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电荷泵及MOSFET测试失效的控制研究

作　者: 陆晓飞
导　师: 张健
学　校: 华东师范大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 测试失效控制 charge-pump MOSFET 防呆措施 工艺缺陷 失效机制
分类号: TN386.1
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 67次
引　用: 2次
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内容摘要


集成电路元器件测试中,各种失效机制的研究是业内普遍关注的问题,是提高良品率、降低成本的前提。本文通过对charge-pump及MOSFET测试失效机理以及由工艺缺陷所引起的失效机制的分析,提出了测试所需要采取的控制措施。通过数据采集及失效分布分析来制定失效控制线,扣留低良率批次。对测试机精度进行统计分布控制以监督测试的准确性,在测试站进行“防呆措施”的设置,分析测试中所发现的失效以反映各站工艺缺陷。并介绍了相关软件以帮助简化繁琐庞大的数据采集工作。通过以上措施,建立数据采集系统及分析流程,最大程度避免不良器件的流出,使测试成为各工艺站点提高工艺水平的重要数据来源,失效控制工作得到了客户的认可。本论文提出的测试失效控制方法同样适用于其它集成电路及分立器件测试领域。

全文目录


摘要  6-7
ABSTRACT  7-10
第一章 半导体产业及测试简介  10-23
  1.1 半导体产业发展  10-12
    1.1.1 集成电路产业的发展  10-11
    1.1.2 分立器件产业的发展  11-12
  1.2 半导体制造工艺流程简介  12-18
    1.2.1 设计  12-13
    1.2.2 芯片制造  13-16
    1.2.3 封装  16-17
    1.2.4 测试  17
    1.2.5 失效产品分析、可靠性分析  17-18
  1.3 我国半导体产业各环节的比重  18-19
  1.4 测试在半导体产业中的意义  19
  1.5 测试中的经济意义  19-21
    1.5.1 测试成本的定义  20
    1.5.2 测试成本及利润分析  20-21
    1.5.3 十倍法则  21
  1.6 测试缺陷等级  21
  1.7 测试中所存在的问题  21-22
  1.8 本文主要内容  22
  本章小结  22-23
第二章 电荷泵、MOSFET测试原理及设备  23-50
  2.1 charge-pump工作原理  23-32
    2.1.1 相关charge-pump产品分析  25-32
  2.2 MOSFET工作原理  32-37
    2.2.1 MOSFET相关产品分析  34-37
  2.3 charge-pump参数测试原理  37-38
  2.4 MOSFET参数测试原理  38-43
    2.4.1 MOSFET基本电参数  38-39
    2.4.2 MOSFET雪崩击穿测试  39-41
    2.4.3 MOSFET热阻测试  41-42
    2.4.4 MOSFET gate charge测试  42-43
  2.5 相关测试设备介绍  43-45
    2.5.1 分选机简介  43-45
    2.5.2 测试机简介  45
    2.5.3 特种测试机简介  45
  2.6 失效分析方法介绍  45-46
  2.7 失效分析设备介绍  46-49
  本章小结  49-50
第三章 成测失效控制措施研究  50-65
  3.1 调整失效控制线的研究  50-61
    3.1.1 针对charge-pump产品调整失效控制线  52-57
    3.1.2 针对MOSFET产品调整失效控制线  57-61
  3.2 人为因素可能造成的失效控制  61-62
  3.3 伪失效控制的研究  62-64
    3.3.1 charge-pump测试常规伪失效控制及改良  62-63
    3.3.2 MOSFET测试中常规伪失效控制及改良  63-64
  本章小结  64-65
第四章 测试设备不足及改良的研究  65-74
  4.1 不同种类测试机之间存在的差异性  65-68
  4.2 测试机的SPC测试机制  68-70
  4.3 分选机可能造成的逻辑混乱及防呆措施  70-73
  本章小结  73-74
第五章 产品失效分析及工艺研究  74-81
  5.1 反馈至FAB制造中的缺陷  74-75
  5.2 反馈至封装工艺中的缺陷  75-79
  5.3 反馈至设计中的缺陷  79-80
  本章小结  80-81
第六章 采集数据及控制应用软件  81-86
  6.1 Excel vba介绍及相关应用  81-84
  6.2 labview介绍及相关应用  84-85
  本章小结  85-86
第七章 总结及未来的展望  86-88
  7.1 本文总结  86-87
  7.2 目前测试尚存在待解决的问题  87
  7.3 未来展望  87-88
附录  88-93
  Excel收集correlation数据vba代码  88-93
参考文献  93-95
后记  95-96

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件
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