ID的阈值温度 T。’和临界温度T。随直流偏场（民）的变化关系，实验中发现：当低直流偏场0硼卅。时，T。‘和T。不随直流偏场的变化而变化；当直流偏场人北。时，T。’和T。随直流偏场的增加而减小。由于直流偏场对VBL起着径向压缩作用，而温度会使VBL间的平衡间距变大，所以从T。’在很宽的直流偏场范围内保持不变这个实验事实出发，我们认为VBL并没有受到直流偏场的压缩，也就是说，当直流偏场小于条泡转变场时，ID畴壁中的 VBL是部分分布而不是占据整个畴壁。综合上述实验我们得到如下结论：一、ID畴壁中 VBL问的平衡问距侣＊随温度的升高而增大。二、当直流偏场小于条泡转变场时，ID畴壁中的 VBL是部分分布而不是占据整个畴壁。

全文目录

中文摘要  2-6
主要符号对照表  6-9
第一章绪论  9-12
第二章磁畴和磁畴壁物理  12-30
  一磁畴和磁泡  12-13
  二磁泡的形成和磁泡的静态理论  13-18
  三磁畴壁和布洛赫线  18-29
  四三类硬磁畴的分类和实验研究  29-30
第三章实验内容  30-47
  一实验准备  30-34
  二温度对第一类哑铃畴平衡间距的影响  34-38
  三高温下产生的ⅠD在室温下向OHB的转化  38-40
  四室温下产生的ⅠD在高温下向ⅡD的转化  40-42
  五直流偏场对闽值温度的影响  42-44
  六直流偏场对临界解体温度的影响  44-47
第四章结论  47-48
参考文献  48-50
致谢  50

石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性

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