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静态随机存取储器设计与实现关键技术研究
作 者: 杨亚兰
导 师: 罗玉香
学 校: 电子科技大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 静态随机存取存储器 集成电路 仿真验证 抗辐照加固 ESD
分类号: TP333.8
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
随着芯片集成度越来越高,容量要求越来越大,使得存储器在集成电路中所占面积比例越来越大,存储器对于系统性能的影响也越来越大,以至于存储器性能的提高成为一个极大的挑战。近年来,静态随机存取存储器(SRAM)的低功耗和快速数据存取的特点使其发展迅猛,如今SRAM尤其是高速SRAM在通讯领域的各项基础设施和通讯终端设备中被广泛应用。静态随机存取存储器(SRAM)促进了当今的高端便携消费电子产品热潮,但同时这也对SRAM的性能提出了更高的要求。所以对于大容量、高密度、高速度、低电压、低功耗和高可靠性的静态随机存取存储器(SRAM)的研究和设计具有重要的意义和价值。本文通过分析静态随机存取存储器(SRAM)在当今集成电路设计中现状及发展,基于VLSI实验室的多个SRAM设计项目,研究了SRAM设计和实现过程中的关键技术。本文首先分析了各种不同结构的SRAM基本存储单元的原理及特点,以及不同种类的SRAM电路结构及其特征,提出了它们的应用对于SRAM电路性能的影响。细化地研究了在SRAM电路设计过程中为提高芯片性能,需要特别设计的电路关键组成部分。提出SRAM全定制设计和实现的方法,并且研究了SRAM芯片设计过程中电路及版图的各种不同的仿真验证方法。最后研究了为提高SRAM芯片的可靠性和性能,在版图物理实现过程中可采用的方法和工艺。
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全文目录
摘要 4-5 ABSTRACT 5-8 第一章 绪论 8-14 1.1 论文背景及意义 8 1.2 半导体存储器及其发展概况 8-10 1.3 静态随机存取存储器(SRAM)研究现状及发展方向 10-14 1.3.1 静态随机存取存储器(SRAM)的发展历史及趋势 11 1.3.2 国内外概况及相关研究 11-13 1.3.3 论文主要工作与结构 13-14 第二章 静态随机存取存储器结构与工作原理 14-29 2.1 存储器的总体结构 14-16 2.2 SRAM 存储单元结构 16-20 2.2.1 标准CMOS 6T 存储单元 16-18 2.2.2 电阻负载的4T2R 存储单元 18-19 2.2.3 DICE 存储单元 19-20 2.3 SRAM 存储器结构 20-26 2.3.1 异步SRAM 20-21 2.3.2 同步SRAM 21 2.3.3 单端口SRAM 21-22 2.3.4 双端口SRAM 22-24 2.3.5 先入先出(FIFO)SRAM 24-26 2.4 SRAM 存储器工作原理 26-29 2.4.1 SRAM 的写过程 26-27 2.4.2 SRAM 的读过程 27-29 第三章 静态随机存取存储器关键模块结构研究与电路设计 29-44 3.1 SRAM 存储阵列的设计 30-36 3.1.1 SRAM 基本存储单元设计 30-33 3.1.2 存储阵列分块设计 33-36 3.2 分级地址译码器设计 36-39 3.3 灵敏放大器设计 39-40 3.4 预充电电路设计 40-44 3.4.1 预充电电路结构设计及原理 40-41 3.4.2 位线复位预充电电路设计 41-44 第四章 静态随机存取存储器项目设计与仿真验证技术 44-64 4.1 SRAM 全定制设计 44-48 4.2 SRAM 仿真验证技术 48-64 4.2.1 模拟仿真方法及仿真实例 48-57 4.2.2 基于逻辑等效模型的快速功能仿真验证 57-60 4.2.3 IP 行为级仿真 60-62 4.2.4 版图后仿真 62-64 第五章 静态随机存取存储器提高性能与可靠性设计的物理实现 64-80 5.1 电源网络的设计与实现 64-71 5.1.1 单电源电压结构 64-65 5.1.2 多电源结构及电平转换 65-70 5.1.3 不同电源域间的物理版图设计 70-71 5.2 ESD 保护电路 71-74 5.3 静态随机存取存储器(SRAM)抗辐照物理实现方法 74-80 5.3.1 先进工艺SOI SRAM 75-76 5.3.2 HBD 抗辐照版图加固方法 76-80 第六章 结论 80-81 致谢 81-82 参考文献 82-85 攻硕期间取得的研究成果 85-86
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中图分类: > 工业技术 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 电子数字计算机(不连续作用电子计算机) > 存贮器 > 随机存取存贮器
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