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薄膜无机电致发光（TFEL）低压化的研究

作　者: 李庆青
导　师: 李德昌；彭文达
学　校: 西安电子科技大学
专　业: 光学工程
关键词: 薄膜电致发光隧道效应电子注入
分类号: O484.41
类　型: 硕士论文
年　份: 2007年
下　载: 21次
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内容摘要

本论文简要介绍了薄膜无机电致发光的发展状况,并对其发光机理以及在降低驱动电压方面的研究工作进行了讨论。主要研究利用MgO作为TFEL的介质层,利用MgO禁带内的缺陷能级,使电极电子隧穿通过相对较厚MgO层注入发光层,实现TFEL的低压驱动。主要研究内容有：(1)用MIM结构研究在高电场下金属电子注入MgO薄膜、MgO薄膜的电子传导机理；(2)分别用MgO、SiO2作为TFEL器件的介质层制作TFEL器件,测试其阈值电压、传输电荷—电压(Q—V)特性以及电流波形等。研究表明在电场作用下,电子从电极隧穿MgO介质层进入发光层,增加了TFEL器件的初始电子来源,降低了器件的驱动电压。本研究用MgO作为介质层,实现了TFEL器件的低压驱动。单介质层结构器件在MgO层厚度30～150nm范围时,器件的阈值电压在10～30V。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-7
第一章绪论  7-17
  1.1 显示技术的发展趋势  7
  1.2 无机薄膜电致发光显示技术  7-11
    1.2.1 薄膜电致发光(TFEL)技术  8-9
    1.2.2 厚膜电致发光(TDEL)技术  9-11
  1.3 低压无机薄膜电致发光显示技术的研究  11-14
  1.4 本论文的研究内容  14-17
第二章理论基础  17-27
  2.1 无机薄膜电致发光显示技术的原理  17-18
  2.2 介质中的电流传导机制  18-24
  2.3 MgO缺陷能级  24-26
  2.4 电流传导通过MgO薄膜  26-27
第三章 TFEL器件的制作和测试  27-51
  3.1 MIM样品的制作  27-28
  3.2 MIM样品的测试  28-31
  3.3 TFEL器件样品的制作  31-34
    3.3.1 TFEL器件样品的结构  31-32
    3.3.2 TFEL器件样品的制作工艺  32-34
  3.4 TFEL器件样品的测试  34-51
第四章实验结果分析与讨论  51-57
  4.1 MIM特性  51-53
  4.2 TFEL器件的Q—V特性  53-54
  4.3 TFEL器件的光谱特性  54
  4.4 TFEL器件的电流特性  54
  4.5 TFEL器件的阈值特性  54-57
第五章结论  57-59
参考文献  59-63
致谢  63-64

薄膜无机电致发光（TFEL）低压化的研究

内容摘要

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