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有机静电感应晶体管工作特性的研究
作 者: 孙志远
导 师: 王东兴
学 校: 哈尔滨理工大学
专 业: 微电子与固体电子学
关键词: 静电感应晶体管 有机半导体材料 有机晶体管 有限元模拟
分类号: TN32
类 型: 硕士论文
年 份: 2008年
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内容摘要
无机半导体电子元器件已微细加工至亚微米、深亚微米,其芯片技术水准所能达到的集成度已趋向于物理极限。近几年来,有机电子元器件的研究是目前电子器件研究领域中最为火热的一块,各国关于有机器件的研究报道层出不穷,一些有机器件在实际生活中得到应用的例子也是屡见不鲜,可以预见有机器件得到广泛应用的时代已经快要到来了。有机器件有很多优越的性能,如质地柔软,造价便宜,易大面积化,轻薄等,这决定了有机器件必将打破无机器件在一些领域的垄断地位,并得到广泛应用。但有机器件也存在一些性能上的缺陷,如开关速度低、驱动电压高、处理速度低等,仍需要做进一步的改进。本文研究的有机静电感应晶体管(Organic Static Inductive Transistor:OSIT),采用SIT的垂直结构,使用有机半导体材料——酞菁铜(Copper Phthalocyanine:CuPc)作为有源层。本文在实际制作的样品基础上,建立了晶体管模型,运用有限元法对其进行了有限元分析,采用适当的边界条件求解泊松方程,模拟了该模型在不同外置偏压和结构参数下的电势分布情况,并分析了偏压和结构参数对器件性能的影响。对实际制作的OSIT样品,进行了静态分析,在静态分析中研究了一些静态特征的主要参数,电压放大率μ与栅极电压VGS相关,而且随栅源电压VGS增加,三极管的跨导gm及电压放大率μ减小,输出阻抗rd增加。此外对OSIT的I-V特性做了着重分析,发现I-V特性与OSIT结构和偏压也有联系。本文为有机静电感应晶体管工作机理的研究提供了理论支持,为进一步优化晶体管性能提供了一个参照,也为未来OSIT的实用化做了理论和实践上的准备。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-10 第1章 绪论 10-15 1.1 课题研究的背景及意义 10-11 1.2 相关领域的研究概况 11-12 1.2.1 有机薄膜晶体管发展趋势 11-12 1.2.2 静电感应晶体管的发展 12 1.3 待深入研究的问题 12-13 1.4 课题的来源和主要研究内容 13-15 第2章 晶体管基础理论 15-31 2.1 晶体管材料简介 15-19 2.1.1 半导体材料 15-16 2.1.2 有机半导体材料 16-19 2.2 金属-半导体接触 19-25 2.2.1 肖特基势垒的形成 19-22 2.2.2 欧姆接触 22-23 2.2.3 肖特基接触的整流理论 23-25 2.3 静电感应晶体管 25-30 2.3.1 静电感应器件原理 26-28 2.3.2 静电感应晶体管的结构 28-29 2.3.3 静电感应晶体管的基本工作原理 29-30 2.4 本章小结 30-31 第3章 有机静电感应晶体管解析 31-40 3.1 引言 31 3.2 有机静电感应晶体管的制作 31-32 3.3 有限元法及其Matlab 实现 32-34 3.4 有机静电感应晶体管的物理模型 34-39 3.5 本章小结 39-40 第4章 OSIT 各参数对沟道电势的影响 40-52 4.1 结构参数对OSIT 沟道电势的影响 40-47 4.1.1 栅极长度对沟道电势的影响 40-42 4.1.2 栅源距离对沟道电势的影响 42-43 4.1.3 沟道宽度对沟道电势的影响 43-45 4.1.4 沟道长度对沟道电势的影响 45-47 4.2 偏压参数对OSIT 沟道电势的影响 47-50 4.2.1 栅压改变对沟道电势的影响 47-49 4.2.2 漏压改变对沟道电势的影响 49-50 4.3 本章小结 50-52 第5章 OSIT 的静态及I-V 关系分析 52-62 5.1 OSIT 各静态参数测定 52-55 5.2 I-V 关系 55-61 5.2.1 OSIT 的电流-电压关系方程 56-58 5.2.2 OSIT 偏压参数对I-V 特性的影响 58-59 5.2.3 OSIT 结构参数对I-V 特性的影响 59-60 5.2.4 栅极电流和源-漏间电流的关系 60-61 5.3 本章小结 61-62 结论 62-63 参考文献 63-68 攻读学位期间发表的学术论文 68-69 致谢 69
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管(晶体管)
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