学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

高效率WBG功率放大器的设计

作　者: 李俊鹏
导　师: 杨明武
学　校: 合肥工业大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 宽禁带 E类功率放大器 F类功率放大器 Advanced Design System2005
分类号: TN722.75
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 81次
引　用: 1次
阅　读: 论文下载

内容摘要

被誉为第三代半导体材料的SiC、GaN等宽禁带(Wide-Band-Gap)半导体材料具有高的击穿电压、很高的热导率、明显高于其它材料的电子饱和速率和极佳的抗辐射能力,非常适合制作高温,高频和大功率器件。目前传统半导体器件的发展已经接近应用极限,特别是在高频、高温领域,对宽禁带半导体器件的研究必将成为影响电子通讯行业的热点。与A类,B类,AB类,C类放大器这些有固定偏置点的工作模式不同,本文重点设计及介绍的E类,F类功率放大器效率的改善是由非线性条件实现的,有源器件既工作在夹断区,同样也工作在饱和区,电流电压半周期出现峰值且不同时为零,器件近似为“开关”的效果,其功率耗散达到最小,从而实现高效率传输。通过对这一类型功率放大器基本原理的分析,得到了微带化实现匹配电路的新方法。用Advanced Design System2005仿真了几款工作在L及S波段的高效率放大器,分析它们的基波和高次谐波功率频谱特性,以及在大信号模型下的稳定性。最后,通过对投版样品进行测试,各项指标与软件仿真结果基本吻合,验证了设计方法的可靠性。

全文目录

摘要  5-6
ABSTRACT  6-7
致谢  7-13
第一章绪论  13-16
第二章功率放大器的基本原理  16-27
  2.1 功率放大器的工作状态  16-17
  2.2 功率放大器的主要设计方法  17-23
  2.3 功率放大器的匹配电路设计  23-27
第三章 WBG 功率放大器的设计目标  27-37
  3.1 微带功率放大器的一般设计考虑  27-28
  3.2 功率放大器的性能指标  28-32
  3.3 功率放大器的稳定性分析  32-34
  3.4 宽禁带功率放大器性能分析  34-37
第四章 E 类功率放大器的设计  37-49
  4.1 工作原理  37-40
  4.2 微带线E 类功率放大器的实现  40-42
  4.3 仿真结果  42-47
  4.4 测试结果  47-49
第五章 F 类功率放大器的设计  49-58
  5.1 工作原理  49-52
  5.2 微带线F 类放大器的实现  52-54
  5.3 仿真结果  54-57
  5.4 测试结果  57-58
第六章全文总结  58-59
参考文献  59-62
硕士研究生期间发表的论文  62-63

高效率WBG功率放大器的设计

内容摘要

全文目录

相似论文