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组成和工艺条件对四元系PZSN陶瓷材料性能的影响
作 者: 岳华瑾
导 师: 孙清池
学 校: 天津大学
专 业: 材料学
关键词: 四元系PZSN 介电、压电性能 Zr/Ti比 温度稳定性 工艺条件
分类号: TM282
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
下 载: 27次
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内容摘要
本文研究了组成和工艺条件对四元系压电陶瓷材料Pb(Sn1/3Nb2/3)O3 -Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3- PbZrO3 -PbTiO3(PZSN)性能的影响。并运用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对合成后材料的晶相、样品表面的显微结构进行了分析观察。通过研究不同Zr/Ti比对Pr6O11掺杂PZSN系统性能的影响发现:在960℃合成温度下,不同锆钛比试样的主晶相均是钙钛矿结构,伴随有少量焦绿石相;同时随着Zr/Ti比的增加,四方相逐渐向三方相转变;三方相和四方相共存的准同型相界位于Zr/Ti比为45/43组成附近;同时随着Zr/Ti比的增加,系统的居里温度降低,介电弥散程度增大;在960℃的预烧温度、1260℃的烧成温度,保温2h工艺条件下,当Zr/Ti=45/43时,得到综合性能优良的压电材料:介电常数εT33/ε0=2113,介电损耗tanδ=0.016,压电常数d33=420pC/N,机电耦合系数Kp =66.4%,机械品质因数Qm =923。居里温度Tc=320℃;在Zr/Ti=45/43时,系统的sE11、K31、d31、ε33T/ε0、tanδ随温度的变化也最为平缓。此外,通过外加MnO2、Sb2O3,研究了不同工艺条件对PZSN系统介电、压电性能的影响。研究结果表明:不同工艺的所有样品均为单一、稳定的纯四方相钙钛矿结构,以单相形式存在。极化后的晶格常数与极化前的相比,极化后点阵常数c、a值都有所增加,但c增加的较大,说明四方度略有增加。Mn的引入造成了c/a的降低。而Sb2O3的加入使c/a略有增加。一次合成的样品(3#)与分步合成的样品(4#)相比,后者使得四方度下降。随着烧结温度的升高,晶粒尺寸逐渐增加,当烧结温度为1260℃时,晶形饱满,晶粒最为均匀致密。在此温度下,εT33/ε0、Qm、d33和Kp获得了极值。综合比较,较好的实验结果是在960℃的预烧温度、1260℃的烧成温度,保温2h工艺条件下,在PZSN系统中掺杂0.5wt% MnO2和0.5 wt% Sb2O3分步合成的样品,其各项性能参数为:εT33/ε0 =1154,tanδ=0.005,d33=251.5pC/N,Kp =59%,Qm=1225。
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全文目录
中文摘要 2-3 ABSTRACT 3-6 第一章 绪论 6-21 1.1 前言 6-8 1.2 文献综述 8-21 1.2.1 压电效应产生机理 8-9 1.2.2 二元系压电陶瓷 9-10 1.2.3 复合钙钛矿矿氧化物与多元系统 10-11 1.2.4 掺杂改性 11-14 1.2.5 工艺条件对压电陶瓷压电性能的影响 14-21 第二章 实验过程及测试 21-27 2.1 原料及设备 21-22 2.2 实验准备 22 2.3 工艺选取 22-23 2.4 性能测试及仪器装置 23-27 2.4.1 相对介电常数ε_(33)~T/ε_0 及介电损耗tanδ 23 2.4.2 压电应变常数d_(33) 23 2.4.3 机电耦合系数K_p和机械品质因素Q_m 23-24 2.4.4 体积密度的测量 24 2.4.5 居里温度T_C 24-25 2.4.6 显微结构及相组成 25 2.4.7 温度稳定性 25-27 第三章 PZSN压电陶瓷准同型相界附近的性能研究 27-40 3.1 样品的XRD测试及相界的确定 28-30 3.2 相界附近的显微结构 30 3.3 最佳烧结温度及最佳组成点的确定 30-35 3.3.1 不同烧结温度样品的显微结构 31-32 3.3.2 不同烧结温度下样品的介电和机电性能 32-33 3.3.3 最佳组成点的确定 33-35 3.4 居里温度 35-37 3.5 温度稳定性 37-39 3.6 本章小结 39-40 第四章 工艺条件对PZSN系压电陶瓷的性能研究 40-49 4.1 物相分析 41-42 4.2 显微结构 42-43 4.3 居里温度 43-44 4.4 机电性能 44-46 4.5 烧结温度对性能的影响 46-48 4.6 本章小结 48-49 第五章 结论 49-50 参考文献 50-56 发表论文和科研情况说明 56-57 致谢 57
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中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 电工材料 > 电工陶瓷材料 > 压电陶瓷材料
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