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NiO薄膜制备及特性研究

作　者: 李俊俏
导　师: 王新
学　校: 长春理工大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: NiO 射频磁控溅射 薄膜
分类号: O484.1
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 173次
引　用: 2次
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内容摘要


氧化镍是具有典型的3d电子结构的半导体氧化物,是一种P型氧化物材料,它的禁带宽度在3.0-4.0eV之间。由于NiO薄膜具有很好的化学稳定性,较好的光学,电学和磁学特性,被广泛应用于电致变色器件,电池电极,气体传感器及智能窗等领域。制备NiO薄膜的方法有很多,比如磁控溅射,电子束蒸发,溶胶-凝胶,分子束外延等。在这些方法中,反应磁控溅射法是应用较为广泛的一种,薄膜的性质与一定溅射条件有关,如反应气体的比例,溅射压强,溅射功率和衬底温度等。本论文采用射频磁控溅射法在不同溅射电压,不同氧氩比下制备了NiO薄膜,并对所得薄膜进行测试:分别用X射线衍射仪(XRD),紫外-可见(UV-VIS)分光光度计,四探针范德堡法研究了薄膜的结构,光学,电学等特性。同时对退火后薄膜的光学和电学特性进行了初步探讨,给出了实验结论。

全文目录


摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章 绪论  7-12
  1.1 透明导电薄膜的研究现状  7-8
  1.2 透明导电薄膜的应用  8-9
  1.3 透明导电薄膜的发展方向  9-10
  1.4 本论文的研究意义和主要研究内容  10-12
第二章 NiO薄膜性质和制备技术  12-21
  2.1 NiO薄膜性质  12-14
  2.2 NiO薄膜的制备技术  14-21
第三章 射频磁控溅射法制备NiO薄膜  21-30
  3.1 磁控溅射法原理  21-22
  3.2 磁控溅射特点  22
  3.3 NiO陶瓷靶的制备  22-23
  3.4 磁控溅射法制备NiO薄膜  23-26
  3.5 NiO成膜过程  26
  3.6 生长工艺参数对NiO薄膜的影响  26-27
  3.7 NiO薄膜性质表征手段  27-30
第四章 溅射电压对NiO薄膜性质的影响  30-35
  4.1 溅射电压对NiO薄膜结构的影响  30-31
  4.2 溅射电压对NiO薄膜光学透过率的影响  31-32
  4.3 溅射电压对NiO薄膜光学带隙的影响  32-33
  4.4 溅射电压对NiO电学特性的影响  33-35
第五章 氧氩比对NiO薄膜性质的影响  35-39
  5.1 氧氩比对NiO薄膜结构特性的影响  35-36
  5.2 氧氩比对NiO薄膜光学透过率的影响  36-37
  5.3 氧氩比对NiO薄膜光学带隙的影响  37-38
  5.4 氧氩比对NiO薄膜电学特性的影响  38-39
第六章 退火对NiO薄膜性质影响的初步探讨  39-42
  6.1 退火对NiO薄膜结构特性的影响  39
  6.2 退火对NiO薄膜光学透过率的影响  39-40
  6.3 退火对NiO薄膜光学带隙的影响  40
  6.4 退火对NiO薄膜电学特性的影响  40-42
结论  42-43
致谢  43-44
参考文献  44-46

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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的生长、结构和外延
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