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集成电路制造中Contact Process造成SRAM失效分析与解决

作　者: 沈旭昭
导　师: 何卫锋; 居建华
学　校: 上海交通大学
专　业: 集成电路工程
关键词: SRAM 良率 Contact
分类号: TN405
类　型: 硕士论文
年　份: 2013年
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内容摘要

本篇论文的主题是论述了在先进大规模集成电路制造中,相关于Contact制造工艺,对SRAM(静态存储器)成品率提高问题的实际案例分析和解决方法。众所周知,随着集成电路制造中器件的关键尺寸变的越来越小,现代电子产品对于功耗的要求也变的越来越严格,低功耗,高性能,低成本已经成为了绝对的发展趋势。半导体产品的良率对于集成电路制造来说一直是非常重要的衡量指标。它标志着生产工艺的成熟度与制程的稳定性。SRAM(静态存储器)对于集成电路,特别是超大规模的集成电路设计来说,是一个很重要的组成部分,它的器件在一个完整的功能芯片中往往关键尺寸是最小的。这样一来它对于在制造过程中的发生的各种微小的制程差异都有着非常高的灵敏度,由于这种特性,在集成电路制造中SRAM就成为了提高集成度的一个重要的瓶颈。在集成电路制造过程中很多失效都能够在SRAM区域中被发现。对于90纳米以及以下的先进工艺,Contact制程的优劣与稳定与否是造成SRAM失效,影响良率的最主要原因,一直困扰着集成电路设计和制造的发展。集成电路制造过程中的产品良率同时也是决定产品是否可以量产进入市场的一个关键性的因素。如果良率太低不仅会直接影响产品本身的稳定性,而且也会大大增加产品的成本,转而威胁到产品的竞争力。所以如何提升产品的良率,已经是当今集成电路制造业中一项重要的议题。

全文目录

摘要  5-6
ABSTRACT  6-11
第一章绪论  11-20
  1.1 提高成品率的意义  11
  1.2 提高成品率的方法  11-12
  1.3 SRAM概述  12-19
    1.3.1 简介  12-13
    1.3.2 SRAM数据保持操作  13
    1.3.3 SRAM写操作  13-14
    1.3.4 SRAM读操作  14-15
    1.3.5 SRAM 4T2R存储单元  15-16
    1.3.6 SRAM 6T2R存储单元  16-19
  1.4 本章小结  19-20
第二章 CONTACT制程与对SRAM失效的影响  20-26
  2.1 Contact各制程介绍  20-24
    2.1.1 薄膜淀积  20-21
    2.1.2 化学机械抛光  21-22
    2.1.3 图形曝光显影  22-23
    2.1.4 刻蚀  23-24
  2.2 Contact制程问题与常见缺陷  24-25
  2.3 本章小结  25-26
第三章分析工具介绍  26-31
  3.1 缺陷扫描工具  26-27
  3.2 工艺监控(PCM)测试工具  27-28
  3.3 IC测试工具  28-29
  3.4 失效分析工具  29-30
  3.5 本章小结  30-31
第四章失效案例分析与结论  31-38
  4.1 Contact与有源区对准偏移造成失效  31-33
  4.2 Contact刻蚀不完全造成失效  33-36
  4.3 Contact图形缺失造成失效  36-37
  4.4 本草小结  37-38
第五章失效案例分析与结论  38-46
  5.1 Contact与有源区对准偏移分析与解决  38-40
  5.2 Contact刻蚀不完全造成失效分析与解决  40-43
  5.3 Contact图形缺失造成失效分析与解决  43-45
  5.4 本章小结  45-46
第六章结束语  46-47
参考文献  47-50
致谢  50-51
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文  51

集成电路制造中Contact Process造成SRAM失效分析与解决

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