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基于稀土配合物NdQ及PbS量子点的近红外电致发光器件的研究
作 者: 陈义鹏
导 师: 李岚; 张晓松
学 校: 天津理工大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: 电致发光器件 近红外光 8-羟基喹啉钕 PbS量子点
分类号: TN383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要
近红外波段(800-1600nm)在光纤通信,生物和传感器等方面有重要的应用,将电致发光器件的发光波长扩展到近红外波段具有重要的意义。稀土离子配合物能够获得窄的发射峰,在近红外波段可以实现高的发光效率。窄带隙半导体量子点材料也因其量子尺寸调节,性能稳定,可溶液处理等特性吸引了很多研究人员的关注。本论文主要研究基于稀土配合物NdQ和PbS量子点的近红外电致发光器件。(1)采用NdCl3的水溶液与8-羟基喹啉的甲醇溶液在室温下反应合成了稀土配合物NdQ,分析了其光学性质和机制。将NdQ与聚合物PVP混合制备了稀土杂化材料,由于使NdQ分子结构更加刚性化,配体吸收能量可以高效地传递给Nd3+,因此增强了Nd3+的荧光发射强度。(2)制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/NdQ/Al的近红外OLED,结果显示在905、1064、1340nm处均观察到荧光发射,分别对应于Nd3+的F3/2→4I9/2,4F3/2→4I11/2, F3/2→4I13/2能级跃迁。讨论了两种功能层对器件Ⅰ-Ⅴ曲线和EL光谱的影响,PEDOT:PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT:PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了NdQ发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是提高器件性能的原因之一。(3)制备了结构为ITO/PVK:NPB/NdQ/Al的双发光层白光有机电致发光器件,通过PVK:NPB层的蓝光与NdQ层的橙色光混合实现了很好的白光发射。(4)PbS纳米晶是一种重要半导体材料,在太阳能电池和光探测器等领域的应用备受关注。我们以不同粒径的PbS量子点薄膜作为波长转换膜,形成了简单结构的PbSQDs/Glass/ITO/PVK:NPB/Al的近红外电致发光器件,正向电场下获得900-1600nm范围可调节峰值的近红外光发射。当以单独的PbS量子点作为有源层时,在可见光区获得了发射波长随电压变化的器件,借助合成量子点中间产物的PL谱分析认为器件在可见区域发射来自pb2+能级跃迁。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-9 第一章 绪论 9-23 1.1 OLED简介 9-13 1.1.1 OLED发展 9-11 1.1.2 OLED常见结构 11-12 1.1.3 OLED发光过程 12-13 1.2 基于稀土有机配合物的近红外OLED的研究进展 13-16 1.2.1 稀土近红外OLED介绍 13-14 1.2.2 基于稀土配合物的近红外OLED研究进展 14-16 1.3 量子点LED 16-20 1.3.1 量子点简介 16-17 1.3.2 量子点LED结构分类 17-20 1.4 基于无机量子点的近红外LED的研究进展 20-21 1.5 本文的主要研究内容 21-23 第二章 稀土配合物8羟基喹啉钕(NdQ)的合成及发光性能研究 23-33 2.1 Neodymium tris-(8-hydroxyquinoline)(NdQ)的合成与表征 23-27 2.1.1 NdQ的合成 23-24 2.1.2 NdQ的表征 24-27 2.2 NdQ的光致发光研究 27-29 2.3 稀土配合物的发光原理 29 2.4 NdQ杂化材料的研究 29-32 2.4.1 实验 30 2.4.2 结果与讨论 30-32 2.5 本章总结 32-33 第三章 基于NdQ电致发光器件的结构设计,制备与性能 33-48 3.1 实验仪器及材料介绍 33-35 3.1.1 实验仪器 33-34 3.1.2 实验材料 34-35 3.2 PVK空穴传输层厚度对近红外器件性能的影响 35-40 3.2.1 引言 35-36 3.2.2 实验 36 3.2.3 结果与讨论 36-40 3.3 PEDOT:PSS和PVK功能层对NdQ近红外发光二极管性能的影响 40-44 3.3.1 引言 40 3.3.2 实验 40-41 3.3.3 结果与讨论 41-44 3.4 具有双发光层结构的白光OLED的研究 44-46 3.4.1 引言 44 3.4.2 实验 44 3.4.3 结果与讨论 44-46 3.5 本章总结 46-48 第四章 PbS量子点在LED器件中的应用 48-58 4.1 利用PbS量子点波长转换膜实现近红外电致发光 48-53 4.1.1 引言 48-49 4.1.2 实验 49-50 4.1.3 结果与讨论 50-53 4.2 基于PbS量子点LED的制备及特性表征 53-57 4.2.1 引言 53-54 4.2.2 实验 54 4.2.3 结果与讨论 54-57 4.3 本章总结 57-58 第五章 总结与展望 58-60 5.1 全文总结 58-59 5.2 工作展望 59-60 参考文献 60-66 发表论文和科研情况说明 66-67 致谢 67
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
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