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高阶效应对铁磁膜中微波磁包络孤子的影响

作 者: 黄汉青
导 师: 黄国淳
学 校: 暨南大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: 铁磁膜 微波磁包络孤子 高阶效应 三阶色散 四阶非线性效应
分类号: TN015
类 型: 硕士论文
年 份: 2001年
下 载: 32次
引 用: 1次
阅 读: 论文下载
 

内容摘要


本论文以非线性Schrodinger方程为基础,解析及数值研究了高阶效应铁磁膜中微波磁包络孤子的影响。为此,先给出作者考虑了三阶色散和四阶非线性效应后,含微扰的非线性Schrodinger方程。然后用微扰方法分别得到此方程的亮孤子和暗孤子绝热解。我们还用此方程数值模拟了亮孤子的情况。 我们的结果表明:对于亮孤子,当三阶色散系数β3>0(β3<0)时,三阶色散对孤子有以下影响:孤子的相位减少(增加)、孤子中心向正(负)方向平移、振幅减少(增大)、脉宽展宽(锐化)和出现拖尾(拖尾及前沿振荡现象),而且振幅起伏及脉宽展宽(锐化)均呈现出周期性。四阶非线性效应使孤子的相位增加。同时考虑三阶色散及四阶非线性效应时,三阶色散将起主要作用,四阶非线性效应只对相位有贡献。 对于暗孤子,当三阶色散系数β3>0(β3<0)时,三阶色散对孤子有以下影响:孤子的频谱红移(蓝移)、振幅增大(减少)及脉宽锐化(展宽)和相位增加(减少)。四阶非线性效应使孤子中心向正方向平移。同时考虑三阶色散及四阶非线性效应时,三阶色散将起主要作用,四阶非线性效应只使孤子中心向正方向平移。

全文目录


中文摘要  3-4
英文摘要  4-8
1. 引言  8-10
2. 铁磁膜中含高阶效应的NLS方程  10-15
3. 解析计算及其结果  15-26
  3.1. MME亮孤子  15-19
  3.2. MME暗孤子  19-25
  3.3. 讨论  25-26
4. 数值模拟及其结果  26-42
  4.1. 数值方法  26-29
  4.2. 结果与讨论  29-42
5. 结论与展望  42-44
附录  44-50
  【附录一】 程序的测试结果  44-46
  【附录二】 在三阶色散下的MME亮孤子的其他数值结果  46-50
参考文献  50-57
致谢  57

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 一般性问题 > 基础理论 > 微波与超高频技术
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