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CMOS/SOI模拟电路的研究

作　者: 罗萌
导　师: 张志勇；权海洋
学　校: 西北大学
专　业: 电路与系统
关键词: SOI技术 SOI MOS器件模拟电路 CMOS／SOI电路比较器 A/D转换器
分类号: TN710
类　型: 硕士论文
年　份: 2001年
下　载: 255次
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内容摘要

SOI技术是一种非常有潜力的新型硅技术，被称为21世纪的硅技术。本文对SOI技术，特别是CMOS/SOI技术，做了较详细的阐述。并利用CMOS/SOI技术的优点，研制高性能抗辐射CMOS/SOI逐次逼近式A/D转换器，设计出了A/D转换器中重要的单元电路——比较器。利用模拟软件SPICE3和SOI MOSFET器件模型BSIM3SOI对SOI器件和电路进行了模拟和分析。经过试投片，做出了具有基本设计功能的CMOS/SOI A/D转换器。通过测试可以看出CMOS/SOI A/D转换器的抗核加固性能明显优于体硅电路。CMOS/SOI A/D转换器的研制可打破国外对我国高性能抗辐射A/D，D/A的禁运，提高我国空间卫星抗辐射性能，具有较大社会效益和较好的经济效益。根据目前掌握的情况在国内处于领先地位。

全文目录

引言  6-8
第一章绪论  8-14
  1．1 SOI技术简介  8-10
  1．2 SOI器件/电路的性能及其应用  10-14
第二章 SOI材料制备及其性质  14-18
  2．1 SOI材料制备方法简介  14-17
  2．2 SOI材料的性质  17-18
第三章 CMOS/SOI技术  18-38
  3．1 SOI MOSFET器件的特性  18-25
    3．1．1 SOI MOSFET器件的结构类型  18-20
    3．1．2 SOI MOSFET器件的特性  20-25
  3．2 CMOS/SOI器件的基本结构与特征  25-28
    3．2．1 CMOS/SOI的基本结构  25
    3．2．2 CMOS/SOI工艺  25-28
    3．2．3 CMOS/SOI器件的设计特点  28
  3．3 CMOS/SOI电路中的寄生效应  28-38
    3．3．1 浮体效应  29-34
    3．3．2 自热和热耦合效应  34-38
第四章 SOI MOSFET器件和电路的计算机模拟  38-45
  4．1 SPICE软件介绍  38
  4．2 BSIM3SOI模型  38-39
  4．3 参数的提取  39-40
  4．4 模拟结果与分析  40-45
第五章 A/D转换器中比较器的研究  45-63
  5．1 A/D、D/A转换器  45-47
  5．2 比较器电路的原理和设计  47-57
    5．2．1 电路图设计  47-51
    5．2．2 版图设计  51-57
  5．3 工艺过程  57-59
    5．3．1 CMOS/SOI集成电路基本工艺规范  57-58
    5．3．2 工艺过程  58-59
  5．4 实验的结果的测试和分析  59-63
结束语  63-64
参考文献  64-68
研究生期间发表的论文  68-69
致谢  69

CMOS/SOI模拟电路的研究

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