学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究

作　者: 高丹
导　师: 王维彪; 梁静秋
学　校: 中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）
专　业: 光学工程
关键词: 微型柔性LED阵列 AlGaInP 聚酰亚胺 MOEMS技术隔离沟槽
分类号: TN312.8
类　型: 硕士论文
年　份: 2013年
下　载: 4次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

现代社会科技飞速发展，已经完全进入信息化时代。对于手机、电视、游戏机等高科技产品的分辨率要求越来越高。同时也对微小尺寸提出更高的要求。LED因为亮度高、工作电压低、功耗小、体积小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优越的特点已成为现代显示领域的主要研究目标。将LED通过与传统的MOEMS技术相结合，可制作出分辨率更高、可挠性好、能贴附在任意曲面或不规则物体表面的的显示器即微型柔性LED阵列。微型柔性LED不但具有传统LED的优点，它还可以任意弯曲，所以在显示、军事、医疗、日常生活等多方面得到应用。本论文进行了微型柔性LED阵列理论及实验研究。首先，介绍了微型柔性LED阵列的应用及发展历程。其次，对微型柔性LED所采用的外延片的PN结进行理论分析，得出当器件的工作电压为2V-2.33V时，能够使芯片组取得较好的工作一致性。然后，根据理论研究及实际应用需求，提出了器件的结构框架，确定了μLED单元的横向尺寸、厚度、间距以及上下电极的基本形状、结构尺寸和布线形式。然后，对柔性阵列器件的结构连接材料和柔性衬底进行选择，并且对与器件制作工艺兼容的柔性材料的制备技术及成型工艺条件进行了研究，如其涂覆、成膜及刻蚀条件等。最后，研究采用MOEMS工艺对通用的外延片进行像素分割的技术方法。本学位论文主要针对适用于柔性器件制作的衬底减薄与隔离沟槽的制作方法进行了研究，并且对高掺GaP、GaP、AlGaInP和n-GaAs刻蚀技术进行了深入研究。

全文目录

摘要  5-6
Abstract  6-10
第1章绪论  10-20
  1.1 引言  10-11
  1.2 柔性微阵列 LED 的特点及应用  11-12
  1.3 柔性微阵列 LED 的发展  12-18
  1.4 本论文的主要研究内容  18-20
第2章柔性 LED 材料的选取及工作原理  20-32
  2.1 AlGaInP 的材料特性  20-22
  2.2 AlGaInP-LED 外延片结构  22-23
  2.3 AlGaInP-LED 的工作原理  23-24
  2.4 AlGaInP DH-LED PN 结的 I-V 特性理论分析  24-29
  2.5 AlGaInP DH-LED PN 结模拟分析  29-30
  2.6 本章小结  30-32
第3章 AlGaInP 柔性微阵列 LED 器件设计  32-54
  3.1 柔性 AlGaInP 微显示器件的结构设计  32-36
  3.2 柔性材料的选择与制备  36-42
  3.3 柔性 AlGaInP 微显示器件制作流程的设计  42-52
  3.4 本章小结  52-54
第4章柔性 AlGaInP 微显示器件的制作技术研究  54-74
  4.1 湿法腐蚀制备隔离沟槽  54-67
  4.2 干法刻蚀与湿法腐蚀相结合制备隔离沟槽  67-71
  4.3 衬底减薄实验  71-73
  4.4 本章小结  73-74
第5章总结  74-76
参考文献  76-79
在学期间学术成果情况  79-80
指导教师及作者简介  80-81
致谢  81

柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究

内容摘要

全文目录

相似论文