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GaSb欧姆接触制备及电学特性研究

作 者: 郎岳
导 师: 李金华; 魏志鹏
学 校: 长春理工大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: GaSb欧姆接触电学特性 欧姆接触 GaSb基半导体材料表面硫钝化 退火温度 扫描电子显微镜 欧姆接触电阻率测试仪
分类号: TN304.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要


本文主要对GaSb基进行欧姆接触的制备以及的电学性质进行研究。以课题的研究背景、国内外发展现状为前提,在此基础上,介绍了半导体激光器以及Ⅲ-Ⅴ族材料的特性,并详细阐述了对GaSb基半导体材料表面硫钝化研究、GaSb欧姆接触的制备过程、电学方面的特性研究及目前的研究进展。详细讲解了金属与半导体接触及欧姆接触的相关机理,并设计以GaSb基半导体材料为主体的欧姆接触金属化结构。本论文详细的讨论了n型GaSb的欧姆接触形成机理,以及在形成欧姆接触后比较不同退火温度和时间对接触电阻率的影响,以及GaSb表面钝化处理对接触电阻率的影响,并用扫描电子显微镜和欧姆接触电阻率测试仪进行对n型GaSb的欧姆接触的电学分析。在实验部分,分别对GaSb基半导体材料表面硫钝化、退火温度和时间对欧姆接触接触电阻率影响进行实验,研究了样品形成欧姆接触后接触电阻率阻值情况,重点分析了对其表面硫钝化处理以及较不同退火温度和时间对欧姆接触的接触电阻率的影响。在以上的工作中,我们可以看出,通过对其表面硫钝化处理和比较不同退火温度和退火时间改善了GaSb基欧姆接触接触的电阻率的大小。

全文目录


摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章 绪论  7-16
  1.1 引言  7-8
  1.2 锑化物半导体激光器研究进展  8-12
  1.3 锑化物表面钝化的研究进展  12-14
  1.4 锑化物欧姆接触研究进展  14-15
  1.5 本论文的主要工作  15-16
第二章 表面硫钝化技术研究  16-20
  2.1 表面态  16-17
  2.2 表面态对半导体器件的影响  17
  2.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体表面钝化介绍  17
  2.4 GaSb表面硫钝化技术研究  17-20
第三章 金属—半导体接触  20-36
  3.1 功函数  20-21
  3.2 电势差  21-22
  3.3 表面态  22-24
  3.4 电流传输机理  24-33
  3.5 GaSb基半导体欧姆接触  33-36
第四章 GaSb钝化实验及结果分析  36-41
  4.1 GaSb的钝化方法以及钝化溶液的选择  36
  4.2 实验方案  36
  4.3 仪器介绍  36-38
  4.4 实验结果及分析  38-41
第五章 GaSb欧姆接触制备及特性研究  41-54
  5.1 欧姆接触设计方案  41
  5.2 实验仪器  41-46
  5.3 欧姆接触实验过程  46-48
  5.4 GaSb基欧姆接触表面形貌的分析  48-49
  5.5 Ⅰ-Ⅴ测量及GaSb欧姆接触电阻率计算  49-54
第六章 结论与展望  54-55
致谢  55-56
参考文献  56-60

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体
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