学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

Si及ZnO纳米晶制备新方法及其发光性能的研究

作 者: 刘丽赟
导 师: 杜希文
学 校: 天津大学
专 业: 材料学
关键词: Si纳米晶 ZnO纳米晶 磁控溅射 光致发光
分类号: TB383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
下 载: 83次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
 

内容摘要


本论文分别采用了反应溅射法和热活性法两种途径制备Si纳米晶,对其光致发光性能、微观组织、相结构和表面价键进行了分析,并对纳米晶的发光机理进行研究。同时,利用反应溅射法制备ZnO纳米晶,对其晶粒生长模型,以及发光性能进行了研究。研究发现,利用SiO2靶与Al靶反应溅射的方法可以制备晶粒尺寸细小、发光性能良好的Si纳米晶。本实验采用的是高功率溅射,因此落到衬底上的Si、Al、O粒子具有很大的动能,促使Al和SiO2在常温下就可以进行如下氧化还原反应:4Al + 3SiO2→3Si + 2Al2O3。同时,还使得溅射过程中形成的Si聚集,并结晶、长大。实验结果表明,反应溅射得到了Al2O3壳包覆的Si纳米晶,并观察到纯的紫外发射,经分析是源于Si纳米晶的量子限制效应。其中,Al2O3壳不仅限制了Si纳米晶的晶粒尺寸,同时还防止纳米晶被氧化,为Si纳米晶提供了理想的钝化层。Al/SiO2界面是不稳定的,当对其加热到一定温度时,Al与SiO2将会发生氧化还原反应。本实验利用此特性,分别对Al/SiO2复合膜、SiO2/Al/SiO2三明治薄膜退火,得到了包埋于SiO2基体中的Si纳米晶。本系统通过控制薄膜中Al原子的空间分布,使Si纳米晶的空间分布得到很好地控制。同时,Al原子量对薄膜中的Si纳米晶的晶粒尺寸也起到了限制作用。当Al含量较少时,薄膜中形成的Si原子也较少,则形成晶粒尺寸细小的Si纳米晶。利用SiO2靶与Zn靶反应溅射的方法制备包埋于SiO2基体中的ZnO纳米晶。由于Zn原子的还原性远大于Si离子,溅射时Zn原子将会优先与O离子结合形成了ZnO分子,并最终形成ZnO纳米晶。同时,实验中还观察到强的紫外发射,及可见光发射,它们分别源于ZnO与SiO2界面态和纵向光学声子的复合。

全文目录


摘要  2-3
ABSTRACT  3-7
第一章 绪论  7-22
  1.1 引言  7-8
  1.2 硅基纳米发光材料的研究现状  8-15
    1.2.1 硅基纳米发光材料的研究意义  8
    1.2.2 硅量子点的制备方法  8-13
      1.2.2.1 多层膜退火法  8-9
      1.2.2.2 复合薄膜退火法  9
      1.2.2.3 单层量子点生长  9-10
      1.2.2.4 热活性法  10-12
      1.2.2.5 高功率溅射法  12-13
    1.2.3 硅量子点材料存在的问题  13-14
    1.2.4 硅量子点的发光机理  14-15
      1.2.4.1 量子限制(Quantum Confinement Effect, QCE)模型  14
      1.2.4.2 发光中心(Luminescent Center, LC)模型  14
      1.2.4.3 量子限制—发光中心(QC-LCs)模型  14-15
      1.2.4.4 表面态和界面态模型  15
  1.3 氧化锌纳米材料的发展现状  15-20
    1.3.1 氧化锌纳米材料的研究意义  15-16
    1.3.2 氧化锌纳米晶的制备方法  16-18
      1.3.2.1 脉冲激光沉积法  16-17
      1.3.2.2 溶胶-凝胶法  17-18
      1.3.2.3 有机金属化学气相沉积  18
      1.3.2.4 磁控溅射法  18
    1.3.3 氧化锌纳米晶的发光机制  18-20
  1.4 本课题的试验思路及创新之处  20-22
第二章 试验原料和试验装置  22-24
  2.1 试验原料  22
  2.2 试验装置与测试设备  22-24
    2.2.1 JGP450G 型三靶共溅射高真空磁控溅射设备  22
    2.2.2 GSL 1600X 真空管式高温炉  22-23
    2.2.3 光致发光性能测试(PL)  23
    2.2.4 微观结构分析(TEM)  23
    2.2.5 结晶相分析(XRD)  23
    2.2.6 表面价态分析(XPS)  23-24
第三章 Si 纳米晶的制备及其发光性能的研究  24-42
  3.1 利用反应溅射的方法制备Si 纳米晶  24-30
    3.1.1 样品的制备  24
    3.1.2 试验结果与讨论  24-30
      3.1.2.1 光致发光性能的分析  24-25
      3.1.2.2 表面化学键的分析  25-26
      3.1.2.3 微观结构的分析  26-28
      3.1.2.4 晶粒生长模型  28-29
      3.1.2.5 发光机理的分析  29-30
  3.2 利用热活性的方法制备Si 纳米晶  30-41
    3.2.1 Al/SiO_2 复合膜试验方案  31-34
      3.2.1.1 样品的制备  31
      3.2.1.2 试验结果与分析  31-34
    3.2.2 SiO_2/Al/SiO_2 三明治薄膜试验方案  34-41
      3.2.2.1 样品的制备  34-35
      3.2.2.2 试验结果与分析  35-41
  3.3 本章小结  41-42
第四章 反应溅射制备ZnO 纳米晶  42-51
  4.1 样品的制备  42
  4.2 试验结果与分析  42-49
    4.2.1 光致发光性能分析  42-43
    4.2.2 结晶相与微观结构的分析  43-47
    4.2.3 表面价键的分析  47-49
    4.2.4 晶体生长模型  49
    4.2.5 发光机理的研究  49
  4.3 本章小结  49-51
第五章 结论  51-52
参考文献  52-58
发表论文和参加科研情况说明  58-59
致谢  59

相似论文

  1. 溶胶—凝胶AAO模板法制备ITO准一维纳米结构,TB383.1
  2. LSGM电解质薄膜制备与电化学性能研究,TM911.4
  3. 一维碳化物纳米材料的植物模板法合成及其原位机电学性能研究,TB383.1
  4. 磁控溅射镀膜机离子流密度及能量的测量研究,TG174.4
  5. 硅油粘滞性对C4F8等离子体处理的硅油表面凝聚行为的影响,O472.1
  6. 一维碳化硅纳米材料的制备、表征及性能研究,TB383.1
  7. 稀土掺杂氧化物荧光粉末的水热制备及荧光性能研究,TQ422
  8. 离子液体中电沉积制备氧化锌纳米结构及其性质的研究,TB383.1
  9. SiC薄膜及纳米线的制备与表征,TB383.2
  10. 高能离子溅射镀膜机中辅助阳极性能研究,TG174.4
  11. 纳米稀土磷酸盐发光材料的制备,TB383.1
  12. 蝴蝶光致发光增强光学复合结构研究及仿生,TB34
  13. 纳米折叠有源区宽谱LED工艺研究,TN304
  14. 阳极腐蚀多孔硅的光致发光和正电子湮没谱学研究,TN304.12
  15. 全光开关有源光子带隙Bragg多量子阱的制备,TN256
  16. 含手性三联苯液晶聚乙炔的合成及其性能研究,O631.3
  17. ZnO纳米晶薄膜的结构、发光和掺杂,O484
  18. 掺杂LiNbO3薄膜的制备及磁性研究,O484.1
  19. 磁控溅射制备A1N过渡层ZnO薄膜及其性能研究,O484.1
  20. 磁控溅射制备Al2O3过渡层ZnO薄膜及其性能研究,O484.1
  21. 无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备,TN304.1

中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
© 2012 www.xueweilunwen.com